1 介紹

此仿真實例用UltraEM來研究接地屏蔽層(PGS)以及NTN層的改變對器件Q值造成的影響。

PGS和NTN對器件起到的作用都是提高Q值。PGS是接地屏蔽層，其上結構與電感線圈垂直，通過減少金屬層與地板之間的耦合起到屏蔽作用；加NTN則會將工藝襯底的摻雜硅換成導電率更低的本征硅，減小了介質損耗角正切，從而降低了能量的損失，起到屏蔽的作用。

本次測試使用的三個實例分別是：

1. CMOS工藝的對稱螺旋電感；

2. 在1的基礎上添加一個接地屏蔽層；

3. 在1的基礎上更改襯底材料為本征硅。

將三個實例放入UltraEM仿真并對比其Q值變化。

2 仿真操作流程

2.1建立仿真算例

2.1.1 新建工程

依次點擊File > New > Project新建工程，如下圖 2-1。

圖2-1新建工程 2.1.2 導入設計文件

這里使用示例Examples中采用到接地屏蔽層的Symind_Shield.py工程。

圖2?2 導入設計文件

2.1.3 PGS測試算例

建立兩個螺旋電感算例，一個不含PGS，一個含PGS，如圖 2-3，圖 2-4。

圖2?3 無屏蔽層

圖2?4 接地屏蔽層 2.1.4 NTN層測試算例

建立兩個螺旋電感算例，一個使用摻雜硅襯底，一個使用本征硅襯底。

修改襯底材料參數可按如下方式操作：

依次點擊Layer > Set Layer Data打開器件的層數據，如下圖2-5。

圖2?5 查看層數據

打開層數據之后，找到底部襯底層，如下圖2-6。

圖2?6 查看襯底

點擊Dielectric1層所用材料g65d1，即可查看該材料的信息，如下圖2-7。

圖2?7 襯底材料

此處使用材料為摻雜硅，電導率為8.0 S/m。為對比NTN layer造成的影響，我們重新定義一個本征硅，電導率設置為0.08 S/m。點擊Add Material新建材料，如下圖2-8。 圖2-8 新建材料

2.2 自定義參數

自定義參數Q值的查看需要預先定義公式，通過Result > Define Quantities建立一個新的公式，如下圖2-9。

圖2?9 定義Q參數

通過Define New Quantity，設置參數名及計算公式。

2.3 定義測試頻率

通過Solve > Settings進入頻率設置頁面，在Frequency中設置仿真的起始頻率、步長以及截止頻率。

圖2-10 設置仿真頻率

2.4 開始仿真

完成頻率設置后，點擊Solve > Run以運行仿真，如下圖2-11。

圖2-11 開始仿真

2.5 查看結果

以上三個算例仿真完成后，單擊Result > Model Data，查看仿真結果。選擇Q11計算公式，查看其Real part。

圖2-12 繪圖

圖2-13 Q 值對比

Q值曲線由高到低依次是：添加NTN層的電感、添加PGS的電感、無NTN無PGS的電感。

從仿真結果來看，在頻率較低的頻段，三者幾乎重合，Q值區別很小，頻率較高時，三者差異逐步增加。

明顯可以發現有PGS的電感Q值要比沒有的高許多，使用本征硅的電感也明顯提高了Q。

此結果基本與理論相符，不論是接地屏蔽層還是減小襯底導電率，兩者都是減小了器件的損耗進而提高了Q值。

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審核編輯：湯梓紅