下圖是sd協議規定的上電規范,SD NAND的工作電壓范圍是2.7V-3.6V
1、為了確保芯片能正常上電復位,電壓要在0.5V以下至少1ms;
2、電源上升的時候需要保持電源是穩定的、是持續上升的,上升到正常工作電壓的時間是0.1ms-35ms;
3、主機關閉電源時,將卡的VDD降至0.5伏以下a最小周期為1ms。在斷電期間,DAT, CMD和CLK應斷開連接或驅動由主機到邏輯0,以避免工作電流通過信號線引出的情況。
電源供電能力
因為芯片讀寫時消耗的電流比較大,因此對電源的供電要求也不低,
例如MK-米客方德MKDV1GIL-AS工業級SD NAND的工作消耗電流如下圖
電源的供電能力一定要滿足SD卡的耗電需求
供電電源的選擇和設計
設計電源電路時,最好時選擇DC-DC電源,LDO電源的供電能力不是很強,而且不是很穩定,容易出現問題,當不良現象是那種偶然性現象時,需要大量測試才會發現問題時,這個現象很可能是電源的問題導致的。
例如應用在內窺鏡、打獵相機和電池門鈴方面,不良現象是拍照拍到幾千張時就會出現問題;拍照存圖片的應用電路如下:
經過分析發現,供電電路用的一個三極管,三極管的過電流能力比較小,當這個三極管被換成MOS管時,不良現象就沒有再出現過,所以芯片的供電電路也是非常的重要的,在設計的供電電路設計中,不僅要保證供電的驅動能力足夠,還需要保證供電的穩定性和電源紋波不能過大;而且電源設計時不能加EN這種使能引腳來控制電源,這種情況也容易出現問題。
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