1前言

閃存有兩種分類，NAND型閃存主要用于存儲(chǔ)

寫操作

■MOS的特性

給柵極高電平，就導(dǎo)通

給柵極低電平，就截止

在MOS管的基礎(chǔ)上加入浮柵層和隧穿層就變成浮柵晶體管（存儲(chǔ)一位數(shù)據(jù)的基本單位）

■浮柵晶體管寫操作（邏輯0）

當(dāng)給柵極施加較高的高電平（較高的高電平才能讓電子穿過隧穿層），電子到浮柵層就被絕緣層阻礙了

當(dāng)給柵極低電平時(shí)，這時(shí)隧穿層就相當(dāng)于絕緣層，這樣電子就被存儲(chǔ)起來了，這時(shí)隧穿層有電子表示邏輯0

■浮柵晶體管寫操作（邏輯1）

這時(shí)給襯底較高的高電平時(shí)，電子就會(huì)從隧穿層被吸引出來，這時(shí)隧穿層沒電子表示邏輯1

■小結(jié)

根據(jù)浮柵層有無電子就可以判斷兩種狀態(tài)

讀操作

可以通過判斷浮柵層當(dāng)前有無電子，來讀取當(dāng)前的狀態(tài)

■如何判斷有無浮柵層電子？

現(xiàn)在給柵極低電平，電子就會(huì)被吸引形成溝道（因?yàn)榈碗娖讲荒茏屗泶訉?dǎo)通，所以等價(jià)于絕緣層）

因?yàn)樾纬闪藴系溃珼極和S極就有電流了，在這回路中加一個(gè)電流表來檢測(cè)是否有電流

如果浮柵層里有電子的話，由于同性相斥，即使給柵極通電，電子也不會(huì)被吸引上來形成溝道

既然沒溝道的話，那就沒有回路，就檢測(cè)不到有電流

矩陣控制

NAND Flash閃存的讀寫單位是頁，擦寫單位是塊

可以看出兩個(gè)浮柵晶體管共用一個(gè)N溝道，連接的是同一塊襯底（因?yàn)橐r底都是同一塊，所以以塊為單位）

閃存剖視圖

閃存3D圖

■如何以塊為單位來讀寫？

當(dāng)要給某一個(gè)晶體管寫入邏輯0時(shí)，給該行較高的高電平（比如20V），給該列低電平（不形成回路，也就不阻礙電子流向浮柵層）

當(dāng)給某一個(gè)晶體管寫入邏輯1時(shí)，還是給該行較高的電平（比如20V），給該列高電平（形成回路，阻礙電子流向浮柵層）

總結(jié)