超聲換能器在許多領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用,例如醫(yī)學(xué)成像、無損檢測(cè)和目標(biāo)識(shí)別等。隨著MEMS技術(shù)的日益進(jìn)步,微機(jī)械超聲換能器(MUT)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。相比于傳統(tǒng)的塊體型超聲換能器,MUT展示出了許多優(yōu)勢(shì),如體積小、功耗低、可批量制造和一致性好等。其中,電容式微機(jī)械超聲換能器(CMUT)可以達(dá)到較高的機(jī)電耦合系數(shù),但是也需要較小的空氣間隔和較大的偏置電壓,制造難度較大。壓電式微機(jī)械超聲換能器(PMUT)則不需要偏置電壓也可以工作。目前廣泛應(yīng)用的壓電材料主要是鋯鈦酸鉛(PZT)和氮化鋁(AlN)。雖然AlN的壓電系數(shù)比PZT低,但是AlN的介電常數(shù)更小,這使得用AlN可以達(dá)到比PZT更高的性能。
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,為了獲得高性能的PMUT陣列,中北大學(xué)的研究人員設(shè)計(jì)了一種以AlN為壓電材料的PMUT陣列,并通過有限元分析和理論推導(dǎo)對(duì)其進(jìn)行了動(dòng)態(tài)性能分析。此外,研究人員利用安捷倫精密阻抗分析儀Aglient 4284測(cè)量了所加工的PMUT的阻抗曲線,推導(dǎo)出其機(jī)電耦合系數(shù)為1.6%。相關(guān)研究成果以“基于AlN的壓電MEMS超聲換能器陣列”為題發(fā)表在《傳感器與微系統(tǒng)》期刊上。
基于AlN壓電材料的PMUT工作原理
圖1為基于AlN壓電材料的PMUT的結(jié)構(gòu)示意圖,其由鉬(Mo)/AlN/Mo壓電層和刻蝕有空腔的絕緣體上硅(SOI)襯底組成。當(dāng)外加電場(chǎng)沿著z方向時(shí),壓電層在z方向拉伸,在x、y兩個(gè)方向收縮。當(dāng)電場(chǎng)為交變電場(chǎng)時(shí),壓電層將呈現(xiàn)周期性地拉伸與收縮,從而向環(huán)境發(fā)出超聲信號(hào)。
圖1 基于AlN壓電材料的PMUT結(jié)構(gòu)示意圖
基于AlN壓電材料的PMUT模態(tài)分析
模態(tài)分析可用于確定PMUT工作時(shí)的振動(dòng)特性。PMUT工作在諧振頻率下時(shí)會(huì)向周圍介質(zhì)發(fā)送超聲波。圖2為基于AlN壓電材料的PMUT的前四階諧振頻率的模態(tài)圖。從圖中可以看出,在一階模態(tài)下,基于AlN壓電材料的PMUT有著最大的振幅和最大的表面平均速度,因而可以實(shí)現(xiàn)更高的聲耦合。
圖2 基于AlN壓電材料的PMUT前四階模態(tài)示意圖
基于AlN壓電材料的PMUT一階諧振頻率
通常情況下,可以通過改變空腔的半徑和振動(dòng)薄膜的厚度來改變PMUT的諧振頻率,由于諧振頻率與空腔半徑的平方成反比,空腔半徑的變化對(duì)諧振頻率的影響更大,因此,一般可以通過改變空腔的半徑來使PMUT工作在所期望的頻率。
圖3 基于AlN壓電材料的PMUT一階諧振頻率的影響因素
基于AlN壓電材料的PMUT聲場(chǎng)傳播
圖4是在COMSOL中對(duì)PMUT施加幅值為1 V、頻率為0.2 MHz的激勵(lì)電源時(shí)的聲場(chǎng)傳播示意圖。
圖4 基于AlN壓電材料的PMUT聲場(chǎng)傳播示意圖
基于AlN壓電材料的PMUT應(yīng)力分析
圖5是在COMSOL中對(duì)PMUT施加幅值為1 V、頻率為0.2 MHz的激勵(lì)電源時(shí)壓電層中的應(yīng)力云圖。從圖中可以看出,在空腔半徑的70%處應(yīng)力的符號(hào)出現(xiàn)了反轉(zhuǎn),與理論計(jì)算結(jié)果一致。
圖5 電源激勵(lì)下AlN壓電層的應(yīng)力云圖
基于AlN壓電材料的PMUT形貌表征
經(jīng)過MEMS標(biāo)準(zhǔn)工藝加工后獲得的PMUT陣列在共聚焦顯微鏡下的觀測(cè)情況如圖6所示,其為4 × 4陣列,空腔半徑為50 μm,相比于單個(gè)PMUT陣元,陣列式的PMUT機(jī)電耦合系數(shù)會(huì)有效地增加。
圖6 共聚焦顯微鏡下基于AlN壓電材料的PMUT正面觀測(cè)圖
基于AlN壓電材料的PMUT阻抗曲線測(cè)試
研究人員用安捷倫精密阻抗分析儀Aglient 4284測(cè)試所加工的PMUT,獲得其阻抗-頻率曲線如圖7所示。
圖7 基于AlN壓電材料的PMUT阻抗曲線
機(jī)電耦合系數(shù)是用來表征換能器的電能與機(jī)械能轉(zhuǎn)化效率的一個(gè)重要參數(shù),可以從阻抗曲線計(jì)算得出。從圖7中可以得出,基于AlN壓電材料的PMUT反諧振頻率和諧振頻率分別為2.38 MHz和2.36 MHz,進(jìn)一步計(jì)算得到其機(jī)電耦合系數(shù)為1.6%。
綜上所述,該研究通過有限元仿真軟件COMSOL Multiphysics結(jié)合理論推導(dǎo),對(duì)所設(shè)計(jì)的基于AlN壓電材料的PMUT做了模態(tài)分析、諧振頻率分析和應(yīng)力分析,并優(yōu)化了上電極的半徑。此外,通過測(cè)量所加工的PMUT的阻抗曲線并計(jì)算出其機(jī)電耦合系數(shù)為1.6%,為后續(xù)PMUT的設(shè)計(jì)與應(yīng)用提供了一定的參考價(jià)值。
審核編輯:彭菁
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原文標(biāo)題:基于AlN壓電材料的高性能PMUT陣列
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