Nexperia與京瓷AVX合作為高頻電源應(yīng)用生產(chǎn)新型碳化硅(SiC)整流器模塊
Nexperia與KYOCERA AVX Components(薩爾茨堡)合作，為高頻電源應(yīng)用生產(chǎn)新型碳化硅(SiC)整流器模塊。新型功率器件專為工業(yè)電源、電動(dòng)汽車充電端子和車載充電器等應(yīng)用而設(shè)計(jì)。此次發(fā)布將進(jìn)一步深化兩家公司之間現(xiàn)有的長期合作伙伴關(guān)系。
下一代電源應(yīng)用的制造商必須優(yōu)先考慮最小化尺寸和重量。這種新型SiC整流器模塊的緊湊尺寸將有助于最大限度地提高功率密度，從而減少所需的電路板空間并降低整體系統(tǒng)成本。
通過頂部冷卻 (TSC) 和集成負(fù)溫度系數(shù) (NTC) 傳感器的組合來優(yōu)化熱性能，該傳感器可監(jiān)控設(shè)備溫度并為設(shè)備或系統(tǒng)級預(yù)測和診斷提供實(shí)時(shí)反饋。該整流器模塊可在高達(dá) 175°C 的結(jié)溫下工作，并采用低電感封裝，便于高頻操作。
Nexperia表示，此次合作將尖端的碳化硅半導(dǎo)體與最先進(jìn)的模塊封裝相結(jié)合，使公司能夠更好地滿足市場對功率密度極高的電力電子產(chǎn)品的需求。該整流器模塊的發(fā)布將是Nexperia和京瓷AVX設(shè)想的長期碳化硅合作伙伴關(guān)系的第一階段。
Nexperia預(yù)計(jì)新的SiC整流器模塊原型將于2024年第一季度上市。
審核編輯：彭菁
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
整流器
+關(guān)注
關(guān)注
28文章
1524瀏覽量
92348 -
高頻電源
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
21瀏覽量
14748 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
25文章
2691瀏覽量
48880 -
Nexperia
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
577瀏覽量
56847
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型
碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用
碳化硅（SiC）功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢。本
碳化硅功率器件的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢，逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，使得
使用碳化硅模塊的充電設(shè)備設(shè)計(jì)
碳化硅(SiC)功率模塊因其高效能和可靠性，正在迅速成為現(xiàn)代電力電子設(shè)備中不可或缺的組件。MPRA1C65-S61是一款先進(jìn)的SiC模塊，特
X-Fab與Soitec攜手推進(jìn)碳化硅功率器件生產(chǎn)
近日，純晶圓代工廠X-Fab與Soitec宣布將開展深度合作，共同推動(dòng)碳化硅（SiC）功率器件的生產(chǎn)。此次合作將依托X-Fab位于德克薩斯州
碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較
過去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件的功率模塊
Nexperia發(fā)布新款1200V碳化硅MOSFET
Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標(biāo)志著其在高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要突破。
碳化硅模塊（SiC模塊/MODULE）大電流下的驅(qū)動(dòng)器研究
由于碳化硅（SiC）MOSFET具有高頻、低損耗、高耐溫特性，在提升新能源汽車逆變器效率和功率密度方面具有巨大優(yōu)勢。對于SiC MOSFET功率模塊
發(fā)表于 05-14 09:57
SIC 碳化硅認(rèn)識
1：什么是碳化硅 碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成，其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了，它的特點(diǎn)是：化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系
碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV
圓盤的能量吸收范圍高達(dá) 122,290J，允許圓盤組件具有數(shù)十兆焦耳的極高能量吸收額定值。 電氣參數(shù) EAK碳化硅磁盤應(yīng)用來自雷電、電感或電容耦合的電源過電壓。開關(guān)帶感性負(fù)載的觸點(diǎn)。變壓器、電機(jī)
發(fā)表于 03-08 08:37
全球IGBT/碳化硅模塊生產(chǎn)廠商概覽
在全球范圍內(nèi)，有多家企業(yè)生產(chǎn)IGBT/碳化硅模塊，以下是一些知名的企業(yè)。
碳化硅特色工藝模塊簡介
碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)。由于這些優(yōu)異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而，由于
碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應(yīng)用
碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用
碳化硅的5大優(yōu)勢
碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論