精品国产人成在线_亚洲高清无码在线观看_国产在线视频国产永久2021_国产AV综合第一页一个的一区免费影院黑人_最近中文字幕MV高清在线视频

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

Bourns SiC SBD產品系列已經擴展到十個額外型號

科技綠洲 ? 來源:powerelectronicsnews ? 作者:powerelectronicsnews ? 2023-10-13 17:06 ? 次閱讀

額外的650和1200V SiC SBD型號滿足當今交通、可再生能源和工業系統的功率密度要求。

Bourns宣布,它在現有的碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)產品系列中增加了十種新的變體,該產品在650和1200伏的電壓下工作。Bourns?SiC SBD產品系列已經擴展到包括十個額外的型號,所有這些型號都是為了滿足最近的交通、可再生能源和工業應用對功率密度日益增長的需求而設計的。

在當今的高頻和高電流應用中,諸如峰值正向浪涌、低正向壓降、降低的熱阻和低功率損耗等特性是應用所尋求的能力。Bourns擴大的寬帶隙二極管產品組合提供了這些功能。這些特性也有助于設計者開發更緊湊、更高效、成本更先進的電力電子產品。

這10款新型號的電流范圍為5-10 A,并且沒有反向恢復電流來減少電磁干擾(EMI),使其成為DC-DC和AC-DC轉換器開關電源(SMPS)、太陽能逆變器電機驅動器和其他整流應用的理想功率轉換解決方案。正因為如此,它們能夠大幅減少能源損失,同時將效率、開關性能和可靠性提高到更高的水平。Bourns的新型SiC SBD型號除了具有出色的熱性能外,還提供各種正向電壓、電流和封裝配置。這些可能性包括TO220-2、TO247-3、TO252、TO263和TO247-2。

Bourns?BSD SiC SBD系列的所有十個新版本現已上市。這些版本符合RoHS標準,不包括任何鹵素或鉛,并且具有符合UL 94V-0標準要求的阻燃環氧灌封化合物。

審核編輯:彭菁

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 二極管
    +關注

    關注

    147

    文章

    9581

    瀏覽量

    165954
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    29

    文章

    2771

    瀏覽量

    62466
  • Bourns
    +關注

    關注

    1

    文章

    133

    瀏覽量

    52715
  • 可再生能源
    +關注

    關注

    1

    文章

    687

    瀏覽量

    39508
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    SiC MOSFET和SiC SBD的優勢

    下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD系列,進行詳細介紹
    的頭像 發表于 11-01 14:46 ?1857次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET和<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>SBD</b>的優勢

    Bourns 產品系列介紹

    附加值。Bourns 的消費性產品系列由微調電位器、面板控制裝置、芯片電阻器、旋轉式電位器、滑動電阻以及開關等組成。這些產品完全適用于各種不同的消費性產品,如煙霧警報器、動力工具、車庫
    發表于 08-23 15:29

    使用SiC-SBD的優勢

    應用,實際上已經在HV/EV/PHV的板上充電電路中采用并發揮著SiC-SBD的優勢。關鍵要點:?ROHMSiC-SBD已經發展第3代。?
    發表于 11-29 14:33

    SiC-SBD的特征以及與Si二極管的比較

    10倍的絕緣擊穿場強,所以不僅能保持實際應用特性且可耐高壓。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已經實現量產,1700V產品正在開發中。SiC-SBD和Si-PN結二極管通過
    發表于 11-29 14:35

    SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

    電流IF的VF特性圖。是從25℃200℃按8級別的溫度條件測量的數據。SiC-SBD隨著溫度的上升,IF開始流動,VF有些下降,但因電阻上升,斜率變緩和,在正常使用范圍的IF下,VF上升
    發表于 11-30 11:52

    SiC-SBD的發展歷程

    ,提前了解各產品的具體不同之處,有助于縮短設計時間。SiC-SBD的發展ROHM的SiC-SBD目前第2代是主流產品已經實現近50種機型的
    發表于 11-30 11:51

    在功率二極管中損耗最小的SiC-SBD

    ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC(碳化硅)材料的SBD(肖特基勢壘二極管)。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產,目前正在擴充第二代
    發表于 12-04 10:26

    SiC SBD的器件結構和特征

    1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD(肖特基勢壘二極管)結構得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現在主流
    發表于 03-14 06:20

    SiC-SBD大幅降低開關損耗

    )。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產,目前正在擴充第二代SIC-SBD產品陣容,并推動在包括車載在內的各種應用中的采用。SiC-SB
    發表于 03-27 06:20

    SiC SBD的正向特性

    1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD(肖特基勢壘二極管)結構得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現在主流
    發表于 04-22 06:20

    淺析SiC功率器件SiC SBD

    1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD(肖特基勢壘二極管)結構得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現在主流
    發表于 05-07 06:21

    羅姆SiC-SBD替代Si-PND/Si-FRD有什么優勢

    本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品,并探討SiC-SBD的優勢。ROHM的SiC-SBD已經
    發表于 07-10 04:20

    【轉帖】華潤微碳化硅/SiC SBD的優勢及其在Boost PFC中的應用

    ,有助于滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。 二、 SiC的性能優勢 1、SiC SBD可將耐壓提高3.3kV,極大
    發表于 10-07 10:12

    蘋果服務業務將擴展十個新市場

    據路透社報道,蘋果于當地時間周二宣布,將把蘋果應用商店、蘋果音樂和其他服務擴展到非洲、中東和其他地區的幾十個新市場。
    的頭像 發表于 04-21 16:29 ?2110次閱讀

    SiC-SBDSiC-SBD的發展歷程

    為了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二極管為比較對象,對特性進行了說明。其中,也談到SiC-SBD本身也發展第2代,性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產品的,所以在此匯總一下
    發表于 02-22 09:19 ?626次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC-SBD</b>和<b class='flag-5'>SiC-SBD</b>的發展歷程