Toshiba推出適用于半導(dǎo)體測試儀高頻信號(hào)開關(guān)的小型光繼電器

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了"TLP3475W"。這款光繼電器采用小巧輕薄的WSON4封裝，可降低插入損耗并抑制高頻信號(hào)[1] 的功率衰減，適用于使用大量繼電器并需要高速信號(hào)的半導(dǎo)體測試儀引腳電子裝置。該產(chǎn)品即日起開始批量發(fā)貨。

Toshiba的優(yōu)化封裝設(shè)計(jì)減少了新款光繼電器中的寄生電容和電感。這降低了插入損耗，將高頻信號(hào)的傳輸特性提高到20GHz（典型值） [2]，比Toshiba當(dāng)前產(chǎn)品TLP3475S低約1.5倍[2]。

TLP3475W采用小巧輕薄的WSON4封裝，厚度僅為0.8毫米（典型值），使其成為業(yè)內(nèi)最小的 [3]光繼電器，從而實(shí)現(xiàn)了更好的高頻信號(hào)傳輸特性。與Toshiba的超小型S-VSON4T封裝相比，它的高度降低了40%，從而可以在同一電路板上安裝更多產(chǎn)品，并有助于提高測量效率。

Toshiba將繼續(xù)擴(kuò)大其產(chǎn)品陣容，以支持速度更快、功能更多的半導(dǎo)體測試儀。

應(yīng)用

半導(dǎo)體測試儀（高速存儲(chǔ)器測試儀、高速邏輯測試儀等）

探針卡

測量設(shè)備

特性

業(yè)界最小的[3]WSON4封裝：1.45mm×2.0mm（典型值），t=0.8mm（典型值）

改善高頻信號(hào)通過特性：f=20GHz（典型值）@插入損耗(S21) = -3dB

常開功能(1-Form-A)

備注：

[1] 當(dāng)頻帶在幾百兆赫至幾十兆赫范圍內(nèi)時(shí)。
[2] 信號(hào)通過輸出MOSFET時(shí)，信號(hào)功率衰減比（插入損耗）為-3dB的頻段。
[3] 針對(duì)光繼電器。截至2023年10月的Toshiba調(diào)查。

主要規(guī)格

（除非另有說明，否則Ta = 25°C）
部件編號(hào)				TLP3475W
封裝	名稱			WSON4
	尺寸（毫米）			1.45×2.0（典型值），t=0.8（典型值）
絕對(duì)最大額定值	關(guān)斷狀態(tài)輸出端電壓VOFF (V)			60
	導(dǎo)通電流ION (A)			0.4
	導(dǎo)通電流（脈沖）IONP (A)			1.2
	工作溫度Topr (°C)			-40至110
耦合電氣特性	觸發(fā)LED 電流IFT (mA)		最大值	3.0
	導(dǎo)通電阻RON (Ω)		典型值	1.1
			最大值	1.5
電氣特性	輸出電容COFF (pF)		最大值	20
開關(guān)特性	導(dǎo)通時(shí)間tON（毫秒）	@RL = 200Ω, VDD = 20V, IF = 5mA	最大值	0.25
	關(guān)斷時(shí)間tOFF（毫秒）			0.2
隔離特性	隔離電壓BVS (Vrms)		最小值	300

審核編輯：湯梓紅

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