1、對于一個mos管，哪些屬于設計可控參數？哪些屬于工藝參數？

設計可控參數：溝道的長度和寬度

工藝參數：氧化層厚度、襯底摻雜濃度

2、什么是標準CMOS工藝？什么是深N阱工藝它們分別有什么特點？

標準CMOS工藝：就是在同一塊襯底上集成NMOS和PMOS,比如在一塊p襯底可以先做一個nmos然后再做一個N阱，再在N阱中摻入p+區形成PMOS，如下圖所示：

問題：NMOS的襯底和PMOS的襯底可以分別接不同電位嗎？

答：對于NMOS而言，所有襯底都接在一起，一般接地，對于PMOS而言，由于N阱可以隔離，故PMOS的襯底可以接不同電位。

深N阱工藝：就是在p襯底上，通過摻雜形成一個深N然后再形成一個P阱，制作NMOS，可以實現器件隔離的作用，同時提高了電路的性能，缺點是電路面積增大、費用較高。

3、NMOS和PMOS管的符號表示，電流方向？

對于NMOS：電流由D流向S

對于PMOS：電流由S流向D

4、MOS管的應用有哪些？

（1）MOS管可以作為開管使用。

（2）MOS管可以作為一個壓控電流源使用（VCCS）

5、BJT可不可以作為開關使用？為什么？

答：BJT作為開管效果不好，因為存在b流向e的電流，不如mos管，mos管的柵極為一個電容，無電流流過。

6、MOS管的閾值電壓受哪些因素影響？

7、MOS管的Vth是一個固定值嗎？

答：對于給定溫度下的Vth可以近似看作一個恒定值，但是對于高精度要求的情況下，Vth并不是一個可靠的數值。

8、怎樣理解MOS管的截止區、深線性區、線性區（三極管區）、飽和區？

截止區：是對于而言的，對于S端接地，可以看作當,若S端不是0電位，則為。

深線性區：是對于而言的，此時默認，有,深線性區可以看作一個壓控電阻。

線性區：又稱三極管區，也是對而言的，有Vds≤Vgs-Vth

飽和區：也是對而言的，若，則稱此時，MOS管進入飽和區。

9、MOS管在各個區的I/V關系如何？

答：

在截止區：

（1）在三極管區：

（2）在深線性區：

（3）對于長溝道器件而言，在飽和區：

10、什么是過驅動電壓？

答：

注意不同對應著不同的過驅動電壓，并不是定值。

11、怎么理解、、？

就是一個純交流小信號，而則是相當于偏置電流，為一個直流信號，則是在一個直流上駝伏一個小的交流信號。

12、怎么理解“小信號”？

13、推導跨導公式，并解釋其物理意義

注意：此處可以看出，為交流小信號的放大倍數。反應了柵壓對溝道電流的控制能力。

的計算公式如下：

注：、、、為四個變量。

14、怎么理解交流小信號模型？分別畫出NMOS和PMOS的小信號等效模型

答：交流小信號模型，將電路中的直流源看作接地，此時的輸入為純交流

對于NMOS而言：

對于PMOS而言：

15、怎么理解體效應（背柵效應）？

對于NMOS而言，體效應就是S源端與襯底B的電位不一致。而引起的閾值電壓的改變。

16、什么是體效應系數？體效應系數由什么決定？

為體效應系數，對于NMOS為正、對于PMOS為負。由工藝決定，單位為.

17、畫出考慮體效應的MOS等效小信號模型

18、什么是溝道長度調制效應？

短溝道器件比較明顯，當器件進入飽和區時，溝道產生夾斷，有效溝道長度發生改變，會導致溝道電阻減小，溝道電流增加。

19、什么是溝道長度調制系數？溝道長度調制系數由什么決定？越大越好還是越小越好？

溝道長度調制系數由工藝和設計同時影響。越小越好，溝道效應越不明顯。

20、畫出考慮溝道長度調制效應的MOS小信號等效模型

溝道長度調制效應可以等效為一個輸出電阻的作用。其表達式可以寫為：

21、解釋亞閾值導通，并說明其特性。

理想情況下，當時，，但是實際情況并非如此，在亞閾值區，也會存在一定的電流。

在亞閾值區，當Vds≥100mV時，看作飽和，電流與呈指數關系。

亞閾值區的特點：（1）功耗低（2）噪聲大（3）速度慢