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TTL與BJT的基礎知識

CHANBAEK ? 來源: 尋隱在線 ? 作者:playwfd ? 2023-10-21 11:01 ? 次閱讀

教科書上面在講述TTL工作原理時候,運用到了BJT雙極性三極管的基礎知識,比如:倒置,鉗位,深飽和,飽和壓降。這些基礎知識在教材上并沒有特別明晰的說明。這里對此做了一些自己的思考和整理,歡迎指正。

TTL工作原理

一般來說,下面推導成立的條件是,電路中的電阻需要選擇合適的值。

當ABC有一個為低電平時候

假設B輸入為0.3V,推導過程如下1-8:

  1. 輸入0.3V,其中T1一個發射極導通
  2. T1基極鉗位在1.0V
  3. T1處于深飽和(Uces=0),集電極電壓為0.3V
  4. T2截止(0.3V不足以支撐T2/T5導通),T2基極電流很小
  5. T5截止
  6. T2截止,T2集電極電流很小,相當于斷開。T3基極電壓5V
  7. T3基極到發射極導通,壓降0.7V,T4基極電壓4.7V
  8. T4基極到發射極導通,壓降0.7V,T4發射極電壓3.6V,輸出3.6V

當ABC全部為高的時候

當ABC輸入都為高電平3.6V的時候,推導過程如下1-8:

  1. T1發射極輸入3.6V,而T1基極最大電壓2.1V
    1. 如果大于2.1V,T2/T5會導通,這樣反推回來,T1會被鉗位在2.1V
    2. 參考下面3/4/5/6步
  2. T1工作在倒置狀態
  3. T5導通,基極電壓0.7V
  4. T2導通,基極電壓1.4V
  5. T1基極電壓鉗位在2.1V,T1倒置
  6. T2飽和狀態,飽和壓降0.3V,T3基極電壓1.0V
  7. T3飽和狀態,發射極電壓0.3V
  8. T4截至,對輸出不起作用,輸出Y等于T5發射極電壓,即飽和壓降0.3V

圖片

BJT的倒置狀態

教科書上說:BJT的發射極與集電極不能交換使用,這是因為BJT并非對稱結構。

正常工作在放大狀態的時候,發射極導通,集電極反偏,因為發射極摻雜濃度高,大量高濃度電子擴散到基極,集電極反偏后,PN結內電場加大,而基區很薄,里面大量電子將很容易在電場吸引力下漂移到集電極,形成較大的集電極電流:

圖片

倒置時基極到集電極正常導通,由于三極管集電區摻雜濃度不高,擴散的基區自由電子少,同時由于發射極面積小,最終發射極反偏電場只會收集很少量的從基區漂移過來的自由電子,形成的電流很小,處于截至狀態。

圖片

這里并沒有放大能力,集電極電流應該約等于基極電流。這種情況就當作普通兩個二極管如下連接:

圖片

三極管基極鉗位電壓

上面分析TTL的時候,鉗位的概念就是說這個基極到發射極壓降UBE是固定值0.7V。在教材里面,會有BJT的輸入特性曲線,這里看到,UBE可以在在一定范圍內:

圖片

這個特性曲線里面并沒有標出具體的數值,下面的一個圖是通過實驗數據畫出的曲線,可以看到導通電壓雖然在一定范圍,但是這個范圍變化很小,所以在上面分析的時候采用了固定的值,這也是PN結本身的物理特性:

圖片

在BJT的大信號特性方程——EbersMoll方程里面:

圖片

可以看到是集電極電流是UBE的函數,那么我們一會把UBE鉗位在0.7V,一會又要求它是一個函數的輸入變量,這里還是要對使用場合加以思考和區分。

另外雖然上面的方程是UBE作為變量,但是在BJT的輸出特性曲線里面,我們看到的往往是IB作為變量,可能主要還是說明BJT是一個“電流控制元件吧”,但本質還是UBE的改動引起IB的改動。

圖片

BJT的飽和狀態

飽和的意思是基極電流的增加不再引起集電極電流的增加(飽和了,到頭了),或者說IC不再受IB的控制,或者說放大不起作用了。

這一層的意思是IB增加到一個值,就進入飽和狀態。而從輸出特性曲線來看,是UCE減少到一個值,就進入飽和狀態。

飽和是BJT的物理狀態,上面的兩種表述應該是相關的,看出來好像是IB增加到一個值的時候,UCE也減少到一個值。

可以用下面的圖來進一步理解:

圖片

可以看到UCE應該是IB的減函數,另外還能看到,飽和區是和負載相關的,負載越大,進入飽和區越快,因為UCE減小越快。注意在飽和區放大系數不成立了,從而也不能用圖里面的公式計算UCE了。

結合特性曲線,如下面箭頭所示。可以猜測,從放大到飽和,伴隨著IB增大,UCE減少,然后iC剛開始還是增大的,當進入飽和區后,iC不再增長,甚至會減少。

圖片

從載流子的分析來看,因為IB增大,發射極更多的自由電子進入基極,但是UCE減少后,PN結電場強度減弱,吸引基極自由電子漂移能力減弱,從而集電極電流不會一直增加,會到一個飽和狀態。

在上面電路中,IB可以通過調節Rb或VBB改變。我們可以調節使得VT從飽和區進到放大區,或者從放大區進到飽和區。從放大區進到飽和區符合上面飽和的本來意思,即不能繼續放大。

比如我們通過調節讓UCE逐漸變小:情況1->4,這對應到輸出特性曲線從右往左:

圖片

這個里面,1是集電極反偏,仍然對IB電流放大,在進到2的時候,集電極剛好正偏,開始進入飽和區,屬于臨界區,3是處于飽和區。3的情況再進一步增大IB,就進入深度飽和,比如4的情況,這個時候Ic也急劇下降。

當集電結剛正偏時,iC并未立刻明顯下降,而是當集電結正偏電壓達到一定值(對于小功率管,該值約為0.3 V)時,iC才明顯下降。此時,各條輸出特性曲線近似重合在一起。UCES代表飽和區的壓降,稱為飽和壓降。在TTL分析中用到的一個值,取為0.3V。

在大信號分析中,飽和狀態直接短路連接了,因為0.3/0.7的壓降忽略不計。注意區別:

圖片

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