三星電子昨天在歐洲三星代工論壇上發表了歐洲半導體產業匹配型事業戰略和產品發展藍圖。三星表示,將加強歐洲汽車客戶在特殊工藝方面的參與和合作,進一步鞏固其業界最高委托制造合作伙伴的地位。
三星在會上表示,作為新一代汽車技術,正在首次開發5nm eMRAM。三星計劃到2024年為止,用14納米工程增加mbram產品有價證券組合,2年后升級為8納米制程。
三星電子還發表了“先進工藝路線圖”,即,到2026年為止,完成汽車應用2納米工程的量產準備。另外,三星計劃到2025年將目前的130納米汽車bcd工程擴大到90納米,并計劃到2025年為止,在130納米bcd工程上適用120v。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
半導體產業
+關注
關注
6文章
509瀏覽量
34307 -
eMRAM
+關注
關注
0文章
8瀏覽量
2188 -
三星
+關注
關注
1文章
1503瀏覽量
31125
發布評論請先 登錄
相關推薦
三星發布業界首款24Gb GDDR7 DRAM
近日,存儲芯片巨頭三星電子宣布了一項重大突破:成功開發出業界首款24Gb GDDR7 DRAM。這款新品不僅在容量上達到了
三星首推第八代V-NAND車載SSD,引領汽車存儲新紀元
三星電子在車載存儲技術領域邁出了重要一步,正式宣布成功研發出業界首款基于其先進第八代V-NAND技術的PCIe 4.0車載SSD——AM9C
三星將為DeepX量產5nm AI芯片DX-M1
人工智能半導體領域的創新者DeepX宣布,其第一代AI芯片DX-M1即將進入量產階段。這一里程碑式的進展得益于與三星電子代工設計公司Gaonchips的緊密合作。雙方已正式簽署量產合同,標志著DeepX的5nm芯片DX-M1將大
三星開始量產其最薄LPDDR5X內存產品,助力端側AI應用
深圳2024年8月6日?/美通社/ -- 2024年8月6日,三星電子今日宣布其業內最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM(內存
三星首款3nm可穿戴設備芯片Exynos W1000發布
在科技日新月異的今天,三星再次以其卓越的創新能力震撼業界,于7月3日正式揭曉了其首款采用頂尖3nm GAA(Gate-All-Around)先進工藝制程的可穿戴設備系統
三星與新思科技攜手,備戰2nm工藝量產
在全球半導體行業邁向更高精度和更小尺寸的征途上,三星與新思科技近日宣布了一項重要的合作。這一合作旨在確保三星的2nm制造工藝能夠順利實現量產,并在市場中占據領先地位。
傳三星電子12nm級DRAM內存良率不足五成
近日,據韓國媒體報道,三星在其1b nm(即12nm級)DRAM內存生產過程中遇到了良率不足的挑戰。目前,該制程的良率仍低于業界一般目標的8
三星電子正按計劃推進eMRAM內存制程升級
三星電子在昨日舉行的韓國“AI-PIM 研討會”上宣布,其正按計劃穩步進行eMRAM(嵌入式磁性隨機存取內存)的制程升級工作。據悉,目前8nm eM
三星推出專為人工智能應用優化的10.7Gbps LPDDR5X DRAM
近日,三星宣布已開發出其首款支持高達10.7吉比特每秒(Gbps)的LPDDR5X DRAM。
三星發布中端市場Exynos 1480芯片,業界首款基于Arm v9架構
相較于去年采用5nm制程的Exynos 1380,Exynos 1480升級至三星自研的4nm(4LPP+)制程技術。新芯片包含四顆ARM Cortex-A78 CPU核心,主頻高達2
三星Galaxy M35 5G新機現身GeekBench,搭載Exynos 1380芯片
這款旗艦級智能手機將采用三星自行研發的Exynos 1380處理器,高標準精心打造,采用先進的5nm制程工藝,突出表現力強的Cortex A78內核共有四核心,分別運行頻率高達2.4GHz;
臺積電擴增3nm產能,部分5nm產能轉向該節點
目前,蘋果、高通、聯發科等世界知名廠商已與臺積電能達成緊密合作,預示臺積電將繼續增加 5nm產能至該節點以滿足客戶需求,這標志著其在3nm制程領域已經超越競爭對手三星及英特爾。
三星電子發布業界最大容量HBM
三星電子近日宣布,公司成功研發并發布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產品在帶寬和容量上均實現了顯著的提升,這也意味著三星已
三星電子宣布擴大與Arm合作
三星電子旗下芯片代工部門與全球知名的半導體技術公司Arm宣布了一項重要合作。雙方將共同努力,針對三星的Gate-All-Around(GAA)工藝,共同開發并優化下一代的Cortex-
三星泰勒市新晶圓廠量產推遲至2025年
早在2022年5月,三星就表達了在美國得克薩斯州泰勒市建芯片代工廠的意愿,初始投資設定為170億美元,后追加至250億美元。該工廠將配備極紫外光刻機,瞄準5nm制程芯片生產;而如今在奧斯汀的三
評論