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美光科技DRAM和通用閃存3.1嵌入式解決方案通過高通平臺認證

科技綠洲 ? 來源:electronicproducts ? 作者:electronicproducts ? 2023-10-27 16:28 ? 次閱讀

美光的低功耗內存解決方案為驍龍XR2 Gen 2平臺上的元宇宙應用提供高速和高能效。

美光科技宣布,其低功耗雙倍數據速率5X(LPDDR5X)DRAM和通用閃存(UFS)3.1嵌入式解決方案在高通技術公司最新的擴展現實(XR)平臺Snapdragon XR2 Gen 2平臺上通過認證。這些低功耗內存解決方案以混合現實 (MR) 和虛擬現實 (VR) 設備所需的小尺寸提供高速和低功耗。

美光表示,新的內存解決方案可實現跨多個應用程序和傳感器的并發處理,在元宇宙中集成不斷變化的存在、位置和感官感知,以獲得逼真的沉浸式體驗。

LPDDR5X DRAM可以實現高達8.533 Gbits/s的速度,并向后兼容6.4 Gbits/s的LPDDR5速度。UFS 3.1 客戶端存儲是首款由美光 176 層 NAND 提供支持的 UFS,具有高存儲密度,占用空間受限的設備占用空間很小。

與Meta合作開發的Snapdragon XR2 Gen 2處理器在Meta Quest 3上進行了商業首次亮相。驍龍XR2 Gen 2平臺專為更高水平的MR和VR體驗而設計,采用單芯片架構,無需外部電池即可實現更薄的耳機。

該平臺包括升級的ISP和全彩色,超快的12毫秒視頻透視延遲,可在現實世界和虛擬世界之間平滑過渡。其他功能包括高通的Adreno GPU,GPU性能提高了2.5×,支持高達3k×3k顯示器,8×高性能AI,支持10個并發攝像頭和專用XR加速塊。

美光LPDDR5X被譽為該公司最先進的低功耗內存,由于其1-alpha工藝節點技術和JEDEC功率進步,包括速度擴展,通過TX / RX均衡改進信號完整性以及由于新的自適應刷新管理功能而提高的可靠性,因此可提供更高的電源效率。

與前幾代產品相比,該LPDDR5X的電源效率提高了 24%,非常適合不受束縛的 MR 和 VR 頭戴式設備,從而延長了兩次充電之間的電池壽命。美光表示:“在 8.533 Gbits/s 的峰值數據速率下,美光的LPDDR5X使元宇宙應用程序的數據訪問速度提高了 33%,從而縮短了響應時間。

符合驍龍平臺標準的 128 GB UFS 3.1 和 8 GB LPDDR5X設備現已上市。

審核編輯:彭菁

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