我們平時在選型 TVS 二極管的時候會遇到一個寄生電容的參數(shù)，這個參數(shù)在一些通信類的接口中使用時，往往限制我們對于 TVS 二極管的選型。

并且這個寄生電容的大小也隨著 TVS 二極管的功率的大小呈正相關(guān)性。

首先，二極管的電容效應(yīng)包括勢壘電容CB和擴散電容CD兩個部分。

勢壘電容CB（Cr）

在 PN 結(jié)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)中，PN結(jié)空間內(nèi)缺少導(dǎo)電的載流子，其電導(dǎo)率很低，因此相當(dāng)于介質(zhì)。

而PN結(jié)兩側(cè)的P區(qū)和N區(qū)，P區(qū)空穴多，N區(qū)電子多，因為擴散，會在中間形成內(nèi)建電場區(qū)。N區(qū)那邊失去電子帶正電荷，P區(qū)那邊得到電子帶負(fù)電荷。

由于N 區(qū)和 P區(qū)積累了電子和空穴，其導(dǎo)電率很高，相當(dāng)于金屬導(dǎo)體。從這一結(jié)構(gòu)來看，PN結(jié)等效于一個兩個極板的電容器。

當(dāng)PN結(jié)兩端加正向電壓時，PN 結(jié)導(dǎo)通，促進了電流的形成，PN結(jié)區(qū)域變窄，結(jié)中空間電荷量減少，相當(dāng)于電容“放電”。

當(dāng)PN結(jié)兩端加反向電壓時， PN 結(jié)截止，PN結(jié)變寬，結(jié)中空間電荷量增多，相當(dāng)于電容“充電”。

這種現(xiàn)象可以用一個電容來模擬，我們稱之為勢壘電容。

這個勢壘電容的大小可以理論的計算一下：

當(dāng)外加電壓有△U 的變化時，電荷有△Q 的變化，假設(shè)兩邊的距離為 Xd 時。勢壘電容為：

利用勢壘電容和電壓的關(guān)系設(shè)計變?nèi)荻O管

勢壘電容與普通電容不同之處，在于它的電容量并非常數(shù)，而是與外加電壓有關(guān)。當(dāng)外加反向電壓增大時，勢壘電容減小；反向電壓減小時，勢壘電容增大，如下圖的特性曲線。

目前廣泛應(yīng)用的變?nèi)荻O管，就是利用PN結(jié)電容隨外加電壓變化的特性制成的。