美格納推出第六代 600V 超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管

美格納半導體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SJ MOSFET)。

這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用 180nm 微納加工工藝和美格納的最新設計技術制造。這項先進的技術通過將電池間距降低 50% 和導通電阻 RDS(on) 降低 42%，增強了之前的 SJ MOSFET 迭代。因此，該產品采用相同的十瓦封裝 (DPAK)，同時提供 175mΩ 的低 RDS(on) 和出色的功率密度。

此外，與上一次迭代相比，總柵極電荷減少了約29%，從而降低了開關損耗并提高了電源效率。事實上，該產品的電源效率是其最重要的特性之一，因為它為產品設計人員提供了各種應用的靈活性。此外，在柵極和源極之間嵌入了齊納二極管，以增強MOSFET在應用中的魯棒性和可靠性，并保護其免受外部浪涌和靜電放電的影響。

這款新型600V SJ MOSFET具有高效率、靈活設計和可靠性，可用于各種應用，包括服務器、OLED電視和筆記本電腦快速充電器。全球市場研究公司 Omdia 預測，2023 年至 2027 年間，全球服務器出貨量將以每年 8% 的速度增長，而全球 OLED 電視出貨量將以每年 11% 的速度增長，到 2027 年將達到 930 萬臺。

據美格納稱，該公司計劃在 2024 年發布更多第 6 代 SJ MOSFET，包括帶有快速恢復體二極管的 MOSFET。

審核編輯：彭菁

聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。舉報投訴