三安光電：營收101.56億元，穩步成長

第三季度，三安光電實現營收36.86億元，同比增長13.43%；歸母凈利潤264.36萬元，同比下降95.19%；前三季度，公司實現營收101.56億元，同比增長1.43%；歸母凈利潤為1.73億元，同比下降82.51%。

三安光電表示，第三季度隨著市場行情的逐步好轉，公司LED芯片銷售量較上年同期增加，雖部分芯片售價環比有所回升，但整體售價較上年同期有較大幅度下降。另外，公司設備稼動率逐步恢復中，部分產品生產成本上升；高端產品占比有所改善，但尚未達到預期，因此導致公司營業成本同比上升。

三安光電收入來源于LED業務、集成電路業務兩大板塊。集成電路業務涵蓋射頻前端、光技術、電力電子等三大應用領域，今年上半年各細分業務實現穩步成長，共實現銷售收入15.22億元，同比增長4.14%。毛利率方面，得益于SiC產能的持續釋放，成本降低，SiC業務毛利率有所提高，疊加GaAs射頻和GaN射頻業務的推進，三安光電集成電路整體毛利率增長了7.75%。

值得注意的是，在業務整合上，三安光電宣布對射頻類、光芯片類業務進行了整合，轉讓相關子公司股權，進一步明確了公司射頻業務、光芯片業務、SiC/GaN電力電子業務、LED芯片業務的發展方向。

基于對三安光電未來穩健發展的信心，三安光電于8月獲得間接控股股東三安集團及其一致行動人增持股份，合計增持金額5,000萬至1億元，增持計劃于9月19日實施完成。增持完成后，三安集團和三安電子合計對三安光電的持股比例上升至29.338%。10月23日，三安光電宣布，三安集團及其一致行動人擬再次以自有資金通過集中競價交易方式增持三安光電股份，增持金額為人民幣5,000萬元至1億元。

華潤微：營收達75.30億元，投資未來

10月27日晚，華潤微公布2023年第三季度報告。報告顯示，今年前三季度公司營收75.30億元，凈利潤10.56億元；第三季度營收25億元，同比增長0.57%，凈利潤2.78億元。

華潤微本年前三季度研發投入達8.69億元，同比增長40.22%。華潤微表示，公司今年的資金主要用于加大研發投入、推進深圳12吋線和封測基地的業務展開。

今年年初，位于西部（重慶）科學城西永微電園的華潤微電子重慶園區內，每個月都有約6.5萬片8吋晶圓下線。該產業園區內的12吋晶圓產線預估將形成每月3萬-3.5萬片12吋晶圓產能，并配套12吋外延及薄片工藝能力。

此外，華潤微今年全力以赴推進深圳12吋特色工藝集成電路生產線工程建設，該項目預計2024年年底實現通線投產，滿產后將形成年產48萬片12吋功率芯片的生產能力。

據悉，該項目總投資規模約220億元，聚焦40納米以上模擬特色工藝，項目規劃總產能4萬片/月，產品主要應用于汽車電子、新能源、工業控制、消費電子等領域。

近期國內外的不少半導體企業都表示，今年下半年半導體市場下行周期或將到達谷底，行業即將迎來復蘇的曙光。華潤微通過自身的超前布局，持續加大研發投入和業務開拓力度，為后續即將上升的市場需求做準備。

天岳先進：營收增長206.06%，拐點已至

10月27日晚，天岳先進披露三季報。2023年前三季度公司實現營收8.25億元，同比增長206.06%，超出了此前的預期。

公司第三季營收3.87億元，同比增長255.89%，凈利潤380萬元，實現了扭虧為盈。

在經濟不景氣的大環境下，天岳先進為了一改此前虧損的狀態，努力調整自身業務結構。今年，天岳先進除了加快推進上海臨港碳化硅半導體材料項目的建設外，還將濟南工廠的部分半絕緣產能調整為6英寸導電襯底，并在去年就實現導電型襯底的批量供貨，產能結構優化取得成效。

根據TrendForce集邦咨詢新推出的《2023中國SiC功率半導體市場分析報告》顯示，從產業結構來看，中國的SiC功率半導體產值以功率元件業（包含Fabless、IDM以及Foundry）占比最高，達42.4%，接續為襯底片制造業及外延片制造業。

TrendForce集邦咨詢預估2023年中國N-Type SiC襯底產能（折合6英寸）可達1020Kpcs。

此前消息，上海臨港新工廠已于今年5月開始交付6英寸SiC導電型襯底，目前產能和產量均在持續爬坡中。按照規劃，該工廠將年產30萬片6英寸導電型SiC襯底，原計劃2026年投產，但按照目前的進展來看，天岳先進預計將提前實現達產。

在此基礎上，天岳先進已決定通過優化生產工藝、調整生產設備、原輔材料和公輔環保設施等方式，提高產品質量和產量，借此將6英寸SiC襯底的生產規模擴大至96萬片/年，相當于產能比原計劃顯著擴大220%。

今年天岳先進前三季研發投入8730萬，同比增長41.15%。通過與國內外企業簽訂長期合作協議，天岳先進通過快速擴大銷售規模的方式，減緩大幅增長的研發投入所帶來的資金壓力。

面對火熱的SiC市場，天岳先進重視自主自研，積累技術優勢。去年實現了自主擴徑制備高品質8英寸襯底，現已具備量產能力。今年，天岳先進通過液相法制備出了低缺陷密度的8英寸晶體，據稱屬于行業首創。

可以看到，通過逐步提升SiC襯底產能,擴大自身技術優勢，今年第三季度的營收數據表明天岳先進營收拐點已到來。