有報道稱，三星集團計劃向半導體設備領域投資10萬億韓元，并大量采購ASML的EUV***。據(jù)韓國今日電子新聞報道，三星計劃增加進口ASML極紫外（EUV）光刻設備的數(shù)量。因為保密條款的存在，盡管具體細節(jié)未能披露，但根據(jù)證券市場消息，據(jù)稱該協(xié)議將使ASML在五年內(nèi)提供50套設備，每套設備的單價約為2000億韓元，總價值高達10萬億韓元（當前約551億元人民幣）。

目前還不清楚該合同中的產(chǎn)品是現(xiàn)有的EUV光刻設備還是下一代“HighNAEUV”光刻設備。然而，目前EUV光刻設備的最大問題是產(chǎn)量有限。根據(jù)官方介紹，它的復雜程度甚至超過衛(wèi)星零部件們是三星電子、臺積電、英特爾、SK海力士和美光。其中，臺積電約占供應量的70%，剩下的30%由其他四家公司爭奪。

去年6月，三星電子推出了全球首個使用全柵極（GAA）技術的3納米代工技術。由此以來，該公司一直在努力采購更多的EUV光刻設備，計劃在明年上半年進入3納米世代的第二代工藝，并于2025年進入2納米工藝，最終在2027年進入1.4納米工藝。

為了落地這個計劃，去年6月，李在镕董事長訪問了ASML總部，與首席執(zhí)行官PeterBennink討論了EUV采購問題。隨后，在去年11月訪問韓國期間，他與Bennink進行了進一步的會談。考慮到EUV設備的交付周期至少需要一年（從下單到收貨），這些會議似乎確實取得了實際的成果。

事實上，就三星電子增加購買EUV光刻設備的計劃而言，半導體領域的分析師也持有積極的態(tài)度。來自祥明大學的半導體工程教授表示：“三星已引進數(shù)十臺EUV光刻設備，據(jù)稱每一臺的成本大約為2000億韓元，這表明該公司計劃擴大3納米芯片的量產(chǎn)，并在未來推進2納米計劃。”

在此之前，三星電子表示計劃在2025年之前擁有100臺EUV***。根據(jù)市場預測，目前三星擁有大約40臺EUV設備。如果這批50臺設備能夠按時交付，那么到2028年，三星將能夠擁有約100臺EUV設備。

荷蘭應用科學研究所（TNO）的韓國代表Byung-hoonPark解釋道：“通常情況下，半導體工藝會將每臺機器的10%用于工藝研發(fā)和測試。因此，如果有100臺機器的話，那就意味著它們可以全天候地用于研發(fā)。”他指出，通過這種方式，我們可以保證擁有足夠的工藝能力來正確使用設備。他補充道，預計這種方法可以減少工藝過程中所需的時間和成本，并提高產(chǎn)量。

金陽邦（KimYang-pang）是工業(yè)研究所的專家研究員，他表示：“只有在擁有大量EUV設備并穩(wěn)定運行的情況下，我們才能增加生產(chǎn)量，并在代工方面取得進展。”