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看好明年NAND Flash需求回升!捕捉大數據時代商機 西部數據展示創新存儲產品

章鷹觀察 ? 來源:電子發燒友原創 ? 作者:章鷹 ? 2023-11-20 09:07 ? 次閱讀

11月8日,在TrendForce集邦咨詢以及旗下全球半導體觀察主辦的“MTS2024存儲產業趨勢研討會”上,來自西部數據的產品營銷總監張丹分享了《重拾市場信心,存儲產業邁向良性增長》的演講。

NAND Flash即將走出拐點,2024年有望進入新一輪增長

西部數據的產品營銷總監張丹女士表示:“存儲行業是具有較強周期性和宏觀性的行業,它在不斷地循環。存儲行業的良性循環周期從新技術開始,到成本產能、價格、新市場、投資,最終再次回到新技術。2023年之后,NAND Flash即將渡過低谷期,步入復蘇增長階段,有望在明年進入新一輪的增長?!?/p>

IDC報告顯示,大數據時代加速到來,2023年正在增長的數據量將達到123ZB,其中將催生8ZB的數據存儲需求,只占據6.5%的份額。“NAND Flash目前只占比較小部分,可以想象已經被存儲下來的8ZB數據的體量有多么宏大,只要持續在存儲行業進行優化和創新,廣闊天地大有作為?!?張丹分析說。

兩大需求驅動數據量增長。張丹指出,隨著大量的AI技術成熟,尤其是今年生成式AI技術的賦能,預計在未來的2-3年生成式AI會進入很多行業進行試用,數據生成數據本身也會加速數據的增長。此外,在細分領域下,我們發現以邊云一體的場景下數據增長速度要快于終端數據增長的速度。

大量的數據增長需要大量的存儲讓數據落地。根據Gartner報告顯示,預計在2024年-2025年之間,Flash存儲行業會達到1ZB 的水平。市場仍然會持續增長,預計到2026年會增長到一個接近甚至超過1.5ZB的水平。

進入大數據時代,3D NAND演進邏輯助力產品優化

近日,Trendforce報告指出,由于持續的晶圓短缺,NAND閃存的價格一直在上漲。隨著下游智能手機、消費電子應用的回暖,2024年存儲市場將會有一波新的增長。在存儲市場走向良好趨勢的同時,技術創新尤為重要。

張丹表示:“過去的二十年間,Flash行業是從PB到EB的增長,千倍甚至萬倍的增長,這個過程中產生了大量的消費級和企業級的應用場景,由此促進了NAND Flash行業的爬坡和需求。在未來兩到三年間,我們堅信會迅速地邁入到ZB時代,尤其是以邊云為核心的應用和場景。”

張丹女士對未來FLASH技術的演進方向進行了解說,3D NAND將從邏輯擴容、垂直擴容、水平擴容、結構優化四象限全方位創新,企業不能在單一維度去進行工藝的變更或者工藝的演進,需要通盤考慮四個點,以垂直擴容和水平擴容為核心,充分解決垂直和水平擴容的平衡問題,才能為行業帶來最優性價比產品。

憑借著對市場的洞察和對客戶需求的理解,結合先進的技術優勢,西部數據公司提供了從云數據中心、汽車、到IoT等領域豐富的產品組合。其中,于今年推出的西部數據Ultrastar DC SN655 NVMe SSD是一款高性價比的雙端口、大容量PCIe Gen 4.0 NVMe SSD,專為需要高性能、大容量的企業級存儲客戶設計,適用于如分解存儲、對象存儲、存儲服務器和其他任務關鍵型應用程序和工作負載。

西部數據Ultrastar DC SN655 NVMe SSD

Ultrastar DC SN655是一款垂直集成的SSD,提供了簡單且可擴展的單端口或雙端口路徑,確保滿足企業高可用性要求下的持續數據訪問。容量從3.84TB擴展到15.36TB,可滿足存儲和混合工作負載計算應用的要求,并將SSD的可靠性提高到250萬小時的平均故障間隔時間(預計)。此外,SN655還為大型非結構化工作負載提供了超過100萬的最大隨機讀取IOPs和更高的服務質量 (Qos) 。SN655采用嵌入式U.3 15mm外形尺寸,并向下兼容U.2。SN655還提供了更多企業級功能,如電源故障保護和端到端數據路徑保護,以確保在必要時的數據可用性。

西部數據展示最新第八代218層的NAND Flash

張丹表示,西部數據今年發布的最新第八代3D NAND產品,能夠達到218層數,這個是水平擴容和垂直擴容結合的結果。西部數據可以在218層數上達到相對優化的單位比特容量。值得注意的是,西部數據在這款新品里第一次引入了CBA技術,相當于存儲單元和周邊電路是分開生產的,然后再進行晶圓對晶圓的鍵合。

CBA技術的引入為存儲產品帶來兩大優勢:一、CMOS和周邊邏輯電路是兩片晶圓,邏輯電路的部分可以單獨生產,不一定要經受存儲電路需要的高溫的工藝制程,發展方向更可控,更可優化。二,它們可以分別采用各自的技術路線進行發展,帶來更高的存儲單元的容量,也可以帶來更好的I/O性能表現。

據悉,218 層 3D 閃存技術將位密度提高了約50%,其NAND I/O速度超過 3.2Gb/s,比上一代產品提高了約 60%,同時寫入性能和讀取延遲方面改善了約 20%,為用戶提供更高的性能和可用性。

在演講的最后,張丹女士總結了重塑良性增長周期的路徑,公司將做好市場需求和技術演進之間的平衡,多維度發展擴容技術,從而支撐數據價值,強化良性循環。此外,她還透露,未來西部數據將利用其BiCS 8開拓NAND Flash的新時代。

本文由電子發燒友原創,轉載請注明以上來源。微信號zy1052625525。需入群交流,請添加微信elecfans999,投稿爆料采訪需求,請發郵箱zhangying@huaqiu.com。

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