毫無疑問，存儲行業(yè)是一個是具有較強周期性和宏觀性的行業(yè)。

西部數據公司產品營銷總監(jiān)張丹女士在日前舉辦的“2024存儲產業(yè)趨勢研討會“上的演講中指出，存儲行業(yè)的良性循環(huán)周期是從新技術開始，到成本產能、價格、新市場、投資，最終再次回到新技術。新技術帶來了更多的比特輸出、更低的單比特成本，讓產品有更好的性價比，并持續(xù)地進行性價比壁壘的突破，隨之進入甚至創(chuàng)造一些新的市場。在新的市場增長過程中進行獲利后，再將投資再次帶入到循環(huán)里面，投入新技術、新產能還有新產品。

2024存儲產業(yè)趨勢研討會

張丹介紹說，存儲行業(yè)會一直遵循著這樣的周期發(fā)展。但展望未來，存儲行業(yè)還是要以來產業(yè)的人和客戶共同去實踐和成就。

閃存行業(yè)創(chuàng)新，四個方向

存儲行業(yè)處在一個立體層面上循環(huán)曲線上升的周期，這個過程中隨著周期循環(huán)，存儲產業(yè)通過更優(yōu)的性價比賦能了更多的行業(yè)和領域，也能由此體現(xiàn)出存儲的宏觀性。

西部數據公司產品營銷總監(jiān)張丹女士

在張丹看來，存儲行業(yè)周期性受到了新技術和新市場這兩個“雙新”驅動帶來的影響。當中，行業(yè)的低谷大概都發(fā)生在“新技術”出現(xiàn)，某一代制程開始大規(guī)模量產的時候；而行業(yè)周期上升的點則大都發(fā)生“新市場”的某一個應用場景在爆量增長或者應用場景激增的年份。

正是在這個周而復始的循環(huán)中，存儲行業(yè)呈現(xiàn)出了三方面的特性，分別是增長、宏觀經濟型和創(chuàng)新。當中創(chuàng)新更是存儲行業(yè)發(fā)展的根本保證，這在NAND Flash（閃存）領域里更是體現(xiàn)的淋漓盡致。

從相關統(tǒng)計可以看到，在過去幾年的發(fā)展中，市場對閃存的需求出現(xiàn)了爆發(fā)性的增長，尤其是在生成式AI爆火以來，存儲行業(yè)的增長曲線陡峭了起來。具體看閃存行業(yè)，在過去的二十年間，該行業(yè)實現(xiàn)了從PB到EB的千倍甚至萬倍的增長，這個過程中產生了大量的消費級和企業(yè)級的應用場景，由此促進了NAND Flash行業(yè)的爬坡和需求。

不過張丹認為，在未來兩到三年間，西部數據堅信，產業(yè)會迅速地邁入到ZB時代，尤其是以邊云為核心的應用和場景。這就要求閃存行業(yè)尋求最佳的投入產出比。張丹表示，NAND Flash進行容量擴展、成本降低有四個象限，分別是邏輯擴容、垂直擴容、水平擴容和結構優(yōu)化。

首先看邏輯擴容。從SLC到MLC到TLC，再到QLC和PLC，每一個單元存儲的數據越來越多。雖然單位容量在增長，但是控制成本也是在增加的，所以向這個方向的演進是有價值的；

其次是垂直擴容。這可以簡單理解為增加閃存的層數，因為層數的疊加會帶來單位面積容量增長和單位比特成本下降，但是也會帶來一些額外的成本，比如生產周期變長、影響產業(yè)良率等，所以相對來說，這個方向發(fā)展獲得的回報會在量化維度里稍小一些；

第三個維度是水平擴容。也就是在每一層增加了更多的存儲容量。在實際操作中，我們增加了每一層的孔隙的密度，以達到更大單位比特的容量。這是探討未來新技術、新制程時候要關注的方向；

最后關注的一個方向是結構優(yōu)化。具體的做法就是去優(yōu)化周邊的邏輯電路和存儲單元之間的分布關系或者擺放關系，從原來的CNA和CUA，到現(xiàn)在的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列），未來可能還有多層鍵合的場景。

“我們得出的結論是不能在單一的維度去進行工藝的變更或者工藝的演進，而是要通盤考量上述提到的四個點，并以垂直擴容和水平擴容為核心，只有它們平衡發(fā)展，才能為行業(yè)帶來最優(yōu)性價比的產品。”張丹總結說。

西部數據出招，218層閃存迎戰(zhàn)

作為全球領先的存儲廠商，西部數據在閃存上面也有著深刻的積累和領先的布局。

西部數據公司在數據存儲領域具有悠久歷史和豐富經驗，在NAND閃存領域擁有創(chuàng)新技術、產能優(yōu)勢和縱向集成能力，并且具備強大的垂直整合能力。今年，西部數據更是宣布聯(lián)合鎧俠推出了堆疊層數能夠達到218層的第八代3D閃存技術。

在這代芯片上，西部數據從四個維度對其進行產了全面的優(yōu)化——不但做了垂直擴容和水平擴容，還對產品進行結構化優(yōu)化。例如在邏輯擴容方面，西部數據的218層3D閃存技術利用具有四個平面的1Tb TLC（三級單元）和QLC（四級單元），這些創(chuàng)新的橫向收縮技術，將位密度提高了約50%。

除此以外，西部數據在這代產品上還首次引入了CBA技術——把存儲單元和周邊電路是分開生產的，然后再進行晶圓對晶圓的鍵合。據介紹，這個技術帶來了幾方面的優(yōu)勢。

首先，因為CMOS和周邊邏輯電路是兩片晶圓，邏輯電路的部分可以單獨生產，不一定要經受存儲電路需要的高溫的工藝制程，這相對來講發(fā)展方向會更可控，更可優(yōu)化；其次，這種單獨生產的設計，可以讓邏輯和CMOS分別采用各自的技術路線進行發(fā)展，在帶來更高的存儲單元的容量，也帶來更好的I/O性能表現(xiàn)；此外，因為CMOS和周邊邏輯電路是單獨發(fā)展的，所以在生產流程中，帶來了額外的生產靈活性，可以有效縮短生產周期，增加或者匹配生產靈活性，最重要的是相對簡化了產業(yè)制程演進中的復雜度和流程控制；最后，把兩個晶圓分開生產，再通過CBA技術進行鍵合，不但可以有效地同時發(fā)展，還可以相對更容易達到更大的容量和更快的接口速度。

從西部數據提供的數據我們也能看到，相比于上一代產品，這一代產品將位密度提高了約50%，其NAND I/O速度超過 3.2Gb/s，比上一代產品提高了約60%，同時寫入性能和讀取延遲方面改善了約20%。

除了在制程工藝上推進創(chuàng)新，西部數據還把機器學習、大數據分析和自動化等先進技術引入到生產線中，推動生產流程的先進性發(fā)展，從而造就了燈塔工廠項目。張丹透露，在這樣的工作思路指導下，西部數據位于上海的先進閃存產品封裝測試工廠入選了世界經濟論壇全球燈塔工廠網絡，并成為了中國第一家‘可持續(xù)發(fā)展燈塔工廠’。

“新技術仍然在持續(xù)發(fā)展，西部數據也仍然在努力，希望能夠為行業(yè)帶來更大容量、更低成本的產品，在新用戶和新市場看到驅動數據增長的更新的應用場景。”張丹在演講中說。

事實上，經過多年的發(fā)展，西部數據已經開發(fā)、制造并銷售的內容囊括了從NAND、固態(tài)硬盤和平臺在內的一系列品類，提供數據平臺、連接平臺、技術產品等豐富的產品組合，并在企業(yè)級SSD領域擁有三大核心技術優(yōu)勢，即集完全自主的NAND Flash、先進的SSD控制器和高性能固件于一體，這種縱向集成的能力能夠讓SSD實現(xiàn)性能和穩(wěn)定性的極致優(yōu)化，確保SSD生命周期穩(wěn)定的I/O一致性，滿足企業(yè)基礎架構建設對于安全可靠、敏捷穩(wěn)定、高效智能等多維度需求。

今年，西部數據就推出了一款垂直集成的SSD——西部數據Ultrastar DC SN655 NVMe SSD，專為需要高性能、大容量的企業(yè)級存儲客戶設計，適用于如分解存儲、對象存儲、存儲服務器和其他任務關鍵型應用程序和工作負載。Ultrastar DC SN655提供了簡單且可擴展的單端口或雙端口路徑，確保滿足企業(yè)高可用性要求下的持續(xù)數據訪問。容量從3.84TB擴展到15.36TB，可滿足存儲和混合工作負載計算應用的要求，并將SSD的可靠性提高到250萬小時的平均故障間隔時間（預計）。此外，該產品還為大型非結構化工作負載提供了超過100萬的最大隨機讀取IOPs和更高的服務質量 (Qos) 。同時，Ultrastar DC SN655采用嵌入式U.3 15mm外形尺寸，并向下兼容U.2，還提供了更多企業(yè)級功能，如電源故障保護和端到端數據路徑保護，以確保在必要時的數據可用性。

< 西部數據Ultrastar DC SN655 NVMe SSD >

在西部數據看來，存儲產業(yè)總是挑戰(zhàn)與機遇并存，無論是汽車領域存儲，還是企業(yè)級存儲，產業(yè)隨著各種新興技術不斷演變，進而激發(fā)出更加嚴苛的數據存儲需求。

而憑借著在存儲領域深耕多年的積累，西部數據希望能持續(xù)為用戶提供全線多場景的存儲技術和產品，持續(xù)創(chuàng)新研發(fā)，充分滿足來自不同領域的需求。同時，西部數據也將繼續(xù)攜手行業(yè)內合作伙伴，賦能傳統(tǒng)和新一代超大規(guī)模數據中心以及5G、AI、邊緣計算等新興應用場景，助力用戶實現(xiàn)面向未來的存儲戰(zhàn)略。

審核編輯 黃宇