半導(dǎo)體測(cè)試包括前期的研發(fā)，后期的生產(chǎn)的測(cè)試。

前期研發(fā)，進(jìn)行材料測(cè)試，晶圓測(cè)試，后期的器件測(cè)試等。

材料測(cè)試常用的是 LCR數(shù)字電橋，阻抗分析儀，網(wǎng)絡(luò)分析儀，電源，萬(wàn)用表，源表，靜電計(jì)，半導(dǎo)體參數(shù)分析儀，探針臺(tái)，信號(hào)發(fā)生器，功率放大器，示波器等等。

比如測(cè)試薄膜等材料，需要測(cè)試阻抗，容值等，根據(jù)頻率需要用到數(shù)字電橋或者阻抗分析儀，或者測(cè)試介電常數(shù)，用到阻抗分析儀或者網(wǎng)絡(luò)分析儀。

數(shù)字電橋的頻率一般是幾Hz~幾MHz，阻抗分析儀是幾MHz~3GHz，網(wǎng)絡(luò)分析儀可以測(cè)試大于 3GHz的介電常數(shù)。根據(jù)測(cè)試頻率選擇合適的儀器。

除了介電常數(shù)之外，還需要測(cè)試IV曲線(xiàn)等，可以用源表測(cè)試。

測(cè)試小于nA級(jí)別的電流，需要用到靜電計(jì),萬(wàn)用表等。

需要測(cè)試多端器件，可以用雙通道源表或者半導(dǎo)體參數(shù)分析儀。

兩端器件或者三端器件可以用雙通道源表測(cè)試，比如二極管，三極管等。三端以上器件，就需要用到半導(dǎo)體參數(shù)分析儀了，比如吉時(shí)利4200A，或者是德科技B1500A。

配合探針臺(tái)可以實(shí)現(xiàn)多端器件的測(cè)試。

封裝好的半導(dǎo)體器件，需要供電，還要用到電源，或者信號(hào)發(fā)生器和功率放大器。

測(cè)試產(chǎn)生的波形會(huì)用到示波器，比如測(cè)試三極管的放大倍數(shù)的時(shí)候等，只要觀察波形，都需要示波器。