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LDO簡介和基本選型要素 LDO熱耗定義相關說明

CHANBAEK ? 來源:電子設計小札 ? 作者: billzhhb ? 2023-11-22 11:21 ? 次閱讀

LDO使用中特別需要關注熱耗的影響

一、LDO簡介

LDO,其實LDO是線性電源的一種,即Low drop out低壓降的線性電源,這個dropout是線性電源的一個重要特性,行業內最低好像能實現50mV的壓降,即輸入3.35V,輸出可以做到輸出3.3V。

LDO主要特征如下,這些特征使得LDO具有很廣泛的應用:

1)輸入電流≈輸出電流。

2)輸出干凈,紋波非常小,高頻噪聲比較低。

3)能夠抑制低頻段噪聲,抑制能力很強。

4)LDO自身消耗的功耗相對較大,其自身功耗≈(輸入電壓—輸出電壓)*輸入電流,PD≈(VIN-VOUT)*IOUT。

5)LDO一般可用于模擬電路的供電推薦小于0.5W以下的供電需求使用。

二、LDO基本選型要素

1)輸入電壓范圍VIN;

2)輸出電壓范圍VOUT;

3)輸出電流大小IOUT;

4)輸入輸出壓差VDO;

5)靜態電流;

6)其他功能如輸出使能引腳、軟起動引腳、偏置電壓引腳等。

除了以上的選型要素,LDO雖然電路非常簡單,但是在使用過程中還有蠻多的注意事項,下文提到的熱耗就是一個特別重要的LDO設計考慮要素。

三、LDO熱耗定義相關說明

圖片

1、與熱耗相關的一些溫度參數

上圖是一個LDO器件焊接在PCB上的一個示意圖,里面展現了與溫度相關的一些參數以及位置說明。

序號溫度參數具體定義
1TC芯片外殼的溫度,測量點在芯片封裝的頂部中間(一般用于老的封裝)
2TT芯片外殼的溫度(同TC),測量點在芯片封裝的頂部中間(一般用于現在的表面貼裝器件)。
3TB靠近芯片安裝位置附近的PCB板表面測量的溫度,測量點在芯片四周PCB板表面(1mm間隔)
4TP芯片封裝底部散熱焊盤上的溫度(如果暴露在外可測量的話),測量點在芯片底部散熱焊盤上
5TA芯片所處的環境溫度,測量點處于產品內部空氣中
6TJ芯片結溫,測量點處于芯片內部
7TSTG芯片存儲溫度
8TSD芯片熱關斷溫度

2、與熱耗相關的一些熱阻參數,熱阻代表單位功耗下,兩個不同位置之間的溫度差,表征芯片兩個位置之間熱傳導的能力。

序號熱阻參數具體定義
1Rθ(℃/W)=Temp(℃)/Power(W)
2RθJA芯片內部結到芯片環境的熱阻
3RθJC(TOP)芯片內部結到芯片外殼頂部(中間)的熱阻
4ΨJT芯片內部結到芯片頂部的特性參數(類熱阻)
5ΨJB芯片內部結到電路板(1mm處)的特性參數(類熱阻)
6RθJC(bottom)芯片內部結到芯片外殼底部(散熱焊盤)的熱阻

3、與熱耗相關的結溫的不同計算方法,結溫是LDO器件內部溫度,是我們考慮熱耗最終衡量的目標。

序號計算結溫的公式說明
1TJ = TT + ΨJT * PD基于芯片外殼頂部的溫度計算
2TJ = TB + ΨJB * PD基于芯片附近1mmPCB板表面溫度計算
3TJ = TA + RθJA * PD基于芯片的環境溫度計算
4TJ = TC + RθJC * PD基于芯片外殼頂部溫度計算(老封裝)

四、常用LDO熱耗示意說明(選取項目中常用的兩個器件,也是本文的動機)

1、LTM4615

4615支持2路4A的DC/DC輸出和1路1.5A的LDO輸出,這里舉例應用如下:

DC/DC通道1:輸入5V,輸出2.5V,輸出電流1.2A;

DC/DC通道2:輸入5V,輸出1.8V,輸出電流1A;

LDO通道:輸入3.3V,輸出1.5V,輸出電流0.4A;

1)計算LTM4615的熱耗

圖片

對于DC/DC通道來說,其熱耗主要跟DC/DC的轉換效率有關,參照上表可知,DC/DC通道1的熱耗<0.6W@1.2A,DC/DC通道2的熱耗<0.5W@1A。

對于LDO通道,根據公式PD≈(VIN-VOUT)*IOUT,則熱耗PD≈(3.3-1.5)*0.4=0.72W。

則總的熱耗≈0.6+0.5+0.72=1.82W。

2)計算LTM4615的溫升

圖片

對于LTM4615來說,考慮最惡劣情況(無風、無底部散熱器),RθJA=15(℃/W),則根據公式TJ = TA + RθJA * PD,其中TA為產品環境溫度,一般環境要求高溫為70℃(實際產品內部環境溫度會更高,eg:80℃),TJ = 80 + 15 * 1.82 = 107.3℃,滿足<120℃的結溫要求(一般最高為125℃結溫)。

綜上:LTM4615使用時,DC/DC-1:輸入5V,輸出2.5V,輸出電流1.2A;

DC/DC-2:輸入5V,輸出1.8V,輸出電流1A;LDO通道:輸入3.3V,輸出1.5V,輸出電流0.4A;滿足使用要求。

但是若LD0通道:選擇輸入3.3V,輸出1.5V,輸出電流1A時,LDO的熱耗PD≈(3.3-1.5)*1=1.8W,總功耗則≈0.6+0.5+1.8=2.9W。TJ = 80 + 15 * 2.9 = 123.5℃,則不滿足<120℃的結溫要求,此時雖然該LDO的總輸出電流1A<LDO的額定輸出1.5A,但使用時仍存在隱患。因此在使用LDO時一定要關注LDO的熱耗,盡可能壓降小一點。

2、TPS74401

TPS74401支持1路3A的LDO輸出,這里舉例應用如下:

LDO通道:輸入2.5V,輸出1.2V,輸出電流1A,選用封裝為RGW(QFN);

圖片

1)計算TPS74401的熱耗

對于LDO通道,根據公式PD≈(VIN-VOUT)*IOUT,則熱耗PD≈(2.5-1.2)*1=1.3W。

2)計算TPS74401的溫升

圖片

對于TPS74401來說,考慮PCB尺寸為2in2,RθJA=45(℃/W),則根據公式TJ = TA + RθJA * PD,其中TA為產品環境溫度,一般環境要求高溫為70℃(實際產品內部環境溫度會更高,eg:80℃),TJ = 80 + 45 * 1.3= 138.5℃,不滿足該器件結溫要求,存在高溫隱患。

3)驗證TPS74401的溫升

在板子實際做出來后,可以通過測量TT或者TB,來進一步驗證TPS74401的結溫,用紅外測溫儀分別測量74401的封裝頂部中間位置的溫度TT以及距離74401周邊1mm的PCB板的溫度TB,分別進行計算結溫。

圖片

TJ = TT + ΨJT * PD = ?+ 0.5* 1.3

TJ = TB + ΨJB * PD = ?+ 10.5* 1.3

通常來說兩種不同的方法測量計算出來的結果會比較匹配,如果不匹配,則可能具體哪個參數出現了變化。且一般ΨJT、ΨJB會比RθJA計算結果更為準確。

五、降低熱阻的常見做法

通過上面的分析我們知道,對于LDO來說,其熱耗是其非常重要,需要重點關注的一個指標,熱耗*熱阻等于結溫溫升,結溫溫升限制了LDO的使用溫度范圍。因此除了常見的通過降低LDO的輸入輸出壓降、輸出電流控制熱耗外,還可以通過降低熱阻來進行優化,其具體做法包括:

1)通過PCB布局優化,LDO遠離發熱器件;

2)通過PCB布線優化,LDO的輸入輸出端的銅皮盡可能大一點,底部散熱焊盤的散熱過孔等;

3)通過散熱冷板優化,通過散熱冷板進行傳熱以降低RθJA;

4)根據不同熱耗需求選擇不同封裝的LDO。

5)還可以在LDO輸入端串接電阻分散熱耗,但需要注意電阻選型。

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