文章一開始介紹了LDO的歷史和由來，以及為什么需要LDO這個東西。像在鎖相環(huán)或者SAR ADC這樣的系統里，由于不同模塊的瞬態(tài)電流具有不同的頻率分量，為防止模塊之間的干擾，一般不會共享同一個電源。也就是說，每個模塊需要一個單獨的LDO。那么LDO的設計就顯得尤為重要。

圖一是一個基礎的regulator的結構。其中pass transistor有兩種選擇，PMOS或者NMOS。前者是作為電流源的形式，后者是source follower輸出。通常，我們將PMOS的regulator稱為LDO。

圖一

除了dropout以外，無論哪種類型，需要關注的參數都是以下幾點：

1. PSR ：Vin到Vout的增益，越小越好。來源有兩條路，一是pass transistor，二是運放。
2. 輸出噪聲
3. load regulation ：負載電流變化引起的Vout變化，也就是IL到Vout的增益，和regulator輸出阻抗直接相關。
4. 功耗和面積

原文是將這幾個指標雜糅在一起講的，本文希望按順序逐個整理總結。出于篇幅考量，這里就只講PSR，其余指標會在之后的文章中總結補充。

那么首先看一下PMOS作電流源的regulator，如圖二。

圖二

從運放輸入正極斷開，容易得出環(huán)路增益的表達式如下：

可以認為運放將M1的跨導等效增大了A1倍。

如何計算PSR呢？一個簡單做法是將此結構簡化為圖三的形式，將電阻分壓比直接乘到運放開環(huán)增益上，再推導Vin到Vout的傳遞函數。

圖三

首先假設M1的ro1無窮大，那么Vin到Vout的前向通路表達式可以等效為一個共柵極放大器的增益，PSR可以直接寫為：

分母剛好是1+ALG（分母第一個R2為筆誤，應該是RL），分子則是前向通路的增益。容易看出， A1越大，電源抑制越好。 在ALG>>1的情況下，此式可以簡化為：

考慮到主極點之后運放增益會衰減，高頻下的PSR會隨著運放增益的衰減而變差，如圖四。

圖四

因此，LDO需要一個高增益，大帶寬的運放以獲得較好的PSR。

另外一種做法是在輸出端對地加一個大電容CM，那么表達式可重新推導為：

加電容后在輸出端引入一個極點1/(RCM)，假設此極點高于運放主極點ω0，則圖四曲線開始會在ω0處上升，在1/(RCM)后抑制上升趨勢。高頻下CM減小輸出節(jié)點對地阻抗，從分壓的角度也可以看出Vin到Vout的增益會減小。

另外單獨考慮ro1對電源抑制的影響，此時忽略M1的受控源部分，那么PSR就是Rout和ro1的分壓比，如圖五。

圖五

假設RL>>Rout，這部分的PSR表達式為：

Vout/Vin =Rout/(ro1 +Rout) =(1+R1/R2)/(gm1ro1A1 +1+R1/R2)

依然是A1越大越好，同時M1的本征增益也是越大越好。但由于這一部分PSR相比圖三那一部分小了幾乎是一個gm1*ro1倍，認為這一部分的貢獻可以忽略。

討論完M1的通路對PSR的貢獻，另外考慮運放自身的PSR對系統PSR的影響。

圖六

如圖六，假設運放的供電和LDO主功率路徑無關，運放電源的擾動為VnDD，此擾動到運放輸出端的增益為β（也就是運放自身的PSR），我們可以很容易地推導出VnDD到Vn,out的表達式：

基本思路是從運放輸出倒推到運放輸入，再通過電阻分壓推導至LDO輸出。從表達式可以看出，想要弱化運放自身PSR對LDO整體PSR的貢獻，需要盡可能地 增大A1，同時改善運放自身的PSR（減小β） 。這和我們之前的目標是一致的。

那么，如果運放的供電和LDO主功率路徑是同一個電源呢？

圖七

以圖七為例，假如采用一個簡單的NMOS輸入的五管運放，DC情況下Mc的 VGS是一定的，因此Vin上的擾動會直接引起P點發(fā)生相同的變化，而穩(wěn)定情況下VF又應該等于P點電壓，因此五管運放的β=1，自身的PSR是很差的。但事實上，如果Vin的變化引起了VF有同樣的變化，意味著M1的VGS趨于恒定，則LDO的輸出電壓更不容易受到Vin變化的影響，那么LDO整體的PSR反而更好。也就是說，在同一個電源供電下，五管運放PSR差的特點反而有助于改善LDO的PSR。

另外，拉扎維也提到一點，想要減輕運放自身PSR對LDO整體PSR的影響，有一種思路是用輸出電壓給運放供電。

分析完PMOS型的regulator之后，讓我們來看一下NMOS型的regulator，如圖八。

圖八

如果不考慮M1的溝道長度調制效應，那么這種結構擁有完美的電源抑制能力，Vin到Vout的增益為0。

如果考慮M1的溝道長度調制效應，則按照前面的方法來分析，如圖九。

圖九

忽略M1的受控源部分，只考慮ro1和Rout的分壓，可以得到表達式如下：

和PMOS型regulator相比，此時分母上多了gm1*ro1的系數，也就是減小了M1的本征增益倍。因此， 即便考慮非理想因素，NMOS型regulator依然有明顯更好的PSR 。

對于regulator的PSR分析就到此結束啦，之后的文章里會補充LDO的其他指標分析，欲知后事如何，且聽下回分解～