本文的關(guān)鍵要點(diǎn)：

具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。

要想正確實(shí)施SiC MOSFET柵-源電壓的浪涌對(duì)策，需要逐一了解SiC MOSFET電壓的行為。

在功率開(kāi)關(guān)器件最常見(jiàn)的應(yīng)用中，包括與上一篇文章中提到的雙脈沖測(cè)試電路相同的橋式結(jié)構(gòu)。對(duì)于橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為，在Tech Web基礎(chǔ)知識(shí)SiC功率元器件的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作”和這篇文章所依據(jù)的應(yīng)用指南“橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極電壓的行為”中，介紹了相互影響的動(dòng)作情況。

但是，具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，柵-源電壓的行為不同，要想正確實(shí)施柵-源電壓的浪涌對(duì)策，需要了解電壓的行為。

從本文開(kāi)始，將針對(duì)具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L封裝SiC MOSFET在橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為，分LS側(cè)（低邊）MOSFET導(dǎo)通時(shí)和關(guān)斷時(shí)兩種情況用2個(gè)篇幅分別進(jìn)行介紹。

橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時(shí)

下面將圍繞與沒(méi)有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝MOSFET之間的不同點(diǎn)，對(duì)橋式結(jié)構(gòu)中LS側(cè)（低邊）的MOSFET導(dǎo)通時(shí)的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。

下圖為導(dǎo)通時(shí)的各開(kāi)關(guān)波形，左側(cè)為不帶驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品，右側(cè)為帶驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L封裝產(chǎn)品。各橫軸表示時(shí)間，時(shí)間范圍Tk（k＝7、8、1-3）的定義在波形圖下方有述。右下方的電路圖中給出了TO-247-4L封裝產(chǎn)品在橋式電路中的柵極引腳電流情況。在波形圖和電路圖中，用（I）～（III）來(lái)表示每個(gè)時(shí)間范圍中發(fā)生的事件。事件（III）在T2期間結(jié)束后立即發(fā)生。

在橋式結(jié)構(gòu)中LS側(cè)SiC MOSFET導(dǎo)通時(shí)的各開(kāi)關(guān)波形

＜時(shí)間范圍Tk的定義＞

TO-247-4L：LS導(dǎo)通時(shí)的柵極引腳電流

T7：HS為導(dǎo)通期間（同步整流期間）

T8：HS關(guān)斷、LS導(dǎo)通之前的死區(qū)時(shí)間

T1：LS導(dǎo)通、MOSFET電流變化期間【事件（I）同時(shí)發(fā)生】

T2：LS導(dǎo)通、MOSFET電壓變化期間【事件（II）同時(shí)發(fā)生】

T3：LS導(dǎo)通期間

在波形圖比較中，TO-247-4L的事件（I）與TO-247N的事件（I）明顯不同，在非開(kāi)關(guān)側(cè)（HS）的VGS觀察到正浪涌（TO-247N為負(fù)浪涌）。這是由柵極引腳電流圖中（I）的電流ICGD引起的（HS側(cè)，綠線）。該電流會(huì)流過(guò)柵-漏電容CGD。

之所以會(huì)流過(guò)該電流，是因?yàn)樵陂_(kāi)關(guān)工作之前，換流電流ID_HS在HS側(cè)SiC MOSFET的體二極管中從源極流向漏極，但是當(dāng)之后的開(kāi)關(guān)動(dòng)作開(kāi)始時(shí)，開(kāi)關(guān)側(cè)（LS ）的電流ID_LS首先逐漸增加，因此ID_HS逐漸減少。另一方面，SiC MOSFET的體二極管的正向電壓VF_HS（TO-247-4L波形圖的虛線圓圈部分）具有較大的電流依賴性，所以，隨著開(kāi)關(guān)速度的增加，dID_HS/dt會(huì)增大，dVF_HS/dt會(huì)增大，dVF_HS/dt最終也是換流側(cè)SiC MOSFET的dVDS_HS/dt，因此ICGD從漏極引腳通過(guò)CGD流向柵極引腳，導(dǎo)致柵-源電壓升高。在以往的TO-247N封裝中，ID_LS的變化緩慢，可以認(rèn)為事件（I）的ICGD幾乎未流動(dòng)。

關(guān)于TO-247N導(dǎo)通動(dòng)作的詳細(xì)介紹，請(qǐng)參考本文開(kāi)頭提到的Tech Web SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)中的文章“低邊開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的Gate-Source間電壓的動(dòng)作”或應(yīng)用指南中的“導(dǎo)通時(shí)柵極信號(hào)的動(dòng)作”。

TO-247-4和TO-247-4L導(dǎo)通時(shí)的VDS波形比較

上方所示的VDS波形是TO-247N和TO-247-4L的比較圖。從圖中可以看出，關(guān)于換流側(cè)SiC MOSFET的VDS_HS，在開(kāi)關(guān)動(dòng)作開(kāi)始后TO-247-4L的VDS_HS立即急劇上升。正如上一篇文章中所述，這是由于具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳而帶來(lái)的提速效果。

另外，由于事件（II）也已處于高速狀態(tài)，前面的電路圖中所示的從HS側(cè)流向LS側(cè)、向HS側(cè)CDS充電的電流也變得很大，所以不僅是開(kāi)關(guān)側(cè)，有時(shí)候非開(kāi)關(guān)側(cè)也需要針對(duì)漏極-源極間的浪涌采取對(duì)策。

下面是TO-247-4L的VGS波形。該波形圖對(duì)是否采取了浪涌對(duì)策的結(jié)果進(jìn)行了比較。從圖中可以看出，在沒(méi)有采取浪涌對(duì)策（Non-Protected）的情況下，發(fā)生了前述的浪涌。而實(shí)施了浪涌對(duì)策（Protected）后，很好地抑制了VGS浪涌。

TO-247-4L導(dǎo)通時(shí)的 VGS波形（有無(wú)對(duì)策）

為了抑制這些浪涌，必須了解前述的柵-源電壓的行為，并在緊挨SiC MOSFET連接浪涌抑制電路作為對(duì)策。

如果希望了解更詳細(xì)的信息，請(qǐng)參考應(yīng)用指南中的“柵極-源極電壓的浪涌抑制方法”或Tech Web基礎(chǔ)知識(shí)SiC功率元器件“SiC MOSFET：柵極-源極電壓的浪涌抑制方法”（連載中）。

在下一篇文章中，我們將介紹低邊SiC MOSFET關(guān)斷時(shí)SiC MOSFET柵-源電壓的行為。

文章來(lái)源：羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

審核編輯 黃宇