我們以ST的LM339DT為例，來(lái)了解下比較器選型：

對(duì)于圖中1：此LM339DT有3種封裝類(lèi)型，共14個(gè)引腳，我們選擇適合自己的；

對(duì)于圖中2：此芯片支持單電源和雙電源供電，單電源以最低2V到最高36V，或者雙電源最低正負(fù)1V到最高正負(fù)18V，即芯片GND接負(fù)電源，VCC接正電源；通常我們用單電源供電，比如5V，12V，15V，18V，24V；我們根據(jù)我們?cè)O(shè)計(jì)電路中供電選擇合適的電壓；

對(duì)于圖中3：這個(gè)芯片的損耗電流在1.1mA左右；

對(duì)于圖中4：此芯片輸入偏置電流典型值為25nA，我們可以根據(jù)這個(gè)值來(lái)設(shè)計(jì)輸入端的分壓電阻，設(shè)計(jì)基準(zhǔn)就是前級(jí)電路電流至少大于偏置電流1個(gè)數(shù)量級(jí)，保證前級(jí)分壓穩(wěn)定性；

對(duì)于圖中5：此芯片的輸入失調(diào)電流和輸入電壓，這2個(gè)參數(shù)可以解釋芯片內(nèi)部的對(duì)稱(chēng)性，失調(diào)參數(shù)越小，比較器越精準(zhǔn)；

對(duì)于圖中6：告訴我們此芯片在飽和導(dǎo)通輸出低電平時(shí)，輸出并不是0V，而是250mV;

對(duì)于圖中7：我們知道這個(gè)芯片是集成了4路獨(dú)立的精密比較器；

我們?cè)倏聪聢D：下面是此芯片附帶的芯片內(nèi)部框圖，我們?nèi)绻胍钊肓私膺@個(gè)芯片的功能，我們可以研究?jī)?nèi)部設(shè)計(jì)電路；基本每個(gè)手冊(cè)都有；

我們?cè)倏聪聵O限參數(shù)：

1. 雙電源供電最高正負(fù)18V，單電源供電最大36V；
2. 內(nèi)部晶圓到外界環(huán)境的熱阻，三個(gè)不同封裝的都有，單位為℃/W，意思是每上升1W，芯片溫度上升的度數(shù)；我們可以根據(jù)這個(gè)參數(shù)來(lái)估算在實(shí)際電路中芯片的內(nèi)部結(jié)溫；
3. 內(nèi)部晶圓到外殼的熱阻，我們可以用熱電偶測(cè)量芯片表面實(shí)際溫度，再通過(guò)在電路中實(shí)際消耗功率來(lái)估算芯片內(nèi)部結(jié)溫；
4. 芯片的儲(chǔ)存溫度范圍，在存儲(chǔ)時(shí)我們要根據(jù)各個(gè)芯片的儲(chǔ)存要求來(lái)控制倉(cāng)庫(kù)內(nèi)的溫濕度；
5. 芯片的內(nèi)部結(jié)溫最高不超過(guò)150℃；
6. 此芯片在焊接時(shí)，要求260℃，焊接時(shí)間不超過(guò)10s；
7. 此芯片的ESD靜電等級(jí)；

我們?cè)倏醋詈笠粋€(gè)比較重要的就是響應(yīng)時(shí)間：

就是我們?cè)谳斎腚妷簳r(shí)，和參考電壓比較后，電壓從0上升到高的時(shí)間；或者從高到0的時(shí)間，這個(gè)我們需要關(guān)注下，在低頻中不會(huì)影響我們的輸出結(jié)果，但是在高頻中我們就要考慮輸出波形的完整度問(wèn)題；

今天就到這里，謝謝閱讀支持；