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開關電容高速比較器電路分析

CHANBAEK ? 來源:致力于更好的未來 ? 作者: Harris_Jiang ? 2023-11-23 17:07 ? 次閱讀

電路分析

《A 14 Bit 1 GSs RF Sampling Pipelined ADC With Background Calibration》所述的開關電容比較器結構關注幾個點:

1.Flash通路的上極板采樣開關為 image.pngLatch放開輸出復位,Latch立即進行正反饋放大,加快了比較器的速度,給MDAC建立留更多時間。

2.輸入到Latch的輸入有兩級衰減,即開關電容處有image.png的衰減和pre-amp的增益小于1,前者利用開關電容電路實現電壓相減功能而無法避免,后者目的減小返回到輸入端的kick-back噪聲。衰減特性使得Latch級的noise和offset被放大。

3.Latch級Cc電容存在有兩個好處:輸入AC耦合,再生相位輸入管gm=gmn+gmp,增加帶寬,減小延時時間;復位相位,避免由于復位開關關斷引入的時鐘饋通通過NMOS寄生電容耦合而使輸入電壓幅度下降過多,使NMOS偏離正確工作狀態。

圖片

仿真分析

image.png

圖片

仿真顯示比較器輸入越小,延時越大。此外看到,輸入比較大時,復位相位Latch的輸出不會相等。

圖片

image.png

小輸入情況下,仿真延時接近 2tD ;大輸入情況下,仿真延時呈現線性特性意味著Latch級進入了大信號工作區間。

圖片

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