在前文的PNP結構中，我們描述了一種現象，如果IGBT中的兩個BJT都處于工作狀態，那么就會發生失控，產生latch-up現象。

為抑制這個現象，設計中必須將BJT_1的基極和發射極短路。

這里我們討論一下，如果不將BJT_1的基極和發射極短路，會出現什么情況。

將BJT_1和BJT_2等效為NPN和PNP互聯的電路。

BJT_2的基極與BJT_1的集電極相連， BJT_2的集電極與BJT_1的基極相連。

1.在O點施加一個電流IB1， BJT_1導通，產生電流IC1，且 其中是BJT_1的共發射極增益;

2.因為IC1與BJT_2的基極相連，相當于給BJT_2提供了基極電流IB2，所以BJT_2導通，且，產生電流IC2，同理，

其中是BJT_2的共發射極增益；

3.因為IC2又與BJT_1的基極相連，所以

可見，經過一個循環， BJT_1的基極電流增大了倍。如此反復，通過器件的電流迅速增大，若沒有額外的限流措施，那么器件就會損壞。

這種PNPN結構被稱為晶閘管，被廣泛應用在電力電子控制領域中。從器件的物理特性可以看出，晶閘管一旦開啟，就會因為內部BJT自反饋的原因處于持續導通狀態，所以若要將處于開通狀態的晶閘管關斷，就必須施加額外的控制手段，如直接外接電壓反向，或者把基極電流抽出，強制BJT關閉，當然這會增加驅動的功耗。

綜上，IGBT中的寄生BJT_1的基極和發射極必須短接。

下面做一個簡單的推導，在BJT_1的基極和發射極之間串聯一個電阻R，會對其增益帶來多大的影響。假設基極上施加電壓（正偏），且基極和發射極所組成的PN二極管的飽和電流是（飽和電流的定義請回顧PN結二極管的章節）。那么，沒有串聯電阻R之前，

串聯電阻R之后， 相較多一個流經R的之路電流，即，

顯然，，那么串聯電阻R之后的增益為，

顯然，R和是兩個關鍵因素：

1.隨著R增大， 趨近于，當Rà0，即短路， 趨近于0；當Rà，即開路，趨近于。

2.隨著增大，趨近于，當à0，即短路， 趨近于0；當>0.7，即開路， 趨近于。

所以，IGBT設計中，一定要將BJT_1的基極和發射極短路。