前面我們基本完成了穩態狀況下，電流（包含電子電流和空穴電流）與電荷分布之間的關系，下面我們來看看穩態下電壓與電荷分布之間的關系。

與之前分析邏輯相似，我們只需建立電壓與關系即可。

摘錄本章第2節截圖，顯然IGBT導通過程中的電壓構成為，

因為導通過程中，耗盡區(Depletion Area)很窄，所以近似認為0；在《IGBT的MOS結構》中已經詳細分析，只需將溝道電阻乘以溝道電流即可，而溝道電流即為，即

其中，A為芯片面積， 為導通情況下，MOS的溝道電阻，表達式如下，

因此，欲建立穩態下，與的關系，只需建立穩態下與的關系。下面重點對進行分析。

顯然，由兩個部分構成，即BJT發射極的PN結結電壓以及電流流經Base區域的歐姆電壓，定義這兩個電壓為和。在《IGBT中的若干PN結》中，我們對結電壓做過推演（也可參考本章(6-14)式），這里直接采用結論如下，

上式采用了大注入近似條件（ ），（6-25）準確地建立了與之間的關系，接下來就只剩下建立與之間的關系。在推演它們之間的數理關系之前，有必要先澄清一個概念，即歐姆電壓的來源。

根據泊松方程，電壓是電場的積分，電場是電荷的積分，那么N-base區域為電中性區域，那么該區域中不存在凈電荷，那么就不應該存在電場，也就不應該有電勢差（電壓）那么為什么會有歐姆電壓呢？而且，在擴散方程的建立中，也采用了電中性原則，只計入了擴散電流，未計入電場相關的漂移電流。

事實上，上述物理描述只對電荷引起的電場和電勢差進行了描述，但還缺少對電荷周期排布所引入的能級電勢差。回顧《電荷變化》一章，我們分析了半導體中還有因電荷周期排布而存在的能級關系，以費米能級為特征能級，不同能級相對費米能級的距離（能量差），決定了被電荷占有的概率。

無論是擴散電流還是漂移電流，追溯到本質，都可以理解為因費米能級的變化而導致導帶和價帶被電子/空穴占有概率的變化，從而表現出電荷流動的現象。因此，歐姆電壓可理解為N-base區域的費米能級變化所引入的電勢差。