1.什么是Corner？

芯片制造是一個物理過程，存在著工藝偏差（包括摻雜濃度、擴散深度、刻蝕程度等），導致不同批次之間，同一批次不同晶圓之間，同一晶圓不同芯片之間情況都是不相同的。在一片wafer上，不可能每點的載流子平均漂移速度都是一樣的，隨著電壓、溫度不同，它們的特性也會不同，把他們分類就有了PVT（Process，Voltage，Temperature），而Process又分為不同的corner：TT：Typical N Typical P FF：Fast N Fast P SS：Slow N Slow P FS：Fast N Slow P SF：Slow N Fast P

第一個字母代表NMOS，第二個字母代表PMOS，都是針對不同濃度的N型和P型摻雜來說的。NMOS和PMOS在工藝上是獨立做出來的，彼此之間不會影響，但是對于電路，NMOS和PMOS是同時工作的，會出現NMOS快的同時PMOS也快，或者慢，所以會出現FF、SS、FS、SF四種情況。通過Process注入的調整，模擬器件速度快慢，同時根據偏差大小設定不同等級的FF和SS。正常情況下大部分是TT，而以上5種corner在+/-3sigma可以覆蓋約99.73%的范圍，這種隨機性的發生符合正態分布。

2.Corner wafer的意義

工程片流片的時候，FAB會pirun關鍵層次調整inline variation，有的還會下backup wafer以保證出貨的wafer器件on target，即在TT corner附近。如果單純是為了做一些樣品出來，只進行工程片流片，那可以不驗證corner，但如果為了后續量產準備，是必須要考慮corner的。由于工藝在制作過程中會有偏差，而corner是對產線正常波動的預估，FAB也會對量產芯片的corner驗證有所要求。所以在設計階段就要滿足corner，在各種corner和極限溫度條件下對電路進行仿真，使其在各種corner上都能正常工作，才能使最終生產出的芯片良率高。

3.Corner Split Table策略

對于產品來講，一般corner做到spec上，正常情況下spec有6個sigma，如FF2（或2FF）表示往快的方向偏2個Sigma，SS3（或3SS）表示往慢的方向偏3個Sigma。Sigma主要表征了Vt的波動，波動大sigma就大，這里3個sigma就是在工藝器件的spec線上，可以允許超出一點點，因為線上波動不可能正正好好做到spec上。以55nm邏輯工藝工程片為例，擬定的corner split table如圖：1.#1 & #2 兩片pilot wafer，一片盲封，一片測CP 2.#3 & #4 兩片hold在Contact，為后道改版預留工程wafer，可以節省ECO流片時間 3.#5～#12 八片hold在Poly，等pilot的結果看是否需要調整器件速度，并驗證corner 4.除了留有足夠的芯片用于測試驗證，Metal Fix，還應根據項目需求，預留盡可能多的wafer作為量產出貨

4.確認Corner結果

首先，大部分都應該落于四個corner決定的window范圍內，如果出現大的偏差，那可能是工藝shift。如果各個corner的良率都沒影響符合預期，那說明工藝窗口充分。如果有個別條件良率低，那就需要調整工藝窗口。Corner wafer的目的是驗證設計余量，考察良率是否有損失。大體上，超出這個corner約束性能范圍內的芯片報廢。Corner驗證對標的是WAT測試結果，一般由FAB主導，但是corner wafer的費用是由設計公司承擔的。一般成熟穩定的工藝，同一片wafer上的芯片，同一批次的wafer甚至不同批次的wafer參數都是很接近的，偏差的范圍相對不會很大。

文章來源：芯片開放社區