近年來,在新能源汽車、光伏等應用的帶動下,碳化硅行業迎來了快速發展階段。據Yole報告顯示,未來碳化硅在功率半導體中的市場份額將穩步提升,到2028年將達到約25%的市場份額,屬于一個具有明確發展前景的新興領域。今年以來,碳化硅賽道依然火熱。安森美、Wolfspeed、羅姆、博世等海外碳化硅巨頭相繼宣布投資和擴產計劃。與此同時,國內產業鏈也在加速建設,40多家炭化企業的硅相關項目取得新進展。
海外巨頭忙于擴產
從碳化硅產業鏈來看,主要包括襯底、外延、器件設計、器件制造、封裝測試等。從行業市場結構來看,碳化硅襯底市場目前以美國、日本為主和歐洲,其中美國是世界上最大的。領先廠商包括美國的Wolfspeed、II-VI、安森美,歐洲市場的ST、英飛凌,日本的羅姆、三菱、富士電機等。國際碳化硅外延公司主要有昭和電工、II-VI、Norstel、Wolfspeed、Rohm、三菱電機、英飛凌等。
今年以來,多家碳化硅海外巨頭紛紛公布擴產計劃:
安森美半導體:正在韓國京畿道富川市建設全球最大的碳化硅(SiC)生產設施,目標于2024年完成設備安裝,使富川市成為全球SiC生產中心。到2025年,富川工廠的SiC半導體年產能預計將達到100萬片,占安森美半導體總產量的35%至40%。
Wolfspeed:2月份該公司宣布與采埃孚腓特烈港建立戰略合作伙伴關系。雙方擬建立聯合創新實驗室,推動碳化硅系統及裝備技術在出行、工業、能源應用領域的進步。此次戰略合作伙伴關系還包括采埃孚的一項重大投資,用于支持在德國恩斯多夫建設全球最大、最先進的200毫米碳化硅晶圓廠。6月,有消息稱Wolfspeed獲得20億美元融資,該融資將用于擴建該公司在美國現有的兩座碳化硅晶圓生產設施,并向捷豹、路虎等汽車制造商供應碳化硅芯片。
X-FAB:5月,宣布計劃擴大位于美國德克薩斯州拉伯克的代工業務。第一期投資2億美元,用于增加工廠碳化硅半導體的產量。根據市場需求,未來還將推出更多投資項目。
羅姆:將在日本宮崎縣的第二工廠生產8英寸(200毫米)碳化硅晶圓,預計2024年投產。宮崎第二工廠原為Solar Frontier子公司的前國富工廠出光興三.羅姆即將通過交易收購該工廠。一旦改建為羅姆在宮崎的第二座晶圓廠,這將成為羅姆最大的碳化硅功率半導體晶圓廠,生產8英寸晶圓。
住友電工:計劃投資約300億日元(約2.14億美元)支付在富山縣建設新工廠的費用,該工廠將于2027年開始大規模生產碳化硅晶圓。
SK powertech:5月宣布其位于韓國釜山的新工廠已完成試運行并進入量產。這意味著SK powertech的碳化硅(SiC)半導體產能將增加近兩倍。
Resonac:前身為昭和電工,擁有全球碳化硅(SiC)外延片25%的市場份額。該制造商計劃到2026年將SiC外延片的月產能提高到5萬片(直徑150毫米),相當于目前產能的約5倍。
博世:今年9月,完成了對美國加利福尼亞州羅斯維爾晶圓廠的收購。博世計劃于2026年在該工廠開始在8英寸工藝平臺上量產碳化硅器件,該項目總投資預計將達到15億美元。
瑞薩電子:將于2025年開始生產采用碳化硅(SiC)的下一代功率半導體產品,以減少損失。計劃在群馬縣高崎工廠進行量產,該工廠目前生產硅基功率半導體,但具體投資額數量和生產規模尚未確定。
東芝電子:2月透露,將于2025年開始量產碳化硅功率半導體。
40+國內項目蓄勢待發
國內不少廠家也紛紛布局碳化硅這一熱門領域。據不完全統計,今年以來,我國已有40多個SiC相關項目取得新進展,包括簽約、新建產線、爬坡產能等。國內SiC產業鏈建設正在加速。
除了上述項目進展之外,國內碳化硅設備、襯底、外延片、器件等廠商近期也紛紛公布了產品進展。
晶盛股份(設備):半導體級單晶硅爐、碳化硅單晶爐已順利交付驗收,設備在客戶現場表現良好。
大族激光(設備):在第三代半導體技術方面,公司碳化硅激光切片設備正在持續推進與行業領先客戶的合作,為規模化生產做好準備,并已推出碳化硅激光退火。設備新產品。
天岳先進(襯底):目前,從行業產業化和批量供貨來看,導電碳化硅襯底仍以6英寸為主,國內外尚未實現8英寸襯底的規模化供應。公司已具備8英寸碳化硅襯底的量產能力,也將根據下游客戶的需求,合理規劃產品生產和銷售安排。
晶盛機電(襯底):公司于2017年開始碳化硅晶體生長設備及工藝的研發,已成功開發出6英寸、8英寸碳化硅晶體及襯底晶圓。是國內少數能夠供應8英寸襯底晶圓的企業之一。企業。公司此前已建成一條6-8英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光中試線。6英寸襯底晶圓已得到多家下游企業驗證,并已批量銷售。8英寸襯底晶圓正處于下游企業驗證階段。
三安光電(基板、器件):子公司湖南三安碳化硅產品取得階段性進展,實現8英寸基板準量產。部分產品已進入主流新能源汽車企業供應鏈。在碳化硅MOSFET方面,公司推出了650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET產品,具有高性能、高一致性、高可靠性等優勢。其中,1700V/1000mΩ MOSFET主要應用于光伏逆變器輔助電源,1200V/75mΩ MOSFET主要應用于新能源汽車OBC。兩款產品均處于客戶導入階段,將逐步批量供貨;1200V/16mΩ車規級芯片已通過戰略客戶模塊驗證。
托尼電子(基板):8英寸碳化硅基板正處于研發驗證階段。小批量訂單已經下達,驗證和量產過程將繼續進行。
中電復合(外延片):10月31日,公司完成首批8英寸SiC外延片產品向客戶的交付。8英寸面積較6英寸增加78%,可大幅降低碳化硅器件成本,為進一步推動碳化硅材料降本增效提供有力支撐。技術指標方面,8英寸SiC外延片可實現厚度均勻度≤3%、摻雜濃度均勻度≤5%、表面致命缺陷≤0.5個/cm2。
揚杰科技(器件):碳化硅系列二極管、MOSFET等系列產品在多個領域獲得國內頂級客戶認可,并已批量出貨。碳化硅晶圓項目工廠建設已封頂,設備已逐步進場,相關產品研發也在持續推進。預計該生產線將于2024年投入量產。
寫在最后:
今年3月,特斯拉在投資者大會上透露,將減少75%碳化硅的使用量,一度引起業界對碳化硅市場前景的擔憂。但新能源汽車、光伏等領域的蓬勃發展,仍為碳化硅行業注入強勁動力。無論是海外巨頭還是國內廠商都在加大布局。近年來,國內碳化硅也取得了快速發展,產業鏈和生態不斷完善。未來將與海外巨頭競爭。
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原文標題:碳化硅賽道“涌動” ,國內外巨頭抓緊布局
文章出處:【微信號:WW_CGQJS,微信公眾號:傳感器技術】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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