由于芯片產能提升難、市場供不應求，再加上芯片制造復雜并且科技含量高，對制造設備、工藝技術等等都有極為苛刻的要求，因此，近來在全球范圍內掀起了一股“芯片荒”。“芯片荒”不僅影響到了手機、PC等行業，就連汽車行業也面臨同樣的困境。

IGBT這個詞你可能從沒聽過，但它一直在我們身邊默默服務。小到微波爐、變頻空調、變頻冰箱，大到新能源汽車、高鐵，甚至航母的電磁彈射，IGBT都不可或缺。

IGBT這個詞很抽象，我們可以按功能把它理解為電路開關，非通即斷。它就像家里的電燈開關，只不過是由電信號控制，能承受幾十到幾百伏電壓、幾十到幾百安電流的強電，每秒鐘開關頻率最高可達幾萬次。 IGBT的雛形是二極管 下面我們由淺及深 逐步介紹IGBT有趣的工作原理

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二極管的工作原理

二極管由半導體材料比如硅Si制造出來，Si的價電子層有四個電子，會跟相鄰的四個Si原子形成共價健。

電流的傳導需要自由電子，而共價鍵比較穩定，幾乎沒有多余電子。聰明的科學家想出一個辦法——摻雜。比如用價電子為5的磷P置換Si，自由電子產生了。

用價電子為3的硼B置換另一塊Si，空穴產生了。

前者被稱為N型半導體，后者被稱為P型半導體。將N型和P型半導體拼在一起，二極管就誕生了。

同時因為電子的離開，會使N部分邊緣輕微帶正電。相反，P部分邊緣帶負電。產生的內電場（又稱勢壘）會阻止任何一個電子進一步遷移。

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MOSFET的工作原理

MOSFET，又簡稱MOS管，金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導體(semiconductor)場效應晶體管，一般潛伏在電腦手機中。 MOS管有NPN型和PNP型，被稱為N溝道MOS管和P溝道MOS管。和二極管相同，MOS管的N部分、P部分交界處也會產生內電場，阻止電子擴散，此時沒有電流。

接通電源，底部N部分電子向正極移動，空穴向相反方向移動，底部N與P交界處內電場持續增大，即電路斷開。

反向接通電源，在上端的N型半導體與P型半導體交界處，內電場增大，電路依舊處于斷開狀態。那么，怎么才能讓電路接通呢？

聰明的工程師又來了，他在P部分上方加入金屬板和絕緣板，又稱為柵級。

源極與漏極電壓不變，柵源加正電壓。柵極將P部分電子吸引到絕緣板附近，空穴被填充，此處電位逐漸變化到和兩旁N部分相同，于是一條通道打開了。

之后電子在源極、漏極電壓驅動下運動，產生電流，電路接通。

柵極的存在，使得MOS管只需要很小的驅動功率，而且開關速度快。

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IGBT工作原理

其實IGBT的結構和MOS管非常接近，只是背面增加N+和P+層。

“+”意味著更高的自由電子或者空穴密度。從而IGBT在保留MOS管優點的同時，增加了載流能力和抗壓能力。 簡單來說IGBT的功能和作用就是控制能源的變換和傳輸。

外界充電的時候是交流電，需要通過IGBT轉變成直流電然后給電池，同時要把220V電壓轉換成適當的電壓以上才能給電池組充電。 電池放電的時候，把通過IGBT把直流電轉變成交流電機使用的交流電，同時起到對交流電機的變頻控制，當然變壓是必不可少的。IGBT是功率半導體器件，可以說是電動車的的核心技術之一,IGBT的好壞直接影響電動車功率的釋放速度。