ESD抗擾度測試實質
從ESD測試配置可以看出,在進行ESD測試時,需要將靜電槍的接地線接至參考接地板(參考接地板接安全地),EUT放置于參考接地板之上(通過臺面或0.1m高的支架),靜電放電槍頭指向EUT中各種可能會被手觸摸到的部位或水平耦合板和垂直耦合板,就決定了ESD測試時一種以共模為主的抗擾度測試,因為ESD最終總要流向參考接地板。
ESD干擾原理也可以從兩方面來講。首先,當靜電放電現象發生在EUT中被測部位時,伴隨著ESD放電電流也將產生,分析這些ESD放電電流波形的上升沿時間會在1ns以下,這意味著ESD是一種高頻現象。ESD 電流路徑與大小不但由EUT內部實際連接關系(這部分連接主要在電路原理圖中體現)決定,而且還會受這種分布參數的影響。
一、靜電放電可能產生的損壞和故障
1、穿透元器件內部薄的絕緣層,損毀MOSFET和CMOS的元器件柵極;
2、CMOS器件中的觸發器鎖死;
3、短路反偏的PN結;
4、短路正向偏置的PN結;
5、熔化有源器件內部的焊接線或鋁線。
二、防護建議
1、PCB周圍的做一圈環地作為電源地(如下圖所示),其它走線在內側。
2、數字地和電源地進行隔離處理(加10nF電容)。
3、地盡量完整,如果條件允許的話,主芯片的地盡量不要分割,接地導體的電連續性設計對提高系統的抗ESD能力極為重要。
4、對于PCB上的金屬體,一定要直接或間接地接到地平面上,不要懸空。另外,對于較敏感的電路或芯片,在布局時盡量遠離ESD放電點。
5、針對比較敏感的電路或芯片,在信號線上加瞬態抑制保護器件進行保護,可以先預留保護器件的位置。
(1)USB口(兩根信號線和一根電源線一根地線)
防護方案:
封裝SOT-143,電壓5V;
(2)DC 5V電源口正對地加雙向保護器件(電壓6V,封裝SOD-214AA,功率720W);
(3)復位芯片:復位信號對地加超低容值ESD(電壓5V,容值小于1pF,封裝0402),上拉3.3V對地加低容值ESD(電壓5V,容值10pF,封裝0402);
(4)Flash芯片:1、2、3、5、6、7腳對地加超低容值ESD(電壓5V,容值小于1pF,封裝0402),8腳(電源腳)對地加低容值ESD(電壓5V,容值10pF,封裝0402);
(5)觸摸IC:9、10、17、18腳對地加超低容值ESD(電壓5V,容值小于1pF,封裝0402);
(6)旋鈕:信號口對地加低容值ESD(電壓5V,容值10pF,封裝0402);
(7)顯示部分:信號口對地留ESD位置(電壓5V,容值10pF,封裝0402);
(8)溫度采集IC:信號口對地加超低容值ESD(電壓5V,容值小于1pF,封裝0402)。
綜上所述,相信通過本文的描述,各位對ESD靜電的原理與整改建議都有一定了解了吧,有疑問和有不懂的想了解可以隨時咨詢深圳比創達這邊。今天就先說到這,下次給各位講解些別的內容,咱們下回見啦!也可以關注我司wx公眾平臺:深圳比創達EMC!
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審核編輯 黃宇
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