導語：憑借強大的技術創新實力，英特爾在日前召開的IEEE國際電子器件會議EDM 2023上，展示出一系列令人矚目的成果，讓人們看到摩爾定律仍舊保持生命力。公司杰出的技術團隊正在全力突破技術前沿。英特爾身為全球領先的半導體解決方案供應商，用行動和成果證明了他們是引領半導體行業走向未來的主導力量。

在近日舉行的EDM 2023上，半導體巨頭英特爾展示了一項結合了直接背面觸點和背面電源的3D堆疊CMOS晶體管技術，以及其在背面供電和硅元素/氮化鎵（GaN）晶體管大規模單片集成上的突出成績。此外，英特爾還率先完成了在300毫米晶圓上進行硅晶體管和氮化鎵晶體管集成的巨大創舉，這一成果無疑向業界宣告了他們在三維集成和背面供電等尖端技術和設計方面的卓越實力。

該會議的出席者之一，英特爾公司高級副總裁暨組件研究總經理Sanjay Natarajan表示：“放眼長期，我們已經開始朝向制程技術的E時代，即所謂的‘四年五個制程節點’規劃。所以，現在比過去任何時刻更需要不斷地開展革新。在本次的EDM 2023上，我們盡力向大眾展示了我們在保持摩爾定律的可持續性上所做的努力。”他進一步解釋說，雙面供電技術、先進封裝部件的玻璃基底以及Foveros Direct等多個最近的發展，均展示了英特爾持續推進摩爾定律的決心。

眾所周知，晶體管微縮和背面供電是英特爾滿足快速增長的算力市場需求的關鍵所在。雖然面臨著困境和挑戰，例如成本壓力，但英特爾堅定不移地推動著自己的發展計劃，使自身在滿足此類市場需求時處于領先地位。在最近的這一系列進展中，英特爾顯示了對晶體管堆疊、背面供電技術的改進以及各種材料晶體管的整合等方面的廣泛研究和深入探索。

英特爾的這些創新科技，預計將能于2030年前效勞于社會。為此，英特爾特別設立了各種實驗室前瞻研究項目，意在通過更高的效率疊加晶體管來實現更大程度的縮小體積。借助背面供電和背面接觸等工具，可以看出英特爾在晶體管結構技術方面取得了顯著的進步。英特爾研究師在會議期間，詳細介紹了她們在使用新2D通道材料以提升背面供電技術方面做出的努力，這都表明了其薄膜技術的進一步推進。有鑒于此，英特爾對摩爾定律的繼續推崇也就不足為奇了。英特爾堅信，通過這種方式，到2030年之前，他們完全能夠實現在單個封裝內融合超過一京等于1000億個晶體管的壯舉。

結語：英特爾在此次的活動中，再次用實際行動證明了它作為半導體巨人的地位。在面對市場競爭和技術變革時，英特爾不僅沒有被打倒，反而抓住機遇，成為了引領行業的標志性存在。未來，英特爾將會繼續發揮其強大技術創新能力，打造出更多符合客戶需求的優質產品，致力于推動全球芯片科技的進步，讓我們共同期待英特爾帶給我們更多的驚喜！