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碳化硅功率器件的特點和應用現狀

國晶微第三代半導體碳化硅SiC ? 來源:國晶微第三代半導體碳化 ? 2023-12-14 09:14 ? 次閱讀

碳化硅功率器件:現狀、挑戰與未來

一、引言

隨著電力電子技術的不斷發展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導體材料,在電力電子領域的應用越來越廣泛。與傳統的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優點,因此在電動汽車、風力發電、軌道交通等領域得到了廣泛應用。本文將對碳化硅功率器件的原理、特點、應用現狀、挑戰以及未來發展趨勢進行詳細介紹。

二、碳化硅功率器件的原理和特點

碳化硅功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件,其工作原理是通過控制半導體材料的導電性能來實現對電流和電壓的控制。碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優點,主要表現在以下幾個方面:

高效率:碳化硅材料的電子飽和遷移率較高,使得碳化硅功率器件具有高效率。

高功率密度:與傳統的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有更高的功率密度,能夠在短時間內為設備提供大量的能量。

高耐壓:碳化硅功率器件能夠承受較高的電壓,使得其在高壓環境下具有較好的性能。

高耐流:碳化硅功率器件具有較大的額定電流,能夠滿足大功率應用的需求。

三、碳化硅功率器件的應用現狀

目前,碳化硅功率器件在電動汽車、風力發電、軌道交通等領域得到了廣泛應用。在電動汽車領域,碳化硅功率器件被用于驅動電機控制器和充電樁等設備;在風力發電領域,碳化硅功率器件被用于風力發電機的電源轉換和控制系統;在軌道交通領域,碳化硅功率器件被用于牽引電機控制器和輔助電源等設備。

四、碳化硅功率器件面臨的挑戰

雖然碳化硅功率器件具有許多優點,但是在實際應用中仍然面臨著一些挑戰。首先,碳化硅功率器件的成本較高,限制了其在一些領域的應用。其次,碳化硅功率器件的可靠性需要進一步提高,以滿足長時間運行和高環境溫度等惡劣條件下的要求。此外,碳化硅功率器件的散熱問題也需要得到更好的解決,以保證其在高溫環境下的穩定運行。

五、碳化硅功率器件的未來發展趨勢

隨著技術的不斷進步和應用需求的不斷提高,碳化硅功率器件的未來發展趨勢將主要體現在以下幾個方面:

降低成本:隨著生產工藝的改進和生產規模的擴大,碳化硅功率器件的成本將逐漸降低,從而促進其在更多領域的應用。

提高可靠性:通過改進材料和工藝,提高碳化硅功率器件的可靠性,以滿足惡劣條件下的運行要求。

優化散熱設計:通過優化散熱設計,提高碳化硅功率器件的散熱性能,以保證其在高溫環境下的穩定運行。

拓展應用領域:隨著技術的不斷進步和應用需求的不斷提高,碳化硅功率器件的應用領域將不斷拓展,例如在智能家居工業自動化等領域的應用。

六、結論

碳化硅功率器件作為一種新型的半導體材料,在電力電子領域的應用越來越廣泛。雖然在實際應用中仍然面臨著一些挑戰,但是隨著技術的不斷進步和應用需求的不斷提高,碳化硅功率器件的未來發展趨勢將非常廣闊。

無錫國晶微半導體技術有限公司是寬禁帶第三代半導體碳化硅SiC功率器件、氮化鎵GaN光電器件以及常規集成電路研發及產業化的高科技創新型企業,從事碳化硅場效應管,碳化硅肖特基二極管、GaN光電光耦繼電器、單片機集成電路等產品芯片設計、生產與銷售并提供相關產品整體方案設計配套服務,總部位于江蘇省無錫市高新技術開發區內,并在杭州、深圳和香港設有研發中心和銷售服務支持中心及辦事處。

公司具有國內領先的研發實力,專注于為客戶提供高效能、低功耗、低阻值、品質穩定的碳化硅高低功率器件及光電集成電路產品,同時提供一站式的應用解決方案和現場技術支持服務,使客戶的系統性能優異、靈活可靠,并具有成本競爭力。

公司的碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,產品已經投入批量生產,產品完全可以對標國際品牌同行的先進品質及水平。先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業級、車規級可靠性測試的碳化硅MOSFET系列產品,性能達到國際先進水平,應用于太陽能逆變電源、新能源電動汽車及充電樁、智能電網、高頻電焊、軌道交通、工業控制特種電源、國防軍工等領域。由于其具有高速開關和低導通電阻的特性,即使在高溫條件下也能體現優異的電氣特性,大幅降低開關損耗,使元器件更小型化及輕量化,效能更高效,提高系統整體可靠性,可使電動汽車在續航里程提升10%,整車重量降低5%左右,并實現設計用充電樁的高溫環境下安全、穩定運行。

特別在高低壓光耦半導體技術方面更是擁有業內領先的研發團隊。在國內創先設計開發了28nm光敏光柵開關PVG芯片技術,并成功量產應用于60V、400V、600V高低壓、低內阻、低電容的光電耦合繼電器芯片、涵蓋1500kVrms SOP超小封裝及3750kVrms隔離增強型常規SMD、DIP等不同封裝,單路、雙路、混合雙路、常開常閉等電路產品,另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit單片機等集成電路產品,均獲得市場及各重點科研單位、檢測機構的新產品認定。

公司核心研發團隊中大部分工程師擁有碩士及以上學位,并有多名博士主持項目的開發。公司建立了科技創新和知識產權管理的規范體系,在電路設計、半導體器件及工藝設計、可靠性設計、器件模型提取等方面積累了眾多核心技術,擁有多項國際、國內自主發明專利。

“國之重器,從晶出發,自強自主,成就百年”是國晶微半導體的企業目標,我們為員工提供精彩的發展空間,為客戶提供精良的產品服務,我們真誠期待與您攜手共贏未來。

審核編輯:湯梓紅

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原文標題:碳化硅功率器件:現狀、挑戰與未來

文章出處:【微信號:國晶微第三代半導體碳化硅SiC,微信公眾號:國晶微第三代半導體碳化硅SiC】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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