11月14日，英飛凌科技的62mm CoolSiC MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊憑借其卓越的性能，榮獲2023年度行家極光獎(jiǎng)最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)，再次展現(xiàn)了英飛凌在碳化硅領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新能力和行業(yè)領(lǐng)先地位，得到了業(yè)內(nèi)專家和客戶的認(rèn)可。

2023年上市的62mm CoolSiC MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊采用溝槽柵，大大提升器件參數(shù)、可靠性及壽命。2000V的電壓等級(jí)，可簡(jiǎn)化1500VDC光伏系統(tǒng)拓?fù)湓O(shè)計(jì)，將傳統(tǒng)IGBT器件的三電平方案簡(jiǎn)化為兩電平，使1500VDC光伏系統(tǒng)效率上了新臺(tái)階。

通過(guò)碳化硅擴(kuò)展成熟的62mm封裝的產(chǎn)品，滿足了快速開(kāi)關(guān)要求和低損耗，高效率的應(yīng)用，適用于儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電、光伏逆變器、牽引以及UPS等應(yīng)用。

采用62mm封裝的2000V產(chǎn)品組合包含3.5mΩ/300A和2.6mΩ/400A兩種型號(hào)，還有評(píng)估板可供選擇。了解更多信息，請(qǐng)點(diǎn)擊文末“閱讀原文”。

英飛凌自1992開(kāi)始著手于碳化硅的研究，在長(zhǎng)達(dá)30年的時(shí)間里，英飛凌不斷地進(jìn)行技術(shù)打磨和沉淀，不遺余力地在碳化硅領(lǐng)域做出自己的貢獻(xiàn)。英飛凌科技將繼續(xù)推動(dòng)碳化硅產(chǎn)品和技術(shù)的發(fā)展，為全球客戶提供更為高效、可靠的產(chǎn)品解決方案。