又到歲末年初時(shí),電子發(fā)燒友網(wǎng)策劃《2024半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題,收到了數(shù)十位國(guó)內(nèi)外創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點(diǎn)。此次電子發(fā)燒友網(wǎng)特別采訪了CGD亞太區(qū)FAE經(jīng)理徐維利,以下是他對(duì)2024年半導(dǎo)體市場(chǎng)的分析與展望。
Cambridge GaN Devices(CGD)是一家無(wú)晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司,開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。
CGD由劍橋大學(xué)的Florin Udrea教授和Giorgia Longobardi博士于2016年成立,旨在開發(fā)功率器件領(lǐng)域的革命性技術(shù)。公司的使命是通過(guò)提供易于實(shí)現(xiàn)的高能效GaN解決方案,將創(chuàng)新融入日常生活。CGD設(shè)計(jì)、開發(fā)和銷售適合大批量生產(chǎn)的GaN晶體管和IC,致力于在能源效率和緊湊性方面實(shí)現(xiàn)大幅改變。
回顧2023年,可以發(fā)現(xiàn)由于需求力道不強(qiáng),庫(kù)存壓力等情況,2023年的環(huán)境相對(duì)是比較艱辛的,不過(guò)這也是專心思考,訂立策略并且發(fā)展新技術(shù)的好時(shí)機(jī)。
在2023年間,針對(duì)待機(jī)功耗大幅降低的未來(lái)需求,CGD推出了ICeGaN H2系列來(lái)因應(yīng),也得了國(guó)內(nèi)ElectronicsWeekly的年度功率系統(tǒng)產(chǎn)品獎(jiǎng)項(xiàng),以及2023年EE Award Asia的獎(jiǎng)項(xiàng)。獲得肯定的同時(shí),CGD也會(huì)繼續(xù)求進(jìn)步,努力推廣ICeGaN,為減少碳足跡盡一份心力。
值得注意的一點(diǎn)是,在當(dāng)下,AI大模型已經(jīng)成為新型智算基礎(chǔ)設(shè)施,云端服務(wù)器和手機(jī)端大模型的演進(jìn)也正在進(jìn)行。產(chǎn)生不少需求的同時(shí),也為廠商帶來(lái)了不小的技術(shù)挑戰(zhàn)。
CGD看到由于AI生成服務(wù)的大幅興起,對(duì)于算力的需求顯著提升。新世代的GPU對(duì)于功率的需求也跳躍式的增加,換句話說(shuō),提高功率密度是勢(shì)在必行。
第三代半導(dǎo)體,尤其是適合高頻切換的氮化鎵對(duì)于提高功率密度更有幫助。針對(duì)大功率的應(yīng)用,配合新世代的水冷板加氣冷散熱,適合大功率大電流,針對(duì)散熱系統(tǒng)優(yōu)化的封裝便是未來(lái)幾年半導(dǎo)體廠商需要面對(duì)的重要課題。
數(shù)據(jù)顯示,2022年中國(guó)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到111.79億元,同比增長(zhǎng)39.2%,2018年到2022年復(fù)合增長(zhǎng)率為43%,增長(zhǎng)速度驚人。其中2022年GaN半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到62.58億元。
據(jù)Market and Market 、Yole等機(jī)構(gòu)的增長(zhǎng)幅度測(cè)算,預(yù)計(jì)到2026年全球GaN元件市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)到423億美元,即突破千億人民幣,年均復(fù)合增長(zhǎng)率約為13.5%。
與此同時(shí),由于生成式AI服務(wù)的興起,AI服務(wù)器已經(jīng)成為顯著的趨勢(shì)。第三代半導(dǎo)體在新興的5G數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用將成為近期最火熱,并且顯著成長(zhǎng)的領(lǐng)域。
CGD的ICeGaN?技術(shù)受到強(qiáng)大的IP產(chǎn)品組合的保護(hù),該產(chǎn)品組合基于公司領(lǐng)先的創(chuàng)新技能和遠(yuǎn)大目標(biāo)而不斷發(fā)展。除了數(shù)百萬(wàn)美元的種子基金以及A輪和B輪私募投資外,CGD迄今為止還成功獲得了iUK、BEIS和EU(Penta)資助的四個(gè)項(xiàng)目。CGD團(tuán)隊(duì)在技術(shù)和商業(yè)方面的專業(yè)知識(shí)以及在功率電子器件市場(chǎng)上的大量突出表現(xiàn),為其專有技術(shù)初期打入市場(chǎng)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
Cambridge GaN Devices(CGD)是一家無(wú)晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司,開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。
CGD由劍橋大學(xué)的Florin Udrea教授和Giorgia Longobardi博士于2016年成立,旨在開發(fā)功率器件領(lǐng)域的革命性技術(shù)。公司的使命是通過(guò)提供易于實(shí)現(xiàn)的高能效GaN解決方案,將創(chuàng)新融入日常生活。CGD設(shè)計(jì)、開發(fā)和銷售適合大批量生產(chǎn)的GaN晶體管和IC,致力于在能源效率和緊湊性方面實(shí)現(xiàn)大幅改變。
CGD亞太區(qū)FAE經(jīng)理徐維利
回顧2023年,可以發(fā)現(xiàn)由于需求力道不強(qiáng),庫(kù)存壓力等情況,2023年的環(huán)境相對(duì)是比較艱辛的,不過(guò)這也是專心思考,訂立策略并且發(fā)展新技術(shù)的好時(shí)機(jī)。
在2023年間,針對(duì)待機(jī)功耗大幅降低的未來(lái)需求,CGD推出了ICeGaN H2系列來(lái)因應(yīng),也得了國(guó)內(nèi)ElectronicsWeekly的年度功率系統(tǒng)產(chǎn)品獎(jiǎng)項(xiàng),以及2023年EE Award Asia的獎(jiǎng)項(xiàng)。獲得肯定的同時(shí),CGD也會(huì)繼續(xù)求進(jìn)步,努力推廣ICeGaN,為減少碳足跡盡一份心力。
值得注意的一點(diǎn)是,在當(dāng)下,AI大模型已經(jīng)成為新型智算基礎(chǔ)設(shè)施,云端服務(wù)器和手機(jī)端大模型的演進(jìn)也正在進(jìn)行。產(chǎn)生不少需求的同時(shí),也為廠商帶來(lái)了不小的技術(shù)挑戰(zhàn)。
CGD看到由于AI生成服務(wù)的大幅興起,對(duì)于算力的需求顯著提升。新世代的GPU對(duì)于功率的需求也跳躍式的增加,換句話說(shuō),提高功率密度是勢(shì)在必行。
第三代半導(dǎo)體,尤其是適合高頻切換的氮化鎵對(duì)于提高功率密度更有幫助。針對(duì)大功率的應(yīng)用,配合新世代的水冷板加氣冷散熱,適合大功率大電流,針對(duì)散熱系統(tǒng)優(yōu)化的封裝便是未來(lái)幾年半導(dǎo)體廠商需要面對(duì)的重要課題。
數(shù)據(jù)顯示,2022年中國(guó)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到111.79億元,同比增長(zhǎng)39.2%,2018年到2022年復(fù)合增長(zhǎng)率為43%,增長(zhǎng)速度驚人。其中2022年GaN半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到62.58億元。
據(jù)Market and Market 、Yole等機(jī)構(gòu)的增長(zhǎng)幅度測(cè)算,預(yù)計(jì)到2026年全球GaN元件市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)到423億美元,即突破千億人民幣,年均復(fù)合增長(zhǎng)率約為13.5%。
與此同時(shí),由于生成式AI服務(wù)的興起,AI服務(wù)器已經(jīng)成為顯著的趨勢(shì)。第三代半導(dǎo)體在新興的5G數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用將成為近期最火熱,并且顯著成長(zhǎng)的領(lǐng)域。
CGD的ICeGaN?技術(shù)受到強(qiáng)大的IP產(chǎn)品組合的保護(hù),該產(chǎn)品組合基于公司領(lǐng)先的創(chuàng)新技能和遠(yuǎn)大目標(biāo)而不斷發(fā)展。除了數(shù)百萬(wàn)美元的種子基金以及A輪和B輪私募投資外,CGD迄今為止還成功獲得了iUK、BEIS和EU(Penta)資助的四個(gè)項(xiàng)目。CGD團(tuán)隊(duì)在技術(shù)和商業(yè)方面的專業(yè)知識(shí)以及在功率電子器件市場(chǎng)上的大量突出表現(xiàn),為其專有技術(shù)初期打入市場(chǎng)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
1922瀏覽量
73051 -
CGD
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
11瀏覽量
8161 -
第三代半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
154瀏覽量
6929 -
生成式AI
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
489瀏覽量
460
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識(shí)
第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導(dǎo)體領(lǐng)域的一顆“新星”——第三代
江西薩瑞微榮獲"2024全國(guó)第三代半導(dǎo)體制造最佳新銳企業(yè)"稱號(hào)
快速發(fā)展與創(chuàng)新實(shí)力在2024全國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)上,江西薩瑞微電子科技有限公司榮獲"2024全國(guó)第三代半導(dǎo)體制造最佳新銳企業(yè)"稱號(hào)。這一榮譽(yù)不僅是對(duì)公司技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用
隨著科技的發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)歷了多次變革,而第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn),正在深刻改變我們的日常生活和工業(yè)應(yīng)用。
萬(wàn)年芯榮獲2024第三代半導(dǎo)體制造最佳新銳企業(yè)獎(jiǎng)
10月22日,2024全國(guó)第三代半導(dǎo)體大會(huì)暨最佳新銳企業(yè)獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮在蘇州隆重舉辦。這場(chǎng)備受矚目的行業(yè)盛會(huì)匯聚了眾多行業(yè)精英,共有30+位企業(yè)高管演講、50+家展商現(xiàn)場(chǎng)展示。在這場(chǎng)行業(yè)盛會(huì)上,江西萬(wàn)年
第三代半導(dǎo)體和半導(dǎo)體區(qū)別
半導(dǎo)體是指導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料,具有獨(dú)特的電學(xué)性質(zhì),是電子工業(yè)中不可或缺的基礎(chǔ)材料。隨著科技的進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,半導(dǎo)體材料經(jīng)歷了從第一代到
納微半導(dǎo)體發(fā)布第三代快速碳化硅MOSFETs
納微半導(dǎo)體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體的行業(yè)領(lǐng)軍者,近日正式推出了其最新研發(fā)的第三代快速(G3F)碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列,包括650V和1200V兩大規(guī)格。
第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng),2024慕尼黑上海電子展提供產(chǎn)業(yè)發(fā)展探討平臺(tái)
近年來(lái),我國(guó)信息技術(shù)得到迅猛發(fā)展,第三代半導(dǎo)體作為其中的關(guān)鍵器件起著重要作用。政策方面國(guó)家出臺(tái)了一系列相關(guān)政策旨在大力提升先進(jìn)計(jì)算、新型智能終端、超高清視頻、網(wǎng)絡(luò)安全等數(shù)字優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力,積極推進(jìn)
發(fā)表于 05-23 14:59
?232次閱讀
一、二、三代半導(dǎo)體的區(qū)別
在5G和新能源汽車等新市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體材料有望迎來(lái)加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無(wú)法完全滿足5G和新能源汽車的需求,碳化硅和氮化
發(fā)表于 04-18 10:18
?2848次閱讀
高通推出第三代驍龍8s移動(dòng)平臺(tái),為智能手機(jī)帶來(lái)行業(yè)領(lǐng)先的終端側(cè)AI
第三代驍龍8s移動(dòng)平臺(tái)通過(guò)特選的旗艦功能,帶來(lái)出色的終端側(cè)生成式AI特性以及影像和游戲體驗(yàn)。
2023年第三代半導(dǎo)體融資超62起,碳化硅器件及材料成投資焦點(diǎn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/劉靜)在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等新興領(lǐng)域的需求帶動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)近幾年高速增長(zhǎng)。盡管今年半導(dǎo)體經(jīng)濟(jì)不景氣,機(jī)構(gòu)投資整體更理性下,
第三代半導(dǎo)體龍頭涌現(xiàn),全鏈布局從國(guó)產(chǎn)化發(fā)展到加速出海
第三代半導(dǎo)體以此特有的性能優(yōu)勢(shì),在半導(dǎo)體照明、新能源汽車、新一代移動(dòng)通信、新能源并網(wǎng)、高速軌道交通等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。2020年9月,第三代
中電化合物榮獲“中國(guó)第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”
近日,華大半導(dǎo)體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國(guó)第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào),其生產(chǎn)的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)”。這一榮譽(yù)充分體現(xiàn)了中電化合物在
第三代半導(dǎo)體的發(fā)展機(jī)遇與挑戰(zhàn)
芯聯(lián)集成已全力挺進(jìn)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng),自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模組封裝技術(shù)的研究開發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)。短短兩年間,芯聯(lián)集成便已成功實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新的三次重大飛躍,器件性能與國(guó)際頂級(jí)企業(yè)齊肩,并且已穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)6英寸5000片/
?第三代半導(dǎo)體之碳化硅行業(yè)分析報(bào)告
半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律,逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求,砷化鎵、碳化硅、氮化
發(fā)表于 12-21 15:12
?3137次閱讀
是德科技第三代半導(dǎo)體動(dòng)靜態(tài)測(cè)試方案亮相IFWS
2023年11月29日,第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)和“第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)”成功召開,是德科技參加第九屆國(guó)際第三代
評(píng)論