氮化鎵功率器件的電壓限制主要是由以下幾個原因造成的。

首先，氮化鎵是一種寬能帶隙半導體材料，具有較高的擊穿電場強度和較高的耐壓能力。盡管氮化鎵材料具有較高的擊穿電場強度，但在制備器件時，仍然存在一定的缺陷和雜質。這些缺陷和雜質會導致器件的擊穿電壓明顯降低。另外，氮化鎵材料的特殊晶體結構和雜質導致器件在高電場下會發生電子水平的提升和局域場增強，進而導致電子與雜質之間發生能級的耦合，形成局域散射中心，從而進一步降低了器件的耐壓能力。

其次，氮化鎵功率器件的電壓限制還與制備工藝有關。目前，氮化鎵功率器件的制備工藝相對成熟，但在高電場下，器件內部電子的能級躍遷可能會引起局部電子濃度的變化，從而影響器件的電壓特性。此外，制備工藝中的缺陷和雜質也會影響器件的擊穿特性，限制了其最大耐壓能力。

另外，氮化鎵功率器件的電壓限制還與器件結構有關。在氮化鎵功率器件中，常用的結構包括MOSFET、MESFET、HEMT等。不同的結構在電壓限制上存在差異。例如，在MOSFET 結構中，場效應管的耐壓主要取決于絕緣層的厚度和質量，而在MESFET 結構中，耐壓主要受限于高電子濃度區域的長度。因此，不同結構的器件在耐壓能力上存在差異。

此外，環境溫度也會對氮化鎵功率器件的電壓限制產生影響。由于氮化鎵功率器件的工作溫度較高，環境溫度的升高會進一步增加器件內部電子的能級躍遷、雜質散射等現象，從而影響器件的耐壓性能。

綜上所述，氮化鎵功率器件電壓650V的限制主要是由材料的缺陷和雜質、制備工藝、器件結構和環境溫度等因素共同作用所導致的。為了提高氮化鎵功率器件的耐壓能力，可以通過優化材料質量和制備工藝，改進器件結構，以及降低工作溫度等措施來進行改進和優化。