當涉及到將變量存儲在Flash中時，我們通常指的是將變量存儲在STM32微控制器的閃存器件中。在STM32芯片中，閃存用于存儲程序代碼和只讀數據，但對于一些應用情況，我們可以使用閃存來存儲可讀寫的變量。

雖然SRAM是通常用于存儲變量的內存區域，但在某些場景中，需要將變量存儲在閃存中的原因有以下幾點：

1. 節省SRAM空間：對于資源受限的應用，SRAM可能是有限的，因此在閃存中存儲變量可以釋放SRAM空間，使其可以用于其他用途。
2. 數據持久性：將變量存儲在閃存中可以確保其數據持久性，即使在斷電或重新啟動后，變量的值也能保持不變。
3. 更新性：如果需要更新變量的值，而不需要重新燒錄MCU的固件或運行其他復雜的操作，可以通過修改閃存中的數據來實現。

要將變量存儲在閃存中，以下是可能的方法：

1. 使用編譯器指令：某些編譯器支持特殊的指令，例如__attribute__((section(".flash_var")))，可以將變量存儲在特定的閃存區域。具體的指令和語法可能因編譯器而異，必須查閱相關編譯器的文檔以了解更多信息。
2. 自定義存儲函數：您可以編寫自定義的函數，將變量值寫入閃存的特定地址。這需要了解芯片的閃存組織和操作細節，以確保正確的寫入過程，并正確處理閃存的擦除和寫入操作。
3. 使用HAL庫：ST提供了一個用于與STM32微控制器進行交互的標準庫，稱為HAL庫。HAL庫提供了一種使用簡單的接口將變量保存到閃存中的方法。具體的函數和示例代碼可以在官方提供的HAL庫文檔中找到。

無論您選擇哪種方法，都需要較好地了解STM32的閃存器件的特性和限制。

閃存器件通常被分為多個扇區，每個扇區的大小可能不同。在將變量存儲在閃存中時，需要考慮以下因素：

1. 擦除和寫入操作：閃存通常需要在寫入之前擦除扇區，因此存儲變量時需要進行擦除和寫入操作。這可能需要引入性能延遲，并且會消耗相對較長的時間。
2. 壽命和耐久性：閃存器件的擦寫次數是有限的。因此，如果需要頻繁地更新存儲在閃存中的變量，需要注意確保不會超過芯片制造商指定的最大擦寫次數。
3. 數據保護和完整性：為了確保數據的正確性和完整性，應該使用一些校驗機制，例如循環冗余校驗碼（CRC），來驗證變量在閃存中的存儲和讀取過程。

綜上所述，將變量存儲在STM32的閃存中是可行的，但這需要了解芯片的設計特征和操作細節。在使用閃存存儲變量時，必須并且非常小心，以確保數據的正確性和完整性，并遵守芯片制造商的推薦和規范。