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RFIC設計的主要流程和發展趨勢學習

射頻學堂 ? 來源:射頻學堂 ? 2024-01-03 09:34 ? 次閱讀

無線是我們這個時代最大的特點,無論是移動寬帶,還是衛星導航,無人機智能駕駛,都離不開射頻技術的快速發展。而射頻設計中,發展最快的當屬射頻集成電路的發展。

對于數字集成電路,我們很多人都見證了計算機CPU的發展,從早期的386,486,到后來的酷睿,以及到現在的多核CPU。芯片正在以摩爾定律的速度飛速發展著,而且可能在今后很長一段時間都會按照摩爾定律的速度發展。

但有一類芯片則走出了自己的道路,那就是射頻集成電路。這種在高頻工作的芯片,在走一條自己的道路:從原來的分立器件設計,既使用低頻模擬設計技術,又使用微波電路設計的方法,將射頻電路中的調制解調器,振蕩器,混頻器,放大器濾波器甚至天線集成到一個SOC中,來實現信息在電磁波中的傳輸。

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常見射頻系統

通常一個射頻系統有如下部分組成,其中

天線負責信號的發射和接收,完成傳導射頻信號到空間電磁波的轉換;

濾波器負責信號的過濾,通常為帶通濾波器,只允許需要的信號發射出去或者接收進來,濾除無用信號和干擾。

低噪聲放大器用來放大微弱的接收信號,并減小噪聲對信號的干擾。

功率放大器則將發射路徑的小信號放大到一定的功率電平,以保證遠距離的無線傳輸。

調制器則用于信號調制,對信號進行信道編碼,以滿足通信信道的要求。通常是“上變頻“,把信息加載到射頻載波上。

解調器則是對接收到的信號進行解碼,從射頻載波中恢復原始信號。

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下面我們結合網絡上的資料學習一下RFIC設計的主要流程和發展趨勢。

No.1 RFIC 主要技術簡介

RFIC開發技術主要取決于其應用場景的要求,包括工作頻率范圍,帶寬,性能等等。SiGe(硅鍺)、GaAs(砷化鎵)、CMOS(互補金屬氧化物半導體)和SOI(絕緣體上硅)都可用于RFIC開發,并且在RFIC設計領域各有其優勢和應用。

SiGe(硅鍺):SiGe通常用于需要在微波和毫米波頻率范圍內實現高頻性能平衡以及與CMOS技術中的數字元件集成的應用。無線通信設備更喜歡SiGe技術。

GaAs(砷化鎵):GaAs是高頻和高功率應用的首選,例如雷達和衛星通信系統,因為GaAs具有高電子遷移率。

CMOS(互補金屬氧化物半導體):CMOS技術具有成本效益,因此是在單個芯片上集成射頻和數字元件的有吸引力的選擇。此外,CMOS RFIC具有節能性,適用于智能手機物聯網傳感器等電池供電的無線設備。

SOI(絕緣體上硅):SOI技術在晶體管之間提供更好的隔離,從而減少串擾和干擾。低寄生電容還支持高頻操作。它最適合軍事和國防應用。

No.2 RFIC設計流程

RFIC設計首先要定義RFIC的技術規格和要求,如頻率范圍、數據速率、功率規格等。然后,創建一個高級架構,該架構描繪了主要模塊并定義了它們的互連。使用高級架構,可以創建一個行為模型,該模型是對設計的低級抽象。在此之后,為上述每個模塊創建電路設計,包括放大器、濾波器和振蕩器。最后,考慮到寄生元件和電磁兼容性(EMC)因素,為集成電路創建物理布局。

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用于RFIC設計的一些EDA工具包括:Cadence Virtuoso RF Solution、Ansys HFSS、Agilent Genesys和Tanner EDA工具。

下圖是Agilent Genesys 的界面圖

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No.3 RFIC的優勢與挑戰

RFIC具有許多優點,使其成為現代無線通信系統中不可或缺的組件。一些優點是:

小型化和集成化:RFIC將無線通信所需的各種組件集成到單個芯片中。這些元件包括放大器、混頻器、振蕩器、濾波器和調制器/解調器。這種組件的小型化和集成降低了無線設備的尺寸、重量和成本,使其便攜且價格合理。

增強的性能:RFIC 可精確控制無線電信號的頻率、功率和調制,確保數據傳輸高效且無差錯。這對于蜂窩網絡、Wi-Fi藍牙和衛星通信等應用至關重要。

頻率捷變:現代無線通信系統通常在很寬的頻率范圍內運行,以避免干擾并最大限度地提高頻譜利用率。RFIC可以設計為支持頻率捷變,允許設備在不同頻段之間無縫切換。這種靈活性對于各種無線技術在同一環境中共存至關重要。

電源效率:RFIC被設計為高能效,以最大限度地降低功耗,同時保持無線通信系統的可靠性能。許多 RFIC 支持電壓調節,這允許器件根據所需的輸出功率調整其工作電壓。一些 RFIC 還實現了動態電壓和頻率調節 (DVFS),可根據信號強度和數據速率要求動態調整工作電壓和頻率。

提高信號質量:RFIC包括濾波器和均衡器,可提高信號質量,即使在具有挑戰性的環境中也能確保可靠的數據傳輸。

適應標準:無線通信標準和協議發展迅速。RFIC可以進行配置或重新編程,以適應新的標準和要求,而無需更改硬件

RFIC給工程師和設計人員帶來了一些挑戰。RFIC設計人員和工程師面臨的一些挑戰包括:

成本:開發和制造 RFIC 可能非常昂貴,尤其是對于專業應用或定制設計。

信號干擾:RFIC容易受到附近設備或環境因素的干擾。隨著越來越多的無線設備爭奪可用頻段,RFIC需要仔細的屏蔽和濾波,以應對日益增加的干擾和擁塞。

散熱:在高頻下工作會產生熱量,管理熱問題可能具有挑戰性,尤其是在緊湊型設備中。

信號損耗:在高頻下,由于傳輸線損耗和天線效率低下等因素導致的信號損耗變得更加顯著,需要補償。

No.4 RFIC的未來趨勢

射頻集成電路(RFIC)領域有許多令人鼓舞的趨勢,其中一些如下所述:

毫米波和太赫茲頻率:在毫米波(mmWave)和太赫茲(THz)頻段工作的RFIC正受到廣泛關注。這些更高的頻率提供了大量的帶寬,可用于超快速無線通信,包括 5G 及以后。設計用于在這些頻率范圍內工作的RFIC將實現更高的數據速率和更強大的通信系統,使其成為RFIC發展的首要趨勢。

節能物聯網:物聯網 (IoT) 不斷發展,越來越多的設備需要無線連接。未來用于物聯網應用的RFIC將優先考慮能源效率,以延長電池壽命,減少維護要求,并支持物聯網設備在從智能家居工業自動化等各個行業的激增。

人工智能機器學習的集成:RFIC將越來越多地整合人工智能(AI)和機器學習功能。這些集成電路將使用 AI 算法進行頻譜傳感、自適應調制、干擾檢測和緩解以及網絡優化等任務。這一趨勢將提高無線通信系統的效率和適應性,特別是在動態和擁擠的環境中。

這三個趨勢反映了RFIC技術正在迅速發展的方向,以滿足先進無線通信、新興技術的需求,以及對更快、更高效、更可靠的無線連接日益增長的需求。

隨著技術的不斷進步,RFIC在實現各行各業的無線連接和射頻信號處理方面發揮著越來越重要的作用。

總之,射頻集成電路 (RFIC) 處于我們日益互聯的世界的最前沿。這些專用集成電路可實現無線通信、雷達系統、衛星通信等。借助SiGe、GaAs、CMOS和SOI等技術,RFIC設計人員擁有了一個多功能工具包,可以滿足各種應用的需求。EDA工具和半導體工藝的不斷進步確保了RFIC將繼續發展,滿足對高性能、低功耗和高性價比解決方案日益增長的需求。由于RFIC能夠實現無縫的信息交換,并為我們日常依賴的無線技術提供動力,因此它們在我們互聯生活中的重要性怎么強調都不為過。RFIC的未來有望實現更大的創新,進一步塑造現代通信和技術的格局。






審核編輯:劉清

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原文標題:RFIC 設計簡述

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