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RZ/T、RZ/N系列MPU芯片啟動(dòng)注意事項(xiàng)

瑞薩MCU小百科 ? 來(lái)源:瑞薩MCU小百科 ? 2024-01-05 12:20 ? 次閱讀

RZ/T、RZ/N系列MPU

芯片啟動(dòng)注意事項(xiàng)

RZ/T、RZ/N系列MPU有3路電源域,在啟動(dòng)時(shí),外圍設(shè)備也需要進(jìn)行不同電源域的配置,所以電源時(shí)序,復(fù)位信號(hào),以及系統(tǒng)管腳的配置都會(huì)影響芯片的啟動(dòng)流程,如果不能正確配置,芯片則有可能啟動(dòng)不正常,以下為芯片啟動(dòng)時(shí)需要注意的配置介紹。

啟動(dòng)系統(tǒng)介紹

1電源

上下電時(shí)序要求:

958ad238-ab7f-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

芯片對(duì)于上下電有明確的時(shí)序要求,具體要求詳見(jiàn)user manual(用戶手冊(cè))>>Electrical Characteristics章節(jié)。

由于上電時(shí)序十分重要,大部分啟動(dòng)不了的問(wèn)題都是上電時(shí)序不滿足導(dǎo)致,所以瑞薩有匹配的電源時(shí)序控制方案可直接使用:

PMIC(DAS9061/DA9080)

② GPARK(SLG46582)

2復(fù)位電路

RZT/RZN芯片有2個(gè)復(fù)位信號(hào):

RES復(fù)位除了仿真電路以外的LSI外設(shè),所以仿真器的復(fù)位需要連到此信號(hào)。

TRST復(fù)位TAP(Test Access Port),仿真器復(fù)位管腳不能連到此處,否則上電復(fù)位時(shí),會(huì)直接復(fù)位TAP電路,導(dǎo)致不能仿真,此管腳有2種推薦接法:

a.和RES接相同的信號(hào),使用仿真器時(shí),參考接法如下:

9598e1a2-ab7f-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

b. 不用此管腳時(shí),可通過(guò)一個(gè)下拉電阻接地,或和RES接相同的信號(hào),注意不能懸空。

仿真器端有2個(gè)復(fù)位信號(hào):

nSRST系統(tǒng)復(fù)位,一定要接,可通過(guò)調(diào)試器復(fù)位系統(tǒng),方便調(diào)試。

nTRSTTAP復(fù)位,可不接。

3時(shí)鐘

有源晶振

尤其是使用ECAT網(wǎng)絡(luò)時(shí),推薦使用有源晶振,接到EXTCLKIN,精度要求25ppm以內(nèi),EXTAL連接到VSS,XTAL保持開(kāi)。

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無(wú)源晶振

晶振和電容盡可能靠近EXTAL和XTAL引腳,晶體的PCB周圍最好用GND包起來(lái),用于屏蔽的GND走線寬度應(yīng)不小于0.3 mm,與相鄰走線之間應(yīng)保持0.3 mm ~ 2.0 mm的距離。

95b188e2-ab7f-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

95bc7978-ab7f-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

4MDV電源域配置管腳

95cf64ca-ab7f-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

點(diǎn)擊可查看大圖

RZT/RZN有不同的電源域配置,根據(jù)MDV0~MDV4管腳進(jìn)行配置:

MDV0~MDV2

對(duì)應(yīng)ETH0~ETH2,根據(jù)實(shí)際的PHY芯片選擇對(duì)應(yīng)的1.8V還是3.3V

MDV3~MDV4

對(duì)應(yīng)XSPI0,XSPI1,根據(jù)外部配置的存儲(chǔ)芯片類型確定。

以上管腳只在復(fù)位釋放時(shí)檢測(cè),程序正常啟動(dòng)后可以復(fù)用為其他功能,以下為參考設(shè)計(jì)方法,使用一個(gè)選通芯片進(jìn)行選擇,復(fù)位拉低時(shí),選通固定的高低電平配置,復(fù)位拉高后,使用為EtherNET LED功能。

95e60554-ab7f-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

5其他需要特殊處理的系統(tǒng)管腳

MDD (JTAG authentication by hash signal)下拉(正常模式)。

BSCANP (Boundary scan setting)下拉(關(guān)閉邊界掃描設(shè)置)。

MDX系統(tǒng)管腳,固定接下拉。

MDW (ATCM wait cycle select signal)此管腳配置ATCM的訪問(wèn)延時(shí),如果CPU時(shí)鐘低于或等于400MHz時(shí),為0等待(MDW =0),高于400MHz時(shí),為1個(gè)等待(MDW = 1),所以此管腳只在RZT系列才有,RZN系列最高跑在400MHz,不需要此管腳。

NMI (不可屏蔽中斷) 上升沿或下降沿都會(huì)觸發(fā)此中斷,所以常規(guī)接法是將此管腳上拉。

6網(wǎng)絡(luò)周邊 (適配YT8512為例)

ECAT推薦使用MII接口,小地址IN,大地址OUT,地址需要連續(xù),地址0一般不用。

YT8512芯片LED1/PHYAD[1]/ETHn_LINK,3個(gè)信號(hào)在同一個(gè)管腳復(fù)用,所以需要做以下操作:

① LED的狀態(tài)需要保持在穩(wěn)定狀態(tài),即不能做成閃爍狀態(tài)。(PHY寄存器改成0x30,收發(fā)包時(shí),LED亮,down時(shí),LED滅)

LEDO對(duì)應(yīng)的寄存器為ext Reg0x40C0;(上電默認(rèn)值為0x0311)

LED1對(duì)應(yīng)的寄存器為ext Reg0x40C2;(上電默認(rèn)值為0x0320)

向這兩個(gè)寄存器賦不同值,則LED做相應(yīng)的狀態(tài)顯示,典型幾種配置如下:

ext Reg0x40C0/0x40C3 配置值

動(dòng)作行為

0x0311

link在10M時(shí),LED亮;link在10M且收發(fā)包,LED閃

0x0320

link在100M時(shí),LED亮;link在100M且收發(fā)包,LED閃

0x30

link或收發(fā)包時(shí),LED亮;link down時(shí)滅

0x1300

收發(fā)包時(shí)閃爍;不收發(fā)包即滅

② YT8512的LED1內(nèi)部有自動(dòng)檢測(cè)外部上下拉狀態(tài)的判斷LED1有效的功能,需要根據(jù)PHY芯片LED1的上下拉狀態(tài),來(lái)對(duì)應(yīng)配置MPU的link檢測(cè)狀態(tài)的極性PHYLNK.CATLNK,否則ECAT網(wǎng)絡(luò)會(huì)反復(fù)Link-up,Link-down,以下是YT8512外圍的參考設(shè):

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1. 硬件設(shè)計(jì)

●參考25Mhz時(shí)鐘可以使用外部時(shí)鐘源,或從芯片直接提供給PHY

●檢查MDIO是否需要一個(gè)外部上拉電阻,CRS接地

●考慮在信號(hào)源附近增加串聯(lián)終端電阻以減少信號(hào)線上的反射

2.PCB走線注意

●RMII/MII的阻抗為50歐姆±10%,大多數(shù)布線的正常標(biāo)準(zhǔn)

●所有MII/RMII信號(hào)線(數(shù)據(jù)線、時(shí)鐘線和其他)應(yīng)在單層上布線,并具有精確的長(zhǎng)度匹

數(shù)據(jù)線和時(shí)鐘線的跡長(zhǎng)偏差應(yīng)在10mm以內(nèi),應(yīng)避免通孔

● MII/RMII信號(hào)的路徑應(yīng)該盡可能的直,且越短越好。否則,軌跡彎曲不應(yīng)超過(guò)45度

●時(shí)鐘信號(hào)走線硬盡可能短,特殊情況需要等長(zhǎng)布線時(shí),要可被地線屏蔽

●在信號(hào)層下面或上面放置一個(gè)地面層,以便MII/RMII信號(hào)的返回電流隨時(shí)返回

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:RZ/T2M N2L T2L原理圖設(shè)計(jì)要點(diǎn)

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