據(jù)財(cái)聯(lián)社報(bào)道，韓國(guó)內(nèi)存半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)本土產(chǎn)業(yè)的投資興趣增加，內(nèi)存半導(dǎo)體價(jià)格在2023年末持續(xù)攀高。業(yè)者們指出，陸續(xù)有消弭的儲(chǔ)存設(shè)備采購(gòu)訂單正在逐漸回歸。

數(shù)據(jù)顯示，首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動(dòng)大規(guī)模HBM設(shè)備采購(gòu)；此外，三星和SK海力士計(jì)劃加強(qiáng)DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移，進(jìn)一步加大對(duì)DRAM的投資力度。

值得一提的是，向SK海力士提供蝕刻設(shè)備的APTC公司的前端工藝設(shè)備訂單量較去年明顯增加。最近，Chosun Biz報(bào)道NVIDIA預(yù)先支付了700億至1萬(wàn)億韓元（約合5.4億至7.7億美元）予SK海力士及美光，預(yù)計(jì)此筆金額介于10.8億美元至15.4億美元之間。盡管未公開具體用途，業(yè)界猜測(cè)NVIDIA目的在于保證2024年HBM存儲(chǔ)器供應(yīng)穩(wěn)健，免除因新款AI、HPCGPU上市而出現(xiàn)儲(chǔ)備短缺問(wèn)題。

據(jù)透露，三星、SK海力士和美光等存儲(chǔ)巨頭在未來(lái)一年的HBM儲(chǔ)存能力均已實(shí)現(xiàn)銷售告馨。依據(jù)目前的資訊，英偉達(dá)計(jì)劃推出配置HBM3E的產(chǎn)品——包括容量高達(dá)141GB的H200 GPU以及GH200超級(jí)芯片。這些產(chǎn)品備受矚目，因?yàn)?NVIDIA在人工智能和高性能計(jì)算方面保持著市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位，因此大量HBM存儲(chǔ)對(duì)維持H200 GPU和GH200超級(jí)芯片的充足供應(yīng)至關(guān)重要。

面對(duì)市場(chǎng)需求增長(zhǎng)，各大企業(yè)紛紛調(diào)整產(chǎn)品售價(jià)。臺(tái)灣電子時(shí)報(bào)消息，三星與美光兩大供應(yīng)商正籌謀在2024年第一季將DRAM芯片價(jià)格上調(diào)15％至20％。早前已有部分廠商接獲三星的漲價(jià)通知。然而，SK海力士早在去年10月就已經(jīng)宣布漲價(jià)，并計(jì)劃將由給廠家客戶的DRAM及NAND Flash芯片合約價(jià)上調(diào)10％至20％。