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固態(tài)紫外線光源現(xiàn)狀和技術(shù)挑戰(zhàn)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 來源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 2024-01-08 18:02 ? 次閱讀

在過去的十年里,固態(tài)照明行業(yè)創(chuàng)造了數(shù)萬億美元的收入,引領(lǐng)了全球照明領(lǐng)域的能源革命。然而,傳統(tǒng)的固態(tài)照明應(yīng)用已經(jīng)日趨成熟,市場(chǎng)也逐漸飽和。新一代紫外特殊照明、植物照明、車用照明、小間距顯示等多元化高端應(yīng)用市場(chǎng)逐漸興起,成為固態(tài)照明領(lǐng)域新的增長(zhǎng)點(diǎn)和爆發(fā)點(diǎn)。UVA波段365~405nm,2021年需求24萬片,2026年預(yù)計(jì)達(dá)65萬片,固化市場(chǎng)需求穩(wěn)步遞增;UVC波段265~285nm,2019-2020年疫情下UVC迎來爆發(fā)式增長(zhǎng),2021后有所回落進(jìn)入新的調(diào)整期,行家說統(tǒng)計(jì)報(bào)道,UVC芯片需求2021年約6萬片(2“) ,2026年預(yù)計(jì)達(dá)25萬片。UVB波段300~320nm,除大家熟知的植照和醫(yī)療應(yīng)用外,業(yè)內(nèi)也在積極開拓功率短波固化應(yīng)用市場(chǎng)。

近期,在第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)“光醫(yī)療與紫外LED創(chuàng)新應(yīng)用峰會(huì)”上,廈門三安光電有限公司芯片開發(fā)部經(jīng)理兼工藝處處長(zhǎng)臧雅姝做了“固態(tài)紫外線(UVA/B/C)光源現(xiàn)狀和技術(shù)挑戰(zhàn)”的主題報(bào)告,分享了最新研究進(jìn)展。

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紫外LED光源波長(zhǎng)從250nm至420nm,跨越了UVA、UVB、UVC三個(gè)紫外波段。盡管紫外固態(tài)光源已在工業(yè)消費(fèi)電子方面獲得了廣泛的應(yīng)用,但是不同波段的紫外LED光源在規(guī)模化生產(chǎn)上仍存在不同的技術(shù)挑戰(zhàn)。

UVA波段的光源器件當(dāng)前已可實(shí)現(xiàn)較高的電光轉(zhuǎn)換效率,成功取代汞燈光源成為光固化和光催化等應(yīng)用領(lǐng)域的第一選擇,但是,UVA固態(tài)光源的電光效率的仍有較大的提升空間。

而對(duì)于UVB和UVC波段的LED器件,隨著量子結(jié)構(gòu)Al組分含量升高,高晶體質(zhì)量、高穩(wěn)定性的材料制備存在的挑戰(zhàn)越來越高。

同時(shí),UVC波段深紫外LED器件如何降低自吸收,突破光提取效率也是提升WPE的關(guān)鍵。其研究工作中,重點(diǎn)聚焦高晶體質(zhì)量AlxGa1-xN外延技術(shù),通過采用NPSS和超晶格插入層等測(cè)量減少量子結(jié)構(gòu)的缺陷和應(yīng)力;并創(chuàng)新引入高反射電極體系來提升LED器件的光子提取效率,從而推動(dòng)紫外(UVA/B/C)全線產(chǎn)品在性能上獲得突破。

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報(bào)告中詳細(xì)介紹了UVA芯片技術(shù)領(lǐng)域的改進(jìn)計(jì)劃、DUV芯片技術(shù)領(lǐng)域的改進(jìn)計(jì)劃、紫外線產(chǎn)品和應(yīng)用市場(chǎng)的最新進(jìn)展,涉及385/395 nm波段產(chǎn)品技術(shù)階段進(jìn)展、365 nm波段產(chǎn)品技術(shù)階段進(jìn)展、DUV產(chǎn)品技術(shù)階段進(jìn)展、底層AlN quality 改善材料缺陷密度、AlN Void Structure 增強(qiáng)光提取、高能低耗深紫外元件研發(fā)等內(nèi)容。

其中,高能低耗深紫外元件研發(fā)中的“n-Ga(Al)N 電極體系歐姆接觸形成機(jī)理研究”,n型高Al組分AlGaN與傳統(tǒng)Ti基金屬電極高溫退火時(shí),界面處易形成TiN島。Au會(huì)沿TiN島表面擴(kuò)散到AlGaN材料內(nèi)形成AuGa化合物,進(jìn)而在金-半界面形成空隙、降低金屬電極膜層的平整度。設(shè)計(jì)n type電極結(jié)構(gòu)優(yōu)化熔合條件有效改善平整度、同時(shí)減少接觸阻抗。探索高效能芯片疊層結(jié)構(gòu)解決高Al組分AlGaN摻雜困難導(dǎo)致載流子遷移率低的問題;優(yōu)化n hole 尺寸r和n to n距離d實(shí)現(xiàn)最低n type接觸阻抗和最佳擴(kuò)展電流,實(shí)現(xiàn)WPE ~17%提升。






審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:三安光電臧雅姝:固態(tài)紫外線光源現(xiàn)狀和技術(shù)挑戰(zhàn)

文章出處:【微信號(hào):第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),微信公眾號(hào):第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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