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碳化硅功率器件簡介、優勢和應用

國晶微第三代半導體碳化硅SiC ? 來源:國晶微第三代半導體碳化 ? 2024-01-09 09:26 ? 次閱讀

碳化硅(SiC)功率器件

一、碳化硅功率器件簡介

碳化硅(SiC)是一種優良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括碳化硅二極管和碳化硅晶體管。由于其出色的性能,碳化硅功率器件在電動汽車、可再生能源系統、智能電網、軌道交通等領域具有廣泛的應用前景。

二、碳化硅功率器件的優勢

高效率:碳化硅功率器件具有較低的導通電阻和開關損耗,因此在電力轉換系統中能夠顯著提高能源轉換效率,降低能源損失。

高頻率:碳化硅功率器件的開關速度較快,能夠在較高頻率下工作,從而減小了電力電子系統的體積和重量,提高了系統的緊湊性和動態響應性能。

高溫穩定性:碳化硅材料具有高熔點和高熱導率,因此碳化硅功率器件能夠在高溫環境下穩定工作,適用于需要高溫應用的場合。

高壓:碳化硅材料的擊穿電場強度較高,因此碳化硅功率器件能夠承受更高的電壓和電流,適用于高壓和大功率應用。

環保:碳化硅功率器件的能耗較低,能夠減少能源的浪費和二氧化碳的排放,有利于環境保護。

三、碳化硅功率器件的應用

電動汽車:碳化硅功率器件的高效率、高頻率和高溫穩定性等特點,使其成為電動汽車電機控制器和充電樁等關鍵部件的理想選擇。使用碳化硅功率器件能夠提高電動汽車的能源利用效率,延長續航里程,同時減小電機控制器的體積和重量,提高車輛的動力性能和舒適性。

可再生能源系統:碳化硅功率器件適用于風力發電和太陽能發電等可再生能源系統中的功率轉換和控制。其高效率和低損耗特性有助于提高發電效率,減小能源損失,同時減小系統的體積和重量,便于安裝和維護。

智能電網:碳化硅功率器件在智能電網中用于實現高效、靈活的電能管理和控制。其高速開關響應和低損耗特性有助于提高電網的穩定性和可靠性,降低電力損耗,提高電力傳輸和分配的效率。

軌道交通:碳化硅功率器件適用于軌道交通中的牽引系統和輔助電源系統。其高效率和高溫穩定性能夠提高列車牽引效率,減小能源損失,同時減小牽引系統的體積和重量,提高列車的運行穩定性和可靠性。

工業自動化:碳化硅功率器件在工業自動化領域中廣泛應用于電機驅動、自動控制系統和電網監控系統等。其高效率和快速響應特性能夠提高生產效率和設備可靠性,降低維護成本。

四、碳化硅功率器件的發展趨勢

隨著技術進步和應用需求的增長,碳化硅功率器件的發展趨勢主要包括以下幾個方面:

優化結構設計:通過改進器件結構和工藝參數,提高碳化硅功率器件的性能指標和可靠性,進一步拓展其應用領域。

降低制造成本:采用先進的制造技術和材料優化,降低碳化硅功率器件的制造成本,提高生產效率,推動其在更多領域得到廣泛應用。

集成化和模塊化:將多個碳化硅功率器件集成在一起或者與其他電子器件集成,形成模塊化解決方案,簡化電路設計和應用維護。

智能化控制:開發具有自診斷和保護功能的智能控制算法,實現對碳化硅功率器件的智能化控制和優化管理。

多學科交叉融合:加強與材料科學、微電子學、電力電子學等相關學科的交叉融合,推動碳化硅功率器件的創新和發展。

五、總結

碳化硅功率器件作為一種新型的電力電子器件,具有顯著的優勢和應用前景。隨著技術進步和應用需求的不斷增長,碳化硅功率器件的發展趨勢將更加多元化和創新性。未來,隨著材料制備技術、芯片設計技術、封裝測試技術的不斷突破和完善,碳化硅功率器件將在更多領域得到廣泛應用和推廣,為人類的生產和生活帶來更多的便利和創新。

無錫國晶微半導體技術有限公司是寬禁帶第三代半導體碳化硅SiC功率器件、氮化鎵GaN光電器件以及常規集成電路研發及產業化的高科技創新型企業,從事碳化硅場效應管,碳化硅肖特基二極管、GaN光電光耦繼電器、單片機集成電路等產品芯片設計、生產與銷售并提供相關產品整體方案設計配套服務,總部位于江蘇省無錫市高新技術開發區內,并在杭州、深圳和香港設有研發中心和銷售服務支持中心及辦事處。

公司具有國內領先的研發實力,專注于為客戶提供高效能、低功耗、低阻值、品質穩定的碳化硅高低功率器件及光電集成電路產品,同時提供一站式的應用解決方案和現場技術支持服務,使客戶的系統性能優異、靈活可靠,并具有成本競爭力。

公司的碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,產品已經投入批量生產,產品完全可以對標國際品牌同行的先進品質及水平。先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業級、車規級可靠性測試的碳化硅MOSFET系列產品,性能達到國際先進水平,應用于太陽能逆變電源、新能源電動汽車及充電樁、智能電網、高頻電焊、軌道交通、工業控制特種電源、國防軍工等領域。由于其具有高速開關和低導通電阻的特性,即使在高溫條件下也能體現優異的電氣特性,大幅降低開關損耗,使元器件更小型化及輕量化,效能更高效,提高系統整體可靠性,可使電動汽車在續航里程提升10%,整車重量降低5%左右,并實現設計用充電樁的高溫環境下安全、穩定運行。

特別在高低壓光耦半導體技術方面更是擁有業內領先的研發團隊。在國內創先設計開發了28nm光敏光柵開關PVG芯片技術,并成功量產應用于60V、400V、600V高低壓、低內阻、低電容的光電耦合繼電器芯片、涵蓋1500kVrms SOP超小封裝及3750kVrms隔離增強型常規SMD、DIP等不同封裝,單路、雙路、混合雙路、常開常閉等電路產品,另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit單片機等集成電路產品,均獲得市場及各重點科研單位、檢測機構的新產品認定。

公司核心研發團隊中大部分工程師擁有碩士及以上學位,并有多名博士主持項目的開發。公司建立了科技創新和知識產權管理的規范體系,在電路設計、半導體器件及工藝設計、可靠性設計、器件模型提取等方面積累了眾多核心技術,擁有多項國際、國內自主發明專利。

“國之重器,從晶出發,自強自主,成就百年”是國晶微半導體的企業目標,我們為員工提供精彩的發展空間,為客戶提供精良的產品服務,我們真誠期待與您攜手共贏未來。

審核編輯:湯梓紅

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原文標題:碳化硅功率器件簡介!

文章出處:【微信號:國晶微第三代半導體碳化硅SiC,微信公眾號:國晶微第三代半導體碳化硅SiC】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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