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聚焦離子束與芯片失效分析與運用

芯片逆向 ? 來源:芯片逆向 ? 2024-01-09 15:17 ? 次閱讀

去除表面鈍化層、金屬化層和層間介質后有時依然無法觀察到失效點,這時候就需要對芯片進行進一步處理,對于多層布線的芯片干法腐蝕或者濕法腐蝕來逐一去除,直至最后一層金屬化和介質層。

去玩所有的金屬化層和介質層后,有時候還需要去除多晶硅層、氧化層等直至露出硅本體。

芯片失效分析

由于層間介質的材料與鈍化層材料種類基本相同,因此層間介質的去除也是類似的,也是主要分為干法腐蝕和濕法腐蝕兩種。這里值得注意的是,FIB同樣可以運用到失效分析的局部去層處理中。

聚焦離子束系統是利用電子透鏡將離子束聚焦成很小尺寸的纖維精細切割儀器,它由聚焦狀態的離子探針對物體表面進行點狀轟擊。由于FIB也具有成像功能,所以在進行局部剝層之后也便于對失效點進行觀察。

FIB技術的運用

FIB技術如今十分活躍在半導體集成電路領域。因為它在材料的刻蝕、沉積、注入、改變物化性能等方面具有顯著優勢,所以被很多內行人期待成為半導體集成電路領域最主要的加工手段。

FIB技術

現階段FIB技術主要應用在以下方面:

1.光掩模的修補;

2.集成電路的缺陷檢測分析與修整;

3.TEM和STEM的薄片試樣制備;

4.硬盤驅動器薄膜頭的制作;

5.掃描離子束顯微鏡;

6.FIB的直接注入;

7.FIB曝光(掃描曝光和投影曝光)

8.多束技術和全真空聯機技術;

9.FIB微結構制造(材料刻蝕、沉積)

10.二次離子質譜儀技術。







審核編輯:劉清

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原文標題:聚焦離子束與芯片失效分析

文章出處:【微信號:zhixinkeji2015,微信公眾號:芯片逆向】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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