勢壘電容（Barrier Capacitance）的大小直接影響了半導體器件的電學性能和可靠性。

勢壘電容CB是由勢壘區中的電荷量QB和勢壘區的寬度W決定的。勢壘區是指PN結或金屬-半導體接觸處，由于內建電場的作用，電子和空穴被限制在兩個區域之間形成的一個耗盡層。勢壘區的寬度W是指勢壘區在垂直于電流方向上的長度。

勢壘電容的大小可以理論的計算一下：

當外加電壓有△U 的變化時，電荷有△Q 的變化，假設兩邊的距離為 Xd 時。勢壘電容為：

勢壘電容CB的大小還與勢壘區的載流子濃度、內建電場強度以及溫度等因素有關。當載流子濃度較高時，勢壘區內的電荷量增加，勢壘電容也會相應增大；當內建電場強度較大時，勢壘區內的電荷量減少，勢壘電容也會相應減小；當溫度升高時，載流子濃度增加，勢壘區內的電荷量增加，勢壘電容也會相應增大。

此外，勢壘電容還可以用于制備電容器、存儲器等電子設備。例如，利用金屬-半導體接觸處的勢壘電容可以實現非揮發性存儲器的設計和制備。非揮發性存儲器是一種可以在斷電后保持存儲信息的電子設備，具有廣泛的應用前景。

總之，勢壘電容是半導體器件中的一個重要參數，它描述了PN結或金屬-半導體接觸處的勢壘對電荷的存儲能力。勢壘電容的大小與勢壘區的寬度、載流子濃度、內建電場強度以及溫度等因素有關。通過合理設計和控制勢壘電容的大小，可以提高半導體器件的性能和可靠性，實現各種電子設備的功能和應用。