接上一周的內(nèi)容，本周我們來(lái)了解一下SAN的功率測(cè)試要求。分傳導(dǎo)和輻射兩個(gè)大類。

01

傳導(dǎo)發(fā)射功率要求

在之前的學(xué)習(xí)中我們了解到，對(duì)于1-H類型的SAN來(lái)說(shuō)，有很多的傳導(dǎo)連接口：一起來(lái)學(xué)3GPP NTN射頻標(biāo)準(zhǔn)（SAN的類型和等級(jí)）。如果這些連接口被聲稱是等效的，那么在一致性測(cè)試中，只需挑選其中具有代表性的一個(gè)，來(lái)進(jìn)行測(cè)試即可。

以下是1-H類型SAN的不同功率等級(jí)對(duì)應(yīng)的傳導(dǎo)功率技術(shù)要求（最小要求）：

我們來(lái)解釋一下里面所使用的符號(hào)：

Prated,c,sys：所有端口總功率，包含Prated,c,sys,GEO和Prate,c,sys,LEO；
Prated,c,sys,GEO：用于SANGEO等級(jí)單個(gè)載波的所有TAB連接器的Prated,c,TABC之和；
Prated,c,sys,LEO：用于SANLEO等級(jí)單個(gè)載波的所有TAB連接器的Prated,c,TABC之和；
Prated,c,TABC：?jiǎn)蝹€(gè)端口功率，包含Prated,c,TABC,GEO和Prated,c,TABC,LEO；
Prated,c,TABC,GEO：用于SANGEO類別的每個(gè)TAB連接器的額定載波輸出功率；
Prated,c,TABC,LEO：用于SANLEO類別的每個(gè)TAB連接器的額定載波輸出功率。

以上技術(shù)要求，既有總功率要求Prated,c,sys，也有單個(gè)天線端口功率要求Prated,c,TABC。而且這些要求都是基于廠家的聲明，且必須符合相關(guān)的管理規(guī)定要求。說(shuō)白了3GPP并未給出SAN輸出功率的絕對(duì)限值，而給出的是：在正常測(cè)試條件下，每個(gè)TAB 連接器的最大輸出功率 Pmax,c,TABC應(yīng)保持在制造商聲明的額定載波輸出功率 Prated,c,TABC 的 +2 dB 和 -2 dB 范圍內(nèi)。這個(gè)測(cè)試目的是在正常條件下驗(yàn)證整個(gè)頻率范圍內(nèi)最大載波輸出功率的準(zhǔn)確性。

技術(shù)要求的范圍是±2dB，我們?cè)賮?lái)看一下測(cè)試要求（至于測(cè)試要求和技術(shù)要求的區(qū)別，我們?cè)谇懊鎸W(xué)習(xí)終端測(cè)試的時(shí)候已經(jīng)多次提到，這里就不再重復(fù)）。對(duì)于1-H 型 SAN的每個(gè)單頻連接器端口，測(cè)量每個(gè)被測(cè)連接器上每個(gè)載波的最大載波輸出功率Pmax,c,TABC，在正常測(cè)試環(huán)境下應(yīng)保持在制造商聲明值Prated,c,TABC的±2.7dB范圍內(nèi)。

1-H類型SAN最大傳導(dǎo)功率容限測(cè)試要求：
  f≤3GHz：± 2.7dB@正常測(cè)試環(huán)境下

對(duì)于測(cè)試的方法可以使用以下兩種方式：一是每次測(cè)一個(gè)端口，對(duì)其他端口進(jìn)行負(fù)載端接，如下圖所示：

二是同時(shí)測(cè)量多個(gè)端口，如下圖所示。但需要構(gòu)建測(cè)試系統(tǒng)來(lái)相應(yīng)實(shí)現(xiàn)。

以上所述均為基于5G NR的SAN功率的要求。針對(duì)基于4G的SAN傳導(dǎo)功率要求，其他的都一樣，唯一不同的是對(duì)于standalone NB-IoT，功率容限的測(cè)試要求降低為±3.0dB ：

SANtype1-H：
  f ≤ 3 GHz:
    ±2.7dBforE-UTRA
  ±3.0dBforstandaloneNB-IoT

02

輻射發(fā)射功率要求

輻射測(cè)試功率分為EIRP和TRP兩個(gè)測(cè)試項(xiàng)，在標(biāo)準(zhǔn)中分別稱為Radiatedtransmit power和OTAoutput power。關(guān)于EIRP和TRP的概念，我們?cè)谇懊娴膶W(xué)習(xí)中已經(jīng)提到過(guò)多次，這里就不過(guò)多解釋了。對(duì)于EIRP，1-H和1-O類型都需要測(cè)，它的技術(shù)要求的容限值仍舊是以聲稱值作為基準(zhǔn)，±2.2dB。

對(duì)于EIRP的測(cè)試要求為±3.3 dB：

SAN type 1-H, SAN type 1-O：EIRP
  f ≤ 3 GHz: ± 3.3 dB

TRP只有1-O類型需要進(jìn)行測(cè)試，在正常情況下，在 RIB 測(cè)得的 SAN 1-O 型最大載波 TRP 輸出功率 Pmax,c,TRP應(yīng)保持在制造商宣布的額定載波 TRP 輸出功率 Prated,c,TRP的 ±2 dB 范圍內(nèi)。

對(duì)于TRP的測(cè)試要求為在制造商宣布的額定載波 TRP Prated,c,TRP載波頻率 f ≤ 3.0 GHz 的 ±3.4 dB 范圍內(nèi)；

SANtype1-O TRP：
f≤3GHz:±3.4dB

以上均為基于5G NR的SAN輻射功率技術(shù)要求和測(cè)試要求。

針對(duì)基于4G的SAN輻射功率，技術(shù)要求是相同的，不同點(diǎn)在于測(cè)試要求的容限，EIRP的測(cè)試容限為：

SAN type 1-H, SAN type 1-O 
 f ≤ 3 GHz:
±3.3dBforE-UTRA
±3.6dBforstandaloneNB-IoT

最終TRP測(cè)量結(jié)果應(yīng)保持在制造商聲明的額定載波TRP功率Prated,c,TRP 的以下測(cè)試容限范圍內(nèi)：

SAN type 1-O 
 f ≤ 3 GHz:
±3.4dBforE-UTRA
±3.7dBforstandaloneNB-IoT

以下是輻射測(cè)試的環(huán)境示意圖：

審核編輯：劉清