本文介紹了半導體中不同的壓力單位及其定義。

在實際的應用中，我們所說的壓力常常指壓強，壓力傳感器實際測的是壓強，真空壓力指的也是壓強。那么在半導體里面，表示壓強的單位分別有哪些，有什么區別呢？

帕 Pa

國際標準壓強單位，也是應用最廣泛的壓強單位。這個單位是為紀念法國數學家、物理學家兼哲學家布萊士·帕斯卡（Blaise Pascal ）而命名。1Pa相當于1N/m2。引出的有百帕hPa，千帕kPa，兆帕MPa等。在半導體設備中，有部分國產設備采用Pa來表示真空度。

巴 Bar

工程常用單位，1bar相當于100000Pa。因為測量大氣壓引出，規定一個大氣壓是1Bar，即每平方厘米受到1公斤的大氣壓力為1巴。也可引出毫巴等單位。在常常用在半導體設備中表示真空度，高真空（highvacuum，HV）一般定義為 >1E-7mbar。

托 Torr

托的命名是為了紀念意大利物理學家托里拆利(EvangelistaTorricelli)，他的首要發明是水銀氣壓計。用汞柱表示，1Torr是指“將細直管內的水銀頂高一毫米之壓力”，相當于760mm汞柱的壓力，值是大氣壓力的 1/760 。在半導體鍍膜、刻蝕設備中，常用Torr表示真空度，如5E-5Torr。

PSI

用單位面積英寸上的鎊來表示壓強，美國習慣使用psi作單位，意為磅力/平方英寸，是一個英制單位。在半導體設備中不太能看到psi表示真空度，在MEMS壓力傳感器和控制器中，psi常常作為壓強單位出現表示氣壓或者油壓的大小，特別是美國的器件中。

atm

標準大氣壓，相當于101325Pa。因為測量大氣壓引出，規定一個大氣壓是1atm，一般只用于表示大氣壓強。

在半導體設備中，壓強單位常常表示真空度，這里給出常見的真空的劃分及應用：

粗真空（負壓）：10E5~10E2Pa，用于真空干燥和浸漬；

低真空：10E2~10E-1Pa，用于熱處理和低壓化學沉積；

高真空：10E-1~10E-6Pa，用于真空鍵合、物理氣相鍍膜和刻蝕等；

超高真空：＜10E-6Pa，用于表面分析，MBE等特殊鍍膜設備。

表 不同壓強單位的換算

審核編輯：劉清