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淺析IGBT元件的并聯注意事項

青島佳恩半導體有限公司 ? 來源:青島佳恩半導體有限公司 ? 2024-01-25 09:11 ? 次閱讀

IGBT元件的并聯注意事項

并聯連接時的電流平衡:

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由于門極-發射極連線電感LG、RG、還有Cies之間的關系,如果在門極驅動環路內發生震蕩,有可能因為誤動作和不飽和動作而導致元件損壞。

不發生震蕩的RG的最小值與√LG成正比增大。

因此,應在盡可能減小電感的同時,令RG在推薦值以上。

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● 分布電感的差距與開通和關斷時的過渡電流的不均衡有關。請盡可能使IGBT之間集電極和發射極的連接線相同,并且盡可能短。

● 請對每個IGBT元件附加門極電阻,并使各門極連線電感相同且盡可能短的使用門極連接線。連接至發射極的門極配線不要連接在主端子上,請連接在專用(輔助)端子上。

● IGBT的飽和電壓VCE(sat)等受溫度的影響。請盡可能縮小模塊間溫度上升之差。

并聯工作用VCE(sat)等級分類:

并聯工作時,為了解決IGBT元件的均流問題,因此,每個IGBT元件的實際工作電流只能是它的額定值的80%左右。例如,四個300A模塊并聯時,預計總電流約為300×0.8×4=960A左右。






審核編輯:劉清

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原文標題:IGBT元件的并聯注意事項

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