描述：MOSFET的最大允許電壓。參數(shù)：額定電壓 - VR (Voltage Rating)

描述：MOSFET在正常工作條件下能夠承受的最大電流。參數(shù)：額定電流 - IR (Current Rating)

描述：MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下，源極和漏極之間的電阻值。導(dǎo)通電阻的大小直接影響MOSFET的功耗和發(fā)熱。參數(shù)：導(dǎo)通電阻 - RON (On-Resistance)

描述：MOSFET的開關(guān)轉(zhuǎn)換時(shí)間，包括開啟時(shí)間和關(guān)閉時(shí)間。開關(guān)速度對(duì)于高頻應(yīng)用至關(guān)重要。參數(shù)：開關(guān)速度 - TON, TOFF (Switching Time)

描述：MOSFET開始導(dǎo)通的最低電壓。閾值電壓越低，器件的開關(guān)速度越快。參數(shù)：閾值電壓 - VTH (Threshold Voltage)

描述：MOSFET在雪崩效應(yīng)發(fā)生時(shí)能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高，器件的可靠性越好。參數(shù)：雪崩耐量 - SURG (Surge Tolerance)

描述：MOSFET內(nèi)部芯片的最高工作溫度。結(jié)溫過高可能導(dǎo)致器件性能下降或損壞。參數(shù)：結(jié)溫 - TJ (Junction Temperature)

描述：MOSFET柵極與源極之間的電容。輸入電容的大小影響開關(guān)速度和驅(qū)動(dòng)能力。參數(shù)：輸入電容 - Ciss, Cgs (Input Capacitance)

描述：MOSFET漏極與源極之間的電容。輸出電容的大小影響開關(guān)速度和驅(qū)動(dòng)能力。參數(shù)：輸出電容 - Coss, Cds (Output Capacitance)

描述：MOSFET柵極與漏極之間的電容。反向傳輸電容的大小影響開關(guān)速度和信號(hào)質(zhì)量。參數(shù)：反向傳輸電容 - Crss, Cgd (Reverse Transfer Capacitance)

漏源電壓(VDS)：MOSFET的漏極和源極之間的電壓。漏源電壓是MOSFET能夠承受的最大電壓，超過此電壓可能導(dǎo)致器件損壞。

漏源電流(IDS)：流過MOSFET漏極和源極之間的電流。漏源電流的大小直接影響MOSFET的功耗和發(fā)熱。

柵源電壓(VGS)：加在MOSFET柵極和源極之間的電壓。柵源電壓控制MOSFET的開關(guān)狀態(tài)，從而影響漏源電流的通斷。

驅(qū)動(dòng)電壓(VDRV)：驅(qū)動(dòng)電路提供的電壓，用于控制MOSFET的柵源電壓。驅(qū)動(dòng)電壓的大小和穩(wěn)定性影響MOSFET的開關(guān)性能和可靠性。

動(dòng)態(tài)電阻(Ron)：在導(dǎo)通狀態(tài)下，MOSFET的漏源電阻隨漏源電流的變化而變化。動(dòng)態(tài)電阻越小，表示MOSFET的導(dǎo)電性能越好。

反向傳輸電容(Cgd)：MOSFET的柵極和漏極之間的電容。反向傳輸電容的大小影響開關(guān)速度和信號(hào)質(zhì)量。

導(dǎo)通電阻(Ron)：是指當(dāng)MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，從源極到漏極的導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻越小，表示MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下有更好的導(dǎo)電能力，能夠傳輸更大的電流，也能提供更低的功耗。

泄漏電流(Igss)：是指MOSFET在關(guān)閉狀態(tài)下的漏電流。泄漏電流應(yīng)盡可能小，以確保在關(guān)閉狀態(tài)下無功率損失。

閾值電壓(Vth)：是指MOSFET開始導(dǎo)通的電壓。

最大漏源電流(ID)：是指MOSFET正常工作時(shí)，漏源間所允許通過的最大電流。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過ID。此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額。

最大脈沖漏源電流(IDM)：此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額。

最大柵源電壓(VGS)：是指MOSFET正常工作時(shí)，加在柵極和源極之間的最大電壓。

漏源擊穿電壓(V(BR)DSS)：是指柵源電壓VGS為0時(shí)，場效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于V(BR)DSS。它具有正溫度特性。故應(yīng)以此參數(shù)在低溫條件下的值作為安全考慮。

開啟電壓(VGS(th))：當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓VGS超過VGS(th)時(shí)，漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道。應(yīng)用中，常將漏極短接條件下ID等于1毫安時(shí)的柵極電壓稱為開啟電壓。此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所降低。

耗散功率(PD)：是指場效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。使用時(shí)，場效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量。此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額。

最大工作結(jié)溫(Tj)：通常為150℃或175℃，器件設(shè)計(jì)的工作條件下須確應(yīng)避免超過這個(gè)溫度，并留有一定裕量。

審核編輯：湯梓紅