可控硅整流器的導通電壓一般由其器件參數決定，具體的可控硅導通電壓取決于其型號、制造商以及應用需求。因此，在具體的應用中，應該根據實際情況選擇相應的可控硅型號和規格，以滿足電路要求。

以下是一些常見的導通電壓范圍：

1. 低壓可控硅（Low Voltage Thyristor）：一般導通電壓范圍為1V至40V。

2. 中壓可控硅（Medium Voltage Thyristor）：一般導通電壓范圍為40V至1000V。

3. 高壓可控硅（High Voltage Thyristor）：一般導通電壓范圍為1000V以上，最高可達幾千伏特。

晶閘管操作

SCR-符號

SCR 在正向偏置時開始導通。為此目的，陰極保持在負電壓，陽極保持在正電壓。當正向偏置電壓施加到 SCR 時，結 J1 和 J3 變為正向偏置，而結 J2 變為反向偏置。當在柵極上施加正電壓時，結 J2 變為正向偏置并且 SCR 開啟。

在操作中，晶閘管可被視為背靠背連接的 NPN 和 PNP 晶體管，在器件內形成正反饋回路。發射極連接晶閘管陰極的晶體管是NPN器件，而發射極連接晶閘管陽極的晶體管是PNP器件。柵極連接到 NPN 晶體管的基極。一個晶體管的輸出被饋送到第二個晶體管的輸入，第二個晶體管的輸出又被反饋到第一個晶體管的輸入。這意味著當電流開始流動時，它會迅速增加，直到兩個晶體管都完全導通或飽和。

可控硅整流器常見故障及處理

可控硅整流器常見的故障包括：

1. 可控硅損壞：可控硅在工作過程中可能會受到過電流、過電壓、過溫等因素的影響而受損。可控硅損壞后可能無法導通或失去控制，導致整流器無法正常工作。

2. 觸發電路故障：觸發電路是用于觸發可控硅導通的關鍵部分。觸發電路故障可能導致可控硅無法正常觸發，使整流器無法工作或無法實現預期的控制。

3. 整流器過熱：整流器在長時間高負載工作或散熱不良的情況下可能會過熱。過熱可能導致可控硅損壞或觸發電路故障，影響整流器的正常運行。

4. 過電流保護觸發：當可控硅所能承受的電流超過額定值時，過電流保護回路會觸發并切斷電源。此時整流器可能無法正常工作，需要排除過電流原因并修復相關問題。

處理可控硅整流器故障的方法包括：

1. 檢查可控硅：檢查可控硅是否損壞，可使用測試儀器進行測試并替換損壞的器件。

2. 檢查觸發電路：檢查觸發電路的連接和元件是否正常。修復或替換故障的元件。

3. 改善散熱條件：檢查整流器的散熱系統，確保散熱良好，可以通過增加散熱器或風扇等方式改善散熱條件。

4. 排查過電流問題：檢查整流器輸入電流是否超過額定值，查找引起過電流的原因并修復。

審核編輯：黃飛