前言

傳統(tǒng)的氮化鎵快充方案包括控制器+驅(qū)動器+GaN功率器件等，電路設(shè)計復(fù)雜，成本較高。而若采用合封氮化鎵芯片，一顆芯片即可實現(xiàn)原有數(shù)顆芯片的功能，不僅使電源芯片外圍器件數(shù)量大幅降低，而且有效降低了快充方案在高頻下的寄生參數(shù)，減小振鈴，從而降低開關(guān)損耗，還不易受初級電流干擾，提高可靠性和開關(guān)速度。電源工程師在應(yīng)用過程中能更加方便、快捷地完成調(diào)試，加速產(chǎn)品研發(fā)周期。

合封氮化鎵還有成本低，元件數(shù)量少，易于調(diào)試的優(yōu)勢，簡化氮化鎵充電器的設(shè)計，降低氮化鎵快充的開發(fā)難度，助力實現(xiàn)小體積高效率的氮化鎵快充設(shè)計。在提高空間利用率的同時降低了生產(chǎn)難度，也有助于降低成本，加快出貨。

東科合封氮化鎵全鏈路解決方案

東科半導(dǎo)體根據(jù)拓撲架構(gòu)的不同推出了多款合封氮化鎵，這些產(chǎn)品在設(shè)計上充分考慮了實際應(yīng)用環(huán)境和性能要求，以滿足不同行業(yè)和領(lǐng)域的需求。

多種拓撲架構(gòu)包括ACF架構(gòu)、AHB架構(gòu)與QR架構(gòu)，其中ACF拓撲通過有源鉗位的方式實現(xiàn)功率管軟開關(guān)，既減小開關(guān)損耗，提高轉(zhuǎn)換效率，又支持更高開關(guān)頻率，可充分發(fā)揮新型功率管氮化鎵GaN的優(yōu)勢，且利于磁元件小型化。QR拓撲則是傳統(tǒng)適配器中采用的一種準(zhǔn)諧振反激拓撲，具有結(jié)構(gòu)簡單、控制容易等優(yōu)點。AHB則是一種高性能非對稱半橋反激式控制器，可滿足大功率筆記本的需求。

充電頭網(wǎng)將會對以上不同架構(gòu)的多款芯片作出相應(yīng)講解。

ACF

DK8607AD

DK8607AD 是一款集成了兩顆 GaN 功率器件的有源鉗位反激控制 AC-DC 功率開關(guān)芯片。DK8607AD 利用漏感能量，可以實現(xiàn)原邊功率管 ZVS，副邊整流管 ZCS，從而提高電源系統(tǒng)效率，降低功率管的應(yīng)力，減小開關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK8607AD支持最高1MHz開關(guān)頻率，效率高達95%，待機功耗小于50mW，具備自適應(yīng)死區(qū)時間，外圍極致精簡，同時具備無鹵素特性，符合ROHs要求，并內(nèi)置高壓啟動和X電容放電電路，可適應(yīng)寬電壓，推薦功率為70W，可為系統(tǒng)提供更高的性能和可靠性。

DK8607AD 極大的簡化了反激式 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK8607AD 具備完善的保護功能：輸出過壓保護（OVP），VCC 過、欠壓保護，過溫保護（OTP），開環(huán)保護，輸出過流保護（OCP），輸出短路保護等。

DK8607AD采用DFN8*8的封裝形式，適用于高功率密度快速充電器、適配器、筆記本適配器、平板電腦適配器、機頂盒適配器等領(lǐng)域之中。

與一元硬幣實觀對比。

DK8612AD

DK8612AD是一款集成了兩顆 GaN 功率器件的有源鉗位反激控制 AC-DC 功率開關(guān)芯片。

DK8612AD 利用漏感能量，可以實現(xiàn)原邊功率管 ZVS，副邊整流管 ZCS，從而提高電源系統(tǒng)效率，降低功率管的應(yīng)力，減小開關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK8612AD支持最高1MHz開關(guān)頻率，效率高達95%，待機功耗小于50mW，具備自適應(yīng)死區(qū)時間，外圍極致精簡，同時具備無鹵素特性，符合ROHs要求，并內(nèi)置高壓啟動和X電容放電電路，帶有升壓PFC，推薦功率為120W，可為系統(tǒng)提供更高的性能和可靠性。

DK8612AD 極大的簡化了反激式 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK8612AD 具備完善的保護功能：輸出過壓保護（OVP），VCC 過、欠壓保護，過溫保護（OTP），開環(huán)保護，輸出過流保護（OCP），輸出短路保護等。

DK8612AD采用DFN8*8的封裝形式，適用于高功率密度快速充電器、適配器、筆記本適配器、平板電腦適配器、機頂盒適配器等領(lǐng)域之中。

與一元硬幣實觀對比。

AHB

DK8710AD

DK8710AD 是一顆基于不對稱半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的 AC-DC 功率開關(guān)芯片。DK8710AD 能夠在較大的負載范圍內(nèi)實現(xiàn)原邊功率管 ZVS，副邊整流管 ZCS，從而提高電源系統(tǒng)效率。同時軟開關(guān)還可以降低功率管應(yīng)力，減小開關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK8710AD的內(nèi)阻為365-480mΩ，推薦應(yīng)用功率為100W。

DK8710AD 外圍精簡，極大的簡化了 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK8712AD 具備完善的保護功能：包括過載保護、輸出過壓保護、輸出短路保護、VCC過/欠壓保護、VS 引腳異常保護、初級過流保護、過溫保護等，采用DFN8*8封裝。

DK8712AD

相較于DK8710AD，DK8712AD主要是內(nèi)阻進一步減少，為270-350mΩ，推薦應(yīng)用功率為120W。

DK8712AD 是一顆基于不對稱半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的 AC-DC 功率開關(guān)芯片。DK8712AD 能夠在較大的負載范圍內(nèi)實現(xiàn)原邊功率管 ZVS，副邊整流管 ZCS，從而提高電源系統(tǒng)效率。同時軟開關(guān)還可以降低功率管應(yīng)力，減小開關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK8712AD 外圍精簡，極大的簡化了 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK8712AD 具備完善的保護功能：包括過載保護、輸出過壓保護、輸出短路保護、VCC過/欠壓保護、VS 引腳異常保護、初級過流保護、過溫保護等，采用DFN8*8封裝。

DK8715AD

DK8715AD是一顆基于不對稱半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的AC-DC功率開關(guān)芯片，其能夠在較大的負載范圍內(nèi)實現(xiàn)原邊功率管ZVS，副邊整流管ZCS，從而提高電源系統(tǒng)效率。同時軟開關(guān)還可以降低功率管應(yīng)力，從而減小開關(guān)損耗并改善電磁干擾。

DK8715AD支持最高800KHz開關(guān)頻率，待機功耗小于50mW，具備自適應(yīng)死區(qū)時間，外圍極致精簡，同時具備無鹵素特性，符合ROHs要求，并內(nèi)置高壓啟動和X電容放電電路，可為系統(tǒng)提供更高的性能和可靠性。

DK8715AD外圍精簡，可極大簡化AC-DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK8715AD 具備完善的保護功能：包括過載保護、輸出過壓保護、輸出短路保護、VCC 過/欠壓保護、VS 引腳異常保護、初級過流保護、過溫保護等。

DK8715AD采用DFN8*8的封裝形式，適用于高功率密度快速充電器、適配器、筆記本適配器、平板電腦適配器、電視電源、兩輪電動車充電器、通信電源、LED電源等領(lǐng)域之中。

與一元硬幣實觀對比。

DK8718AD

相較于DK8715AD，DK8718AD主要是內(nèi)阻進一步減少，為115-150mΩ，推薦應(yīng)用功率為180W。

DK8718AD 是一顆基于不對稱半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的 AC-DC 功率開關(guān)芯片。DK8718AD 能夠在較大的負載范圍內(nèi)實現(xiàn)原邊功率管 ZVS，副邊整流管 ZCS，從而提高電源系統(tǒng)效率。同時軟開關(guān)還可以降低功率管應(yīng)力，減小開關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK8718AD 外圍精簡，極大的簡化了 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK8718AD 具備完善的保護功能：包括過載保護、輸出過壓保護、輸出短路保護、VCC過/欠壓保護、VS 引腳異常保護、初級過流保護、過溫保護等，采用DFN8*8封裝。

QR

DK012G

東科DK012G是一款集成了 650V/2.2Ω GaN HEMT 的準(zhǔn)諧振反激控制 AC-DC 功率開關(guān)芯片。DK012G 檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當(dāng)VDS達到其最低值時開啟功率管，從而減小開關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK012G 極大的簡化了反激式 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK012G 具備完善的保護功能：輸出過壓保護（OVP），VCC 過欠壓保護，過溫保護（OTP），開環(huán)保護，輸出過流保護（OCP）等。

東科DK012G氮化鎵合封芯片支持250KHz開關(guān)頻率，待機功耗低于50mW，內(nèi)置高低壓輸入功率補償電路，內(nèi)置高壓啟動，采用PDFN5*6封裝，適用于氮化鎵快充，電源適配器以及輔助電源應(yīng)用。

DK020G

東科DK020G是一款集成了 650V/1.2Ω GaN HEMT 的準(zhǔn)諧振反激控制 AC-DC 功率開關(guān)芯片。DK020G 檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當(dāng)VDS達到其最低值時開啟功率管，從而減小開關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK020G 極大的簡化了反激式 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK020G 具備完善的保護功能：輸出過壓保護（OVP），VCC 過欠壓保護，過溫保護（OTP），開環(huán)保護，輸出過流保護（OCP）等。

東科DK020G氮化鎵合封芯片支持250KHz開關(guān)頻率，峰值效率高達92%，待機功耗低于50mW，內(nèi)置高低壓輸入功率補償電路，內(nèi)置高壓啟動，采用PDFN5*6封裝，適用于氮化鎵快充，電源適配器以及輔助電源應(yīng)用。

DK025G

東科DK025G是一款集成了 650V/800mΩ GaN HEMT 的準(zhǔn)諧振反激控制 AC-DC 功率開關(guān)芯片。DK025G 檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當(dāng)VDS達到其最低值時開啟功率管，從而減小開關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK025G 極大的簡化了反激式 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK020G 具備完善的保護功能：輸出過壓保護（OVP），VCC 過欠壓保護，過溫保護（OTP），開環(huán)保護，輸出過流保護（OCP）等。

東科DK020G氮化鎵合封芯片支持250KHz開關(guān)頻率，峰值效率高達92.7%，待機功耗低于50mW，內(nèi)置高低壓輸入功率補償電路，內(nèi)置高壓啟動，采用PDFN5*6封裝，適用于氮化鎵快充，電源適配器以及輔助電源應(yīng)用。

DK035G

東科DK035G是一款集成了 650V/600mΩ GaN HEMT 的準(zhǔn)諧振反激控制 AC-DC 功率開關(guān)芯片。DK035G 檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當(dāng)VDS達到其最低值時開啟功率管，從而減小開關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK035G 極大的簡化了反激式 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK035G 具備完善的保護功能：輸出過壓保護（OVP），VCC 過欠壓保護，過溫保護（OTP），開環(huán)保護，輸出過流保護（OCP）等。

東科DK035G氮化鎵合封芯片效率最高可達93%，最高支持250KHz開關(guān)頻率，待機功耗低于50mW，內(nèi)置高低壓輸入功率補償電路，內(nèi)置高壓啟動，采用PDFN5*6封裝，適用于氮化鎵快充，電源適配器以及輔助電源應(yīng)用。

DK045G

東科DK045G是一款高度集成的氮化鎵合封芯片。內(nèi)置650V/400mΩ GaN HEMT的準(zhǔn)諧振反激控制 AC-DC 功率開關(guān)芯片，支持45W及以下功率應(yīng)用。DK045G檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當(dāng) VDS達到其最低值時開啟功率管，從而減小開關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK045G極大的簡化了反激式AC-DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密 度的產(chǎn)品。DK045G具備完善的保護功能：輸出過壓保護（OVP），VCC過欠壓保護，過溫保護（OTP）， 開環(huán)保護，輸出過流保護（OCP）等。

東科DK045G采用PDFN5*6封裝模式，可廣泛應(yīng)用于高功率密度PD快充、筆記本平板電腦適配器以及輔助和待機電源。

相關(guān)閱讀：

1、東科半導(dǎo)體合封氮化鎵芯片應(yīng)用案例匯總

DK045GCD

東科DK045GCD是一款高度集成的氮化鎵合封芯片。內(nèi)置650V/400mΩ GaN HEMT的準(zhǔn)諧振反激控制 AC-DC 功率開關(guān)芯片，支持45W及以下功率應(yīng)用。DK045GCD檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當(dāng) VDS達到其最低值時開啟功率管，從而減小開關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK045GCD極大的簡化了反激式AC-DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK045GCD具備完善的保護功能：輸出過壓保護（OVP），VCC過欠壓保護，過溫保護（OTP）， 開環(huán)保護，輸出過流保護（OCP）等。

東科DK045GCD通過IEC 62368-1:2018安全認證，編號為NO123514，采用DFN8*8封裝模式，可廣泛應(yīng)用于高功率密度PD快充、筆記本平板電腦適配器以及輔助和待機電源。

DK065G

DK065G是一款高度集成了650V/260mΩ GaN HEMT的準(zhǔn)諧振反激控制AC-DC功率開關(guān)芯片，其中集成了控制和驅(qū)動電路。

DK065G采用了專利的谷底鎖定QR算法，在降低開通損耗，提高系統(tǒng)效率的同時，穩(wěn)定的鎖谷底算法避免了音頻噪聲的引入，大大簡化了高功率密度反激電源的設(shè)計。DK065G具備完善的保護功能，支持輸出過壓保護，供電過壓、欠壓保護，過熱保護等保護功能。

東科DK065G通過IEC 62368-1:2018安全認證，編號為NO123514，采用DFN8*8封裝，外圍元件精簡，適用于高功率密度快充適配器，筆記本電源適配器等應(yīng)用。

與一元硬幣比較。

相關(guān)閱讀：

1、東科半導(dǎo)體合封氮化鎵芯片應(yīng)用案例匯總

2、單芯片實現(xiàn)65W，東科合封氮化鎵芯片DK065G規(guī)模化商用

DK075G

東科半導(dǎo)體的合封氮化鎵系列產(chǎn)品DK075G內(nèi)部集成了650V/160mΩ氮化鎵功率管，并集成了控制和驅(qū)動電路芯片。DK075G采用了專利的谷底鎖定QR算法，在降低開通損耗，提高系統(tǒng)效率的同時，穩(wěn)定的鎖谷底算法避免了音頻噪聲的引入，大大簡化了高功率密度反激電源的設(shè)計。

DK075G峰值效率高達94.3%，最高支持250KHz開關(guān)頻率，待機功耗低于50mW，內(nèi)置算法優(yōu)化的谷底檢測電路和谷底鎖定電路以及退磁檢測電路和抖頻電路，可有效改善EMI，同時內(nèi)置的高低壓輸入功率補償電路可保證高低壓下最大輸出功率一致。DK075G具備無鹵素特性，符合ROHs要求。

DK075G具備完善的保護功能，支持輸出過壓保護，供電過壓、欠壓保護，過熱保護等保護功能。

東科DK075G采用DFN8*8封裝，外圍元件精簡，適用于高功率密度快充適配器，筆記本電源適配器等應(yīng)用。