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A、內(nèi)涵

封裝——Package，使用要求的材料，將設(shè)計(jì)電路按照特定的輸入輸出端進(jìn)行安裝、連接、固定、灌封、標(biāo)識的工藝技術(shù)。

B、作用

a)保護(hù)：保障電路工作環(huán)境與外界隔離，具有防潮、防塵。

b)支撐：引出端及殼體在組裝和焊接過程保持距離和緩沖應(yīng)力作用。

c)散熱：電路工作時(shí)的熱量施放。

d)電絕緣：保障不與其他元件或電路單元的電氣干涉。

e）過渡：電路物理尺寸的轉(zhuǎn)換。

a）晶圓裸芯片b）集成電路芯片c）板級電路模塊PCBA d）板級互連

e）整機(jī)f）系統(tǒng)

電子封裝技術(shù)發(fā)展歷程

20世紀(jì)50 年代以前是玻璃殼真空電子管

20世紀(jì)60 年代是金屬殼封裝的半導(dǎo)體三極管

20世紀(jì)70 年代封裝是陶瓷扁平、雙列直插封裝小規(guī)模數(shù)字邏輯電路器件出現(xiàn)

20世紀(jì)70 年代末表面貼裝技術(shù)SMT出現(xiàn)，分立元件片式化（玻璃）

20世紀(jì)80 年代 LSI出現(xiàn)，表面貼裝器件SMD問世，陶瓷、塑料SOP、PLCC、QFP呈現(xiàn)多樣化狀況

20世紀(jì)90 年代VLSI出現(xiàn)，MCM技術(shù)迅速發(fā)展，超高規(guī)模路小型化、多引腳封裝趨勢，塑料封裝開始占據(jù)主流，片式元件達(dá)到0201、BGA、CSP大量應(yīng)用

21世紀(jì)始，多端子、窄節(jié)距、高密度封裝成為主流，片式元件達(dá)到01005尺寸，三維、光電集成封裝技術(shù)成為研究開發(fā)的重點(diǎn)

器件封裝引線中心間距變化對工藝裝備的精度要求

三維疊層元器件封裝

多芯片組件封裝與組裝工藝技術(shù)應(yīng)用

C、發(fā)展趨勢

高密度、細(xì)間距、超細(xì)間距PCB

三維立體互連，應(yīng)用于晶圓級、元件級和板級電路

光電混和互連。

1）封裝材料

A、基本要求

封裝材料具有如下特性要求：

熱膨脹系數(shù)：與襯底、電路芯片的熱膨脹性能相匹配。

介電特性（常數(shù)及損耗）：快速響應(yīng)電路工作，電信號傳輸延遲小。

導(dǎo)熱性：利于電路工作的熱量施放。

機(jī)械特性：具有一定的強(qiáng)度、硬度和韌性。

B、材料應(yīng)用類別

a)金屬：銅、鋁、鋼、鎢、鎳、可伐合金等，多用于宇航及軍品元器件管殼。

b)陶瓷：氧化鋁、碳化硅、氧化鈹、玻璃陶瓷、鉆石等材料均有應(yīng)用，具有較好的氣密性、電傳輸、熱傳導(dǎo)、機(jī)械特性，可靠性高。不僅可作為封裝材料，也多用于基板，但脆性高易受損。

雙列直插（DIP）、扁平（FP）、無引線芯片載體（LCCC）、QFP等器件均可為陶瓷封裝。

c)塑料：

通常分為熱固性聚合物和熱塑性聚合物，如酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂、硅膠等，采用一定的成型技術(shù)（轉(zhuǎn)移、噴射、預(yù)成型）進(jìn)行封裝，當(dāng)前90%以上元器件均已為塑料封裝。

始用于小外形（SOT）三極管、雙列直插（DIP），現(xiàn)常見的SOP、PLCC、QFP、BGA等大多為塑料封裝的了。器件的引線中心間距從2.54mm(DIP)降至0.4mm(QFP)

厚度從3.6 mm(DIP)降至1.0mm(QFP)，引出端數(shù)量高達(dá)350多。

d)玻璃：

審核編輯 黃宇