根據英特爾之前宣布的計劃，公司有望在 2024 年或 2025 年趕上并超越目前公認的半導體工藝領導者臺積電。這絕對是一個可以實現的目標，因為英特爾在推出 10 納米 SuperFin（現稱為英特爾 7 ）和 7nm（現在稱為 Intel 4）工藝節點。

在這篇文章中，我們將著重討論一下這個問題。

首先，我們將重點關注什么和何時（what and when）：計劃的半導體工藝節點以及它們何時出現。然后我們將重點關注哪里（where）：英特爾正在投資新晶圓廠和晶圓廠升級的地點。接下來，我們將討論誰（who），因為英特爾已經宣布了一些有趣的代工合作伙伴。最后，我們將重點討論原因。結論是：英特爾將流程節點的領先地位視為其業務的一個生存方面。

英特爾押注其 10 納米 SuperFin 節點不需要 EUV 光刻。這是一場保守的賭博，但沒有得到回報。10 納米節點的推出被推遲，英特爾開始在摩爾定律曲線的競賽中失敗。另外一個結果是，英特爾沒有獲得進入 7nm 節點的 EUV 經驗，因此該節點也遲到了，因為英特爾的工藝工程師需要適應 EUV 學習曲線。這兩個工藝節點現在分別稱為 Intel 7 和 Intel 4，均已投入生產。

帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 于 2021 年初就任英特爾首席執行官后不久，就宣布了到 2025 年的工藝節點計劃。這些計劃要求在四年內攻克五個工藝節點，包括新命名的intel 7 和intel 4 節點。英特爾于 2023 年中期宣布，intel 3 工藝節點（該公司的最后一代 FinFET 節點）已達良率和性能目標，并將于 2024 年為該公司的 Granite Rapids 和 Sierra Forest CPU 進行量產。

下一個工藝節點，Intel 20A（“A”代表埃），對該公司的工藝技術引入了兩項重大變化。

首先，FinFET 已過時，而 RibbonFET 已流行。RibbonFET 是英特爾對環柵 (GAA) FET 的名稱，它用柵極包圍 FET 溝道，以改善對柵極電流的控制并提高性能。許多公司正在開發 GAA FET 工藝。2023 年中期，三星宣布已開始其 3nm 工藝技術的初步制造，該技術基于該公司的多橋通道 FET (MBCFET)。這是三星版本的 GAA FET。

Intel 20A還將Intel的背面電源技術PowerVia引入制造工藝節點。PowerVia 技術在 IC 制造中引入了一系列新的工藝步驟，因為它將整個電力傳輸系統從芯片頂部（自 Fairchild Semiconductor 的 Jean Hoerni 于 1959 年獲得 IC 制造平面工藝專利以來一直位于芯片頂部）移至芯片的背面。從芯片背面向芯片正面制造的晶體管供電需要在減薄的硅晶圓上鉆出無數微孔，然后用金屬填充這些孔，以實現從背面電力傳輸系統到晶體管的連接。

背面供電有很多優點，但其中最重要的兩個優點是增強用于向芯片晶體管供電的金屬，從而減少片上電源壓降和噪聲，以及消除配電從芯片正面進行布線，從而釋放了芯片頂部金屬層的空間，從而使信號布線受到的限制大大減少。

RibbonFET 和 PowerVia 技術都有風險。通常，流程開發團隊一次只會引入一項重大變更。然而，Gelsinger 不耐煩了，他正在推動工藝節點的強行進軍，因此這兩種技術都將出現在 Intel 20A 工藝中。

為了降低部分風險，英特爾工藝工程師創建了一個僅限內部使用的工藝節點，將 PowerVia 背面供電系統添加到intel 4 工藝節點。英特爾報告稱，僅在 2023 年中期，這一變化就使性能提升了 6%。Intel聲稱Intel 20A工藝將于今年上半年投入生產。2023年底，英特爾首席執行官基辛格宣布后續工藝節點Intel 18A將于2024年底前投入生產。而臺積電方面則表示，其等效工藝節點N2將于2025年下半年投入生產，因此看來，如果一切按計劃進行，英特爾到今年年底可能確實處于領先地位。

開發新的流程節點是一回事。采用新工藝節點批量生產芯片是另一回事，因此英特爾還啟動了巨大的資本密集型項目來升級其一些現有的晶圓廠，并建造全新的晶圓廠。這一建設熱潮需要英特爾公司和感興趣的政府承諾投入數百億美元。

英特爾升級了位于愛爾蘭萊克斯利普的一家制造工廠，并于最近在該地點啟用了intel 4 工藝。英特爾正在亞利桑那州錢德勒建造兩座新工廠來運行intel 20A 工藝。該公司建立了一個新的制造基地，并正在俄亥俄州利金縣建設一座intel 18A 晶圓廠。英特爾最近還宣布計劃在德國馬格德堡建造一座新晶圓廠，使用沿襲英特爾 18A 的工藝節點制造芯片。該公司還在以色列基亞特加特 (Kiryat Gat) 建造工廠，使用其較舊的 FinFET 工藝節點制造芯片，并且該公司已宣布計劃在馬來西亞和波蘭建造新的封裝設施。

（注：如此多的晶圓廠建設和改進項目正在進行中并正在宣布中，這份長長的清單無疑是不完整的，或者很快就會完成。此外，英特爾最近宣布，由于政府緩慢推出來自 CHIPS 法案的資金，俄亥俄州工廠的建設將被推遲。由于有如此多的項目正在進行中，即使可能性不大，也有可能出現更多此類延誤。）

有一句長期存在的諺語適用于半導體行業：“Fill the Fab”。這是控制制造成本的唯一方法。閑置的晶圓廠會燒掉很多錢。英特爾很幸運，長期以來一直擁有急需的產品來滿足其晶圓廠的需求，但基辛格是半導體行業的老手，他知道需要各種芯片才能滿足晶圓廠的需求。這就是他創建英特爾代工服務 (IFS) 的原因之一。因此，英特爾一直在與客戶達成代工協議，以幫助保持其晶圓廠的產能。

除了直接代工廠客戶外，英特爾還一直在與其他半導體代工廠達成交易。當英特爾收購 Tower Semiconductor 的交易于 2023 年 8 月被否決了之后，兩家公司在次月宣布了一項代工交易。英特爾將在其位于新墨西哥州里奧蘭喬的工廠為 Tower 提供代工服務和 300 毫米制造能力。作為交易的一部分，Tower 將為新墨西哥工廠購買價值高達 3 億美元的制造設備，以運行其專有的半導體工藝。Tower 的半導體工藝并不處于光刻技術的最前沿，但它們是電源管理、射頻信號處理和低功耗操作等應用的前沿工藝。本月，英特爾和聯華電子宣布開展類似合作，開發 12 納米 FinFET 工藝節點，并在位于亞利桑那州錢德勒的英特爾 Ocotillo 技術制造工廠的 12、22 和 32 號工廠進行生產。

羅伯特·諾伊斯和戈登·摩爾于1968年創立了英特爾。到1971年，該公司開發出了第一個商用DRAM，從而創造了DRAM市場，第一個商用微處理器，從而創造了微處理器市場，第一個EPROM，從而創造了非易失性半導體存儲器市場。英特爾長期占據半導體制造商前十名的位置。該公司于 1992 年占據半導體銷售額第一名，并一直保持這一領先地位，直到 2018 年，由于 DRAM 價格上漲，三星成為最大的半導體銷售商。然而，DRAM價格下跌，英特爾再次處于領先地位。

當這些市場的產品失去高盈利能力時，英特爾就會放棄整個市場。

1985 年，英特爾放棄了 DRAM 市場，以防止日本 DRAM 供應商蠶食英特爾的市場份額，從而使該公司免于消失。英特爾在非易失性半導體存儲器領域進進出出，目前已退出非易失性半導體存儲器領域，并于 2020 年出售了閃存業務。此外，英特爾目前正在剝離 2015 年收購 Altera 時收購的 FPGA 業務。不過沒關系，因為分拆出來的FPGA公司馬上就會成為IFS的大客戶。

然而，英特爾不能放棄其微處理器業務的核心產品線，否則就會消失，因為它沒有其他大型業務可以依靠。為了保住這一業務，英特爾必須抵御其長期對手 AMD，AMD 一直在進軍 PC 和服務器 CPU 業務，部分原因是英特爾失去了工藝領先地位。所以，這對英特爾來說是一個生死存亡的問題。由于臺積電生產AMD的處理器，英特爾在微處理器領域領先的戰略必須包括在每個新的半導體工藝節點上擊敗臺積電，同時為每個新節點設計先進的處理器。輸掉這場比賽將意味著英特爾最終被遺忘。

基辛格發起的四年內通過五個工藝節點的進軍是贏得這場競賽的戰略的一部分，我認為基辛格的 IFS 及其作為主要半導體代工廠的計劃角色是他保持英特爾技術開發和制造團隊的方式之一。這并不是說基辛格的策略中沒有無數其他元素。相信基辛格和臺積電的話，英特爾今年似乎確實可以從臺積電手中奪回半導體工藝的領導地位。如果基辛格和英特爾真的取得了成功，對于一家在過去半個世紀里為半導體行業做出巨大貢獻的公司來說，這將是又一個來之不易的勝利。

審核編輯：黃飛